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1.
The electronic structures for three types of PbW04 (PWO) crystals, the perfect PWO, the PWO containing lead vacancy (PWO-Vpb) and fluorine doped PWO crystal (F^-:PWO), are systematically studied within the framework of density functional theory. The computational results show that the Pb 6s state situates below the valence band so that Pb^2 ions are unable to trap holes forming Pb^3 or Pb^4 to compensate for VPb^2-. The hole-trappers in PWO-Vpb are O^2- ions. Two of the longer-bond O^2- ions share a hole forming O2^3-, and four of the longer-bond oxygen ions trap two holes forming an associated color centre [O2^3--Vpb-O2^3-], which may be the origin of the 42Onto absorption band. It is also concluded that the doping of F^- would reduce the band gap and F^- ions substituting for O^2- can effectively restrict the formation of [O2^3--Vpb-O2^3-] and weaken the 42Onm absorption band and hence enhance the scintillation property of PWO. 相似文献
2.
3.
The possible defect models of Y^3+:PbWO4 crystals are discussed by defect chemistry and the most possible substituting positions of the impurity Y^3+ ions are studied by using the general utility lattice program (GULP). The calculated results indicate that in the lightly doped Y^3+ :PWO crystal, the main compensating mechanism is [2Ypb^+ + VPb^2-], and in the heavily doped Y^3+ :PWO crystal, it will bring interstitial oxygen ions to compensate the positive electricity caused by YPb^+, forming defect clusters of [2Ypb^+ +Oi^2-] in the crystal. The electronic structures of Y3+ :PWO with different defect models are calculated using the DV-Xα method. It can be concluded from the electronic structures that, for lightly doped cases, the energy gap of the crystal would be broadened and the 420nm absorption band will be restricted; for heavily doped cases, because of the existence of interstitial oxygen ions, it can bring a new absorption band and reduce the radiation hardness of the crystal. 相似文献
4.
淳于书泰何绍堂 张启仁何安沈华忠 杨上金杜凤英蔡玉琴 顾元元黄文忠庄秀群 龙永录牟丹岷 郭秦孙永良 杨建国彭翰生温树槐 倪元龙余松玉 顾援周正良 毛楚生王世绩刘凤翘 范滇元王树森 陈万年 《中国科学A辑》1992,35(8):875-879
本文在神光装置上,进行了类氖锗X光激光双程放大实验研究.实验中使用了硅/钼多层膜X光平面反射镜.用平场光栅谱仪测量了X光激光的时间积分和时间分辨信号.实验证实了X光激光的双程放大.时间积分结果表明,双程放大为单程放大信号的5倍多;时间分辨结果表明,对多层镜的作用时间作修正后,双程放大信号的增强倍数还要大.在本实验条件下,多层镜的寿命约为400—700ps. 相似文献
5.
6.
二价离子掺杂钨酸铅晶体的计算机模拟 总被引:1,自引:0,他引:1
应用GULP软件计算了PbWO4(PWO)晶体中分别掺杂Zn、Ca二价离子的相关缺陷生成能,并对计算结果进行了讨论.结果表明,Zn离子进入PWO晶体中只能占据铅空位附近的填隙位置,而Ca离子进入PWO晶体中可以占据铅空位,也可以占据铅空位附近的填隙位置,这两种情况出现几率近似;对于相同的掺杂浓度,在掺Zn的PWO晶体中的孤立铅空位数量比掺Ca的PWO晶体中少,从而掺Zn可以更好地抑制与铅空位有关的短波段吸收,增加晶体的光产额. 相似文献
7.
使用相对论性密度泛函计算程序,按照能量最低原理采用共轭梯度方法,对缺铅的钨酸铅晶体进行结构优化处理.计算了铅空位周围晶格的弛豫,得到铅空位周围的晶格结构.结果表明,铅空位周围次近邻的正离子(Pb^2 和W^6 )向铅空位迁移,而铅空位周围最近邻的负离子(O^2-)向远离铅空位的方向迁移.晶格的驰豫结果使铅空位处的电负性降低. 相似文献
8.
采用离散变分法计算了PbWO4晶体的能带结构,并用F心及F^ 心的类氢离子1S波函数结合离散变分法计算了F心及F^ 心的电子基态能级,计算结果表明,F心及F^ 心电子基态能级分布在禁带中,分别位于距导带底1.97eV(630nm)及2.36eV(525nm)处,它们的吸收跃迁对应于基态到导带底的跃迁,使晶体呈现F心及F^ 心吸收带,化学计量PbWO4晶体的辐照诱导吸收谱位于500-700nm,呈现一个宽吸收带,高斯分解的结果表明;该吸收带是由两个峰值分别位于550nm和680nm的吸收带叠加而成的,这两个吸收带分别对应于F^ 心及F心吸收带,计算结果与实验数据吻合较好。 相似文献
9.
运用相对论的密度泛函离散变分法(DV-Xα)研究了CaWO4晶体中F型色心的电子结构. 计算结果表明,F和F+心在禁带中引入了新的施主能级;分析了晶体内可能存在的光学跃迁模式,并通过过渡态的方法计算了F,F+心跃迁到导带底的能量分别为1.92eV和2.42eV. 因此,从理论上推断了F和F+心在CaWO4晶体中可能引起650nm和515nm的吸收,由此说明CaWO4晶体中650nm和515nm吸收带起源于晶体中的F和F+心.
关键词:
4晶体')" href="#">CaWO4晶体
+心')" href="#">F和F+心
DV-Xα 相似文献
10.
本文使用差值光吸收谱的测量及谱峰分离技术,测量了掺铁和未掺杂LiNbO3晶体的辐照着色吸收谱及其随辐照剂量的变化规律,并进行比较研究.结果表明:经γ射线辐照处理的LiNbO3;Fe晶体在可见和近红外区产生室温稳定的色心或电荷转移吸收带,它包含了γ射线辐照处理未掺杂LiNbO3中的全部色心吸收带(A,B,C和D),并在B带(2.70eV)长波一侧产生一个新的小吸收带B’(2.45eV).本文认为,2.6 eV附近的宽吸收带系作为基质的LiNbO3晶体本身的辐照缺陷,铁的掺入在LiNbO3中形成Fe2+-VLi偶极子,成为稳定的填隙氧离子陷阱,从而大大增加LiNbO3中色心的增长速率和浓度.并伴生一新吸收带,它可能是由受Ⅰ-Ⅴ偶极子扰动的F+心所产生.此外,还讨论了与铁的掺入有关的其它晶体物理和晶体化学问题. 相似文献