首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   21篇
  免费   4篇
物理学   6篇
综合类   19篇
  2023年   1篇
  2021年   1篇
  2019年   1篇
  2017年   2篇
  2016年   1篇
  2014年   2篇
  2013年   1篇
  2012年   3篇
  2011年   1篇
  2010年   2篇
  2009年   1篇
  2008年   6篇
  2007年   1篇
  2000年   2篇
排序方式: 共有25条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
张成文 《科技信息》2010,(30):47-48
本文从谭恩美的成名作《喜福会》研究的语言学视角入手,介绍了几种语言学理论在美国华裔文学研究过程中的运用情况,以及它们对于作品的成功所起的重要作用和意义。以期能够对相关研究者有所启发,从而有助于美国华裔文学和语言学研究的全面发展。  相似文献   
2.
导入是课堂教学中的一个基本环节。在讲授新课的过程中,一个好的导入将会起到事半功倍的作用。本文将结合教学实践对在中学英语课堂教学过程中如何创造性地使用各种导入手段提高课堂教学效果进行初步探讨。  相似文献   
3.
本文阐述了在当今思想政治工作中,如何用"八德"的八种德行来对照自身的工作进行对比,用八种德行来理正、肃清工作态度和作风,这需要我们思想政治工作者的努力研究,探索出能够做好思想政治工作的思路和方法。  相似文献   
4.
掺杂型有机电致发光器件中载流子累积、载流子复合等物理过程的深入了解对提高器件效率和稳定性有重要作用。通过瞬态电致发光测量可以研究掺杂型有机电致发光器件内部载流子累积。对结构为: ITO/NPB(30 nm)/host: Ir(ppy)3/BCP(10 nm)/Alq3(20 nm)/LiF(0.7 nm)/Al(100 nm)的器件分别研究主体材料以及客体掺杂浓度变化对有机掺杂型器件瞬态发光行为的影响。实验发现,当单脉冲驱动电压关闭后,只有TAZ: Ir(ppy)3掺杂器件出现发光瞬时过冲现象,即发光强度衰减到一定时间时突然增强;且随着客体掺杂浓度的增加,瞬时过冲强度逐渐增强。通过分析TAZ: Ir(ppy)3掺杂器件的瞬时过冲强度对主体材料与掺杂浓度的依赖关系,进一步发现,瞬时过冲效应强度主要受限于发光层内部积累的电子载流子;TAZ: Ir(ppy)3发光层内电子容易被客体材料分子俘获并积累,电场突变时陷阱电子容易跳跃到主体材料上并与主体材料上积累的空穴形成激子,激子能量传递到客体材料上并复合发光继而出现发光强度的瞬时过冲现象。研究发光瞬时过冲行为可探究器件发光层内的载流子和激子的动态行为,有利于指导器件的设计,从而减少积累电荷的影响,提高器件的性能。  相似文献   
5.
利用微处理器技术,通过使用查表法对热电偶温度传感器在实际测温过程中由于冷端温度变化产生的误差实现自动补偿,从而提高热电偶测量精度的技术。  相似文献   
6.
通用试题库管理系统的设计   总被引:1,自引:0,他引:1  
介绍了通用试题库管理系统的功能及试题库设计关键技术的解决.  相似文献   
7.
介绍一种利用虚拟磁盘技术的新方法,解决了既不占用服务器硬盘空间,又能提高速度的问题,并使各用户区互不干扰。  相似文献   
8.
In this article, an organic thin-film field-effect transistor (OTFFET) with top-gate and bottom-contact geometry based on pentacene as the active layer is fabricated. The experimental data of the I-V are obtained from the OTFFET device. The alternating-current (AC) resistance value of the OTFFET device is calculated using the derivation method from the experimental data, and the AC resistance trend curves of the OTFFET device are obtained with the region fitting method. We analyse the characteristics of the OTFFET device with an AC resistance trend curve. To discover whether it has a high resistance, it is proposed to judge the region of the source/drain voltage (VDS) less than the transition voltage, thereby determining whether the contact between the metal electrode and the organic semiconductor layer of the OTFFET device is Ohmic or non-Ohmic. The theoretical analysis shows that the field-effect mobility and the AC resistance are in reverse proportion. Therefore, we point out that reducing AC resistance is necessary if field-effect mobility is to be improved.  相似文献   
9.
针对传统试题库存在的试题资源有限、试题共享不方便、不利于远程试题资源交流等缺陷,提出了一种基于Web技术的B/S模式通用试题库设计方案,并解决了系统开发过程中的用户角色授权、试卷生成策略、自动生成试卷、试题格式录入与格式输出等关键技术问题.该试题库在部分中小学进行了测试运行,获得了良好的评价.  相似文献   
10.
基于量子点和MEH-PPV的白光发光二极管的研究   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
利用无机纳米材料与有机聚合物材料相结合的方法制备白光发光二极管器件, 研究了蓝光量子点QDs(B)掺杂聚[2-甲氧基-5-(2-乙基己氧基-1, 4-苯撑乙烯撑](MEH-PPV) 复合体系的发光特性及量子点QDs(B) 掺杂浓度(质量分数)不同对器件发光特性的影响. 制备了ITO/PEDOT:PSS/MEH-PPV:QDs(B)/LiF/Al 结构的电致发光器件, 测试了器件的电致发光光谱和电学、光学特性. 当QDs掺杂浓度为40%, 驱动电压为8 V时器件能得到较为理想的白光发射. 同时, 对比研究了非掺杂体系的发光特性, 制备了结构为ITO/PEDOT:PSS/MEH-PPV/QDs(B)/LiF/Al的器件, 掺杂体系相较于非掺杂体系, 器件的最大亮度增大, 启亮电压降低, 并分析了掺杂体系器件性能改善的原因.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号