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1.
肖特基二极管是2.45 G弱能量密度无线能量收集系统的核心器件,其性能决定了系统整流效率的上限.从材料设计角度出发,利用晶向优化技术和Sn合金化技术,提出并设计了一种大有效质量、大亲和能和高电子迁移率的Ge基复合半导体.在此基础上,进一步利用器件仿真工具,设定合理的器件材料物理参数与几何结构参数,实现了一种2.45 G弱能量微波无线输能用Ge基肖特基二极管.基于该器件SPICE模型的ADS整流电路仿真表明:与传统Ge肖特基二极管相比,该新型Ge基肖特基二极管在输入能量为–10—–20 d Bm的弱能量工作区域,能量转换效率提升约10%.本文技术方案及相关结论,可为解决2.45 G弱能量密度无线能量收集系统整流效率低的问题提供有益的参考. 相似文献
2.
加快海水利用步伐,缓解淡水资源供需矛盾 总被引:1,自引:0,他引:1
海水作为沿海城市的主要供水水源,已越来越被更多的沿海国家所重视。我国海水利用存在生产规模小、利用数量少、产业化进程慢等问题,已难以适应日趋严峻的水资源供需形势。应通过提高全民利用海洋资源意识、降低海水淡化成本、国家对海水资源利用给予一定的扶持和优惠政策等措施,促进海水淡化设备制造业发展和海水淡化产业化,以解决沿海缺水地区水资源制约经济、社会发展的矛盾。 相似文献
3.
通过改变灰化温度,灰化时间及盐酸浓度三因素设计正交试验,对样品牦牛奶粉及市售奶粉进行干法消化。用火焰原子吸收光谱法对样品中的Ca, Mg, Fe, Cu, Zn, Mn, K和Na等八种元素进行测定。实验表明,最佳消化条件为:灰化温度510 ℃,灰化时间4 h,盐酸体积比为1∶5。在最佳实验条件下,对牦牛奶粉各元素的含量做了回收实验,回收率范围在95.2%~107.3%,相对标准偏差0.38%~3.86%(n=6)。实验结果表明:牦牛奶粉营养元素含量丰富, 是营养价值极高的食品。 相似文献
4.
基于Fermi黄金法则及Boltzmann方程碰撞项近似理论, 推导建立了(001)弛豫Si1-xGex衬底外延四方晶系应变Si空穴散射几率与应力及能量的理论关系模型, 包括离化杂质、声学声子、非极性光学声子及总散射概率(能量40 meV时)模型. 结果表明: 当Ge组分(x)低于0.2时, 应变Si/(001)Si1-xGex材料空穴总散射概率随应力显著减小. 之后, 其随应力的变化趋于平缓. 与立方晶系未应变Si材料相比, 四方晶系应变Si材料空穴总散射概率最多可减小66%. 应变Si材料空穴迁移率增强与其散射概率的减小密切相关, 本文所得量化模型可为应变Si空穴迁移率及PMOS器件的研究与设计提供理论参考. 相似文献
5.
分析了双轴应变Si p型金属氧化物半导体场效应晶体管(PMOSFET)在γ射线辐照下载流子的微观输运过程, 揭示了γ射线的作用机理及器件电学特性随辐照总剂量的演化规律, 建立了总剂量辐照条件下的双轴应变Si PMOSFET 阈值电压与跨导等电学特性模型, 并对其进行了模拟仿真. 由仿真结果可知, 阈值电压的绝对值会随着辐照总剂量的积累而增加, 辐照总剂量较低时阈值电压的变化与总剂量基本呈线性关系, 高剂量时趋于饱和; 辐照产生的陷阱电荷增加了沟道区载流子之间的碰撞概率, 导致了沟道载流子迁移率的退化以及跨导的降低. 在此基础上, 进行实验验证, 测试结果表明实验数据与仿真结果基本相符, 为双轴应变Si PMOSFET辐照可靠性的研究和应变集成电路的应用与推广提供了理论依据和实践基础.
关键词:
应变Sip型金属氧化物半导体场效应晶体管
总剂量辐照
阈值电压
跨导 相似文献
6.
三维模型虚拟设计是机械设计的必然趋势 ,本文阐述了三维设计软件UG在生成汽车的各部件中的应用 ,实现了UG环境下三维汽车模型虚拟装配过程。实践证明 ,采用UG软件可以把机械设计从“二维平面”设计引入到“三维世界”。 相似文献
7.
依据离化杂质散射、声学声子散射和谷间散射的散射模型,在考虑电子谷间占有率的基础上,通过求解玻尔兹曼方程计算了不同锗组分下,不同杂质浓度时应变Si/(001)Si1-xGex的电子迁移率.结果表明:当锗组分达到0.2时,电子几乎全部占据Δ2能谷;低掺杂时,锗组分为0.4的应变Si电子迁移率与体硅相比增加约64%;对于张应变Si NMOS器件,从电子迁移率角度来考虑不适合做垂直沟道.选择相应的参数,该方
关键词:
电子谷间占有率
散射模型
锗组分
电子迁移率 相似文献
8.
基于k·p微扰法计算了单轴〈111〉应力作用下硅的价带结构, 并与未受应力时体硅的价带结构进行了比较. 给出了单轴〈111〉应力作用下硅价带顶处能级的移动、分裂以及空穴有效质量的变化情况. 计算所得未受应力作用时硅价带顶处重空穴带、轻空穴带有效质量与相关文献报道体硅有效质量结果一致. 拓展了单轴应力硅器件导电沟道应力与晶向的选择范围,给出的硅价带顶处重空穴带、轻空穴带能级间的分裂值和有效质量随应力的变化关系可为单轴〈111〉应力硅其他物理参数的计算提供参考.
关键词:
单轴应力硅
k·p法')" href="#">k·p法
价带结构 相似文献
9.
结合应变硅金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)结构,通过求解二维泊松方程,得到了应变Si沟道的电势分布,并据此建立了短沟道应变硅NMOSFET的阈值电压模型.依据计算结果,详细分析了弛豫Si1-βGeβ中锗组分β、沟道长度、漏电压、衬底掺杂浓度以及沟道掺杂浓度对阈值电压的影响,从而得到漏致势垒降低效应对小尺寸应变硅器件阈值电压的影响,对应变硅器件以及电路的设计具有重要的参考价值.
关键词:
应变硅金属氧化物半导体场效应管
漏致势垒降低
二维泊松方程
阈值电压模型 相似文献
10.