二氧化钛纳米粒子和纳米管的合成、表征及对硝基苯的光催化性能研究

采用水热合成法, 通过改变反应条件, 控制反应参数, 成功地合成了粒径可控的球形TiO2纳米粒子和长径比、比表面积均比较大的纳米管. 用XRD, TEM, SAED和BET等手段对产物进行了表征. 为了测试产物的光催化性能, 以高浓度的硝基苯(NB)溶液为模拟水样, 进行了一系列提高降解效率的优化实验和光催化降解的对比实验. 通过对硝基苯溶液初始浓度、TiO2加入量和降解体系pH值等条件的考察, 得出硝基苯溶液的质量浓度为300 mg/L, TiO2的加入量为0.4 g/L, 体系的pH值为6~7时, 降解效果最好; 通过对比实验发现, 由于纳米管的大比表面积, 使得其光催化性能明显优于球形纳米粒子, 3 h后的降解率达到90%以上, 3.5 h左右硝基苯几乎被完全降解.     

Y-Ba-Cu-O系超导体的水解性研究

高转变温度T_c的Y—Ba—Cu—O系超导体是目前最引人注目的超导材料。这种超导体在液氮沸点温度以上有稳定的零电阻温度T_o。对于不同的Y、Ba和Cu组分比,只要采用相应的烧结条件,均能制备出T_c>90K的超导样品。我们在实验中发现,此种体系超导体无论组分如何,均有明显的水解特性,最终失去超导电性。水解的最终生成物由X射线衍射测定决定。另外,利用计算机对超导体完全水解的温度-时间关系进行了模拟计算。我们以组分比Y:Ba:Cu=1:2:3均匀混料,在850℃下预烧4小时(h),然后磨碎并过筛,压制成直径16mm、厚度1.5mm的圆片,在960℃下通氧烧结9小时,得到     

焰熔法生长LaAlO_3晶体的介电性质研究

报道 LaAlO_3晶体的焰熔法生长及其介电性质.所生长晶体的最大尺寸达Φ15×25mm~3.LaAlO_3晶体具有六方结构,晶胞参数为a=b=5.36■,c=13.11(?).晶体在室温下介电常数为24.2,介电损耗小于5×10~(-4)(10kHz).     

Bi4Ti3O12铁电薄膜X射线光电子能谱研究

本文采用化学溶液沉积(CSD)工艺在Si(100)衬底上制备了Bi4Ti3O12铁电薄膜,这种薄膜的X射线衍射(XRD)结果显示其具有较好的结晶性.运用X射线光电能谱仪(XPS)对薄膜的结构进行了研究,分析结果表明,衬底中Si向镀在其上的Bi4Ti3O12膜层内扩散,影响扩散的主要因素是膜厚及退火温度.     

孤立磁粉集合体的矫顽力

引言 Morrish(1956)和Knowles(1978)研究了单个针状γ—Fe_2O_3磁粉的矫顽力,Bottoni(1972)又研究了极稀密度下针状γ—Fe_2O_3磁粉集合体的矫顽力。但是,至今没有关于孤立磁粉集合体矫顽力的令人满意的实验研究。本文利用滚压混合分散方法,制成了普通针状γ—Fe_2O_3孤立磁粉混乱取向集合体的样品,通过振动样品磁     

冠醚和卟啉与花生酸混合单分子膜行为研究

本文将3'-正十五烷基苯并15-冠-5和六种无脂链难于直接成膜的四苯基卟啉与花生酸混合形成单分子膜。结果表明, 冠醚被嵌进而卟啉被挤出花生酸单分子层。卟啉-花生镉LB膜的可见吸收光谱指出卟啉分子成团聚集。扫描电镜观察了卟啉-花生酸镉混合LB膜的表面形貌, 在膜表面上无金涂层时直接测到了混合膜的相分离。     

α—AlPO4单晶的压电和弹性性质研究

用缓慢升温法在高压釜中生长了α-AlPO₄单晶体;用传输法测量了室温下α-AlPO₄单晶体的压电、弹性和介电常数,研究了晶体中缺陷对电性能的影响。 关键词：     

Y—Ba—Cu—O系超导体的潮解特性

本文研究了Y—Ba—Cu—O系超导体的潮解特性。在湿热的条件下,Y—Ba—Cu—O系超导体会与空气中的水蒸汽发生反应,逐渐失去原有的超导电性。由扫描电镜和X射线衍射分析表明,此种体系超导体在湖解前为两相(简单正交相和体心四方相)化合物,经潮解后生成BaCO_3、CuO和Y(OH)_3等物质。     

超导晶体 Bi_(2.8)Pb_(0.4)Sr_(3.2)Ca_(1.3)Cu_3O_x 的助熔剂法生长及多相交生现象

用助熔剂法生长了 Bi_(2.8)Pb_(0.4)Sr_(3.2)Ca_(1.3)Cu_3O_(?)超导晶体。晶体尺寸达10×4×3mm~3.晶体具有正交结构,晶胞参数为 a=5.38(?),b=5.37(?),c=30.9(?)。直流电阻和交流磁化率测量表明 T_(c(zero)),=89K。在少数解理的薄晶片中发现多相交生现象,XRD 图显示 c=37.8(?)的高温超导相存在,R—T 曲线在103K 出现陡降,在97K 出现台阶,89K 时达到零电阻状态。文中讨论了 Pb 对高温相形成的作用。     

α—AlPO_4单晶的压电和弹性性质研究

用缓慢升温法在高压釜中生长了α-AlPO_4单晶体;用传输法测量了室温下α-AlPO_4单晶体的压电、弹性和介电常数,研究了晶体中缺陷对电性能的影响。