碳纳米管及其H_2吸附体系的Raman光谱

利用紫外Raman光谱技术 ,对分别以CO和CH4为碳源、由化学催化法制备的两种多壁碳纳米管以及它们的H2 吸附体系进行Raman光谱表征 ,观测到可分别归属于类石墨结构的基频模G (1 5 80cm- 1 )和D (1 41 6cm- 1 ,缺陷诱导 ) ,以及它们的二阶和三阶组合频 2D(2 83 2cm- 1 ) ,D +G (2 996cm- 1 ) ,2G (3 1 6 0cm- 1 )和 2D +G (441 2cm- 1 )的Raman峰 ;H2在这些多壁碳纳米管上吸附有两种形式 :非解离吸附分子氢H2 (a)和解离吸附生成含氢表面物种CHX(x =3 ,2 ,1 ) ,所观测在 2 85 0 ,2 96 7和 3 95 0cm- 1 处的Raman谱峰可分别归属于表面CH2 基的对称C -H伸缩模 ,CH3基的不对称C -H伸缩模 ,以及吸附态分子氢H2 (a)的H -H伸缩模     

多壁碳纳米管及其对H2吸附体系的Raman光谱

利用原位和非原位紫外Raman谱法,对以CH4为碳源,由催化法制备的多壁碳纳米管（MWCNTs),K^ -修饰的该类MWCNTs,以及它们对H2的吸附体系进行了Raman谱表征,观测到可分别归属于类石墨结构的基频模D和G以及它们的三阶组合频,表面CH3基和CH2基等的特征Raman峰;H2在这类碳纳米管上的吸附态包括解离吸附生成表面CH3和非解离吸附分子氢H2（a)在相同实验条件下,K^ -修饰体系上这两类氢吸附物种的表面浓度都比未经K^ -修饰的相应体系高。     

甲醇催化脱氢反应的研究

目前工业上，甲醛是使用电解银催化剂或铁铂氧化物催化剂由甲醇氧化脱氢而生产的，氧化脱氢法所制得的甲醛含水量高达60％（质量分数），浓缩需耗费能源，且性能不稳定，又容易生成副产物甲酸，不好应用．另一方面，近年来，在合成化学中如合成性能优良的工程塑料，合成乌洛托品药物等．要求忌水的甲醛的领域显著地增大，这些情况促进生产甲醛的新工艺和新型催化剂的开发研究．1926年Gbosh和Baski报导，在200℃下甲醇几乎全部转化为甲醛．近来报导门要求反应在500oC以上．甲醇究竟应在什么温度下才有显著的直接脱氢的可能性？使用怎么样的…     

用激光喇曼光谱分析研究半导体中杂质

用杂质振动喇曼散射和电子喇曼散射研究半导体中杂质,结果表明:杂质喇曼散射可以作为强有力的技术检测半导体的杂质和估计掺杂浓度,使用这种非破坏性的检测方法具有很好的空间分辨力(几个μm~2),而且共振杂质喇曼散射有极高的检测灵敏度,可达10~(-9)的数量级。     

乙烷氧化脱氢制乙烯纳米Sm2O3催化剂的研究

采用XRD，TEM，BET，C02—TPD，02—TPD和催化剂性能评价等方法对溶胶—凝胶法制备的纳米Sm2O2的物相、颗粒度、比表面、碱性、吸附活化氧物种的能力和催化剂的ODE性能进行了表征和评价，并与常规Sm2O2进行了比较．实验结果表明，纳米Sm2O3催化剂具有较佳的低温ODE反应性能，在500—600℃的温度范围内，纳米Sm203的乙烷转化率和乙烯选择性均优于常规Sm202，其原因主要与纳米催化剂体系具有较大比表面，较多的表面缺陷位，较弱的碱性和不同于常规催化剂体系的物相结构并因此更有利于吸附和活化氧物种等因素有关．采用高温原位显微Raman光谱对纳米Sm2O3上ODE反应活性氧物种的表征结果表明，02^2-是Sm203催化刑上ODE反应的活性氧物种．     

光谱仪的微机化及其应用

50～60年代生产的光谱仪器一般不具备数据处理及贮存功能,且操作麻烦,精确度较差,但其主体光学系统一般仍能满足分析的要求。本文中将电子学性能不够稳定、样品和参比通道电信号平衡能力差的SP700的扫描单色器,单点读数式的QR50的浸反射附件等与AppleⅡ微机联成一体,组成一套波段范围广(54000～2800 cm~(-1))、     

固/液及固/气界面铑表面氧化物还原的现场拉曼光谱研究

本文通过制备具有表面拉曼增强活性的金属Rh基底 ,将表面拉曼光谱技术拓展到固 液和固 气体系的吸附和反应研究。同时也初步了解了上述两种环境下Rh表面氧化物的还原情况。结果表明 ,无论是在固 液还是固 气体系 ,激光在还原过程中起着重要的作用。通过两个体系所得结果的比较 ,可以看到这两种体系中金属Rh表面氧化物还原行为的相似和不同     

La2O3—BaO系复氧化物的现场拉曼光谱研究

对于Ｌａ０．２Ｂａ０．８－ｘＣａｘ（Ｏ，ＣＯ３）其中ｘ＝０．０、０．２、０．４、０．６氧化物在９７３Ｋ及甲烷氧化偶联（ＯＣＭ）条件下，无Ｃａ＾２＋的样品可用表面ＢａＣＯ３和（ＬａＯ）２ＣＯ３的Ｒａｍａｎ谱及８１０ｃｍ＾－１附近的Ｏ２＾２－特征峰来表征；含Ｃａ＾２＋的样品，则表现了混合碳酸盐（Ｃａ，Ｂａ）ＣＯ３的特征，还有位于１１３５ｃｍ＾－１（ｗ）和８１０ｃｍ＾－１（ｗ）的Ｏ２＾－、Ｏ２＾２－瞬时     

用喇曼光谱研究半导体带隙和合金组分

阐述了从喇曼光谱测量三元化合物半导体的双模频移和双模强度比率来确定含金组分。提出了由共振喇曼散射研究半导体的能带结构。实验观测了半导体 GaP在间接带隙(Γ_8?—Χ_(3c))附近的2TA和2TO双声子共振特性。实验表明共振喇曼散射可以测定半导体的直接带隙和间接带隙。