火花熔蚀-电感耦合等离子体光谱法分析地质矿物

火花熔蚀-电感耦合等离子体光谱法(SA-ICP)用于测量锆石中铪-锆比值和锰铁矿瘤中的铈、钴、铁、铅、镍和磷。用信背比和信嗓比的序贯单纯形优化法建立了用于高压火花和氩气ICP系统的六个操作参数。将磨细的样品与铜压成饼,从样品中熔蚀出的分析物和基体元素的原于发射信号的时间相关性给出一种用火花来作选择取样的方法。测量锆石中的铪、锆浓度比的精密度为4%(相对标准偏差)。对于锰铁矿瘤,根据分析线对锰(Ⅱ)257.610纳米线强度比的光谱测量结果达到分析精密度范围为7-14%(相对标准偏差)。分析的准确度用参比物USGS诺得(Nod)P-1的标准物加入法来决定,而与锰浓度的测量无关。     

低温大电流测量中热沉的设计

需要大电流测量的低温实验中，为了保证温度测量的准确性，设计热沉时电流的热效应不可忽略．定量讨论了低温大电流测量中的一维热沉设计．     

从师范专业特点出发,改革政治课堂教学模式

师范专业有自己的专业特点,从师范专业特点出发,从以往的经验和在一定教育理论的批导下,提出了“一线四步”即以事例贯穿课堂教学的始终,采取“自学—议讲—领悟—运用”四环节的政治理论课堂教学模式。     

圆周角定理实验教学过程设计

根据现代数学教学理念,数学教学过程,是学生在教师所创设的情景下进行数学知识的再发现过程.本设计借助现代教育技术,以一些图形的分类入手,通过学生观察,归纳概括出圆周角的概念.并进一步运用教学软件,引导学生去研究,发现、猜想、证明圆周角与其所对弧以及弧所对圆心角的关系,让学生亲生经历知识的研究、发现、形成过程,培养创造意识和创造能力.     

人血清中几种元素的ICP－AES法测定

本文研究了应用ＩＣＰ－ＡＥＳ测定人血清中Ｃａ、Ｍｇ、Ｎａ、Ｚｎ、Ｋ、Ｐ六种元素的方法。将经前处理好的人血清中加入适当的硝酸－过氧化氢混合消解液，在消解罐中经高温、高压下，使其有效地消除血清复杂基体的干扰。选用美国ＩＣＡ９０００（Ｎ＋Ｍ）型仪器的工作条件。以国家标准物质研究中心的贮备液作标准。并采用日本人血清标准和我国ＧＢＷ０９１３１牛血清标准校准仪器。     

Authorware课件设计中图形、图像处理的技巧及OLE对象的应用

制作课件时经常需要插入大量的图片、动画或其他媒体对象,以丰富课件的内容,提高课件的实用性.因此,文字、图像、动画等媒体素材的优化处理非常重要.本文论述了用Authorware设计课件时,对插入对象的处理技巧以及OLE对象的特殊应用.     

CeO_2和Y_2Ba_1Cu_1O_(5-δ)共同掺杂对Y_1Ba_2Cu_3O_(7-δ)的超导电性及其晶格结构的影响

采用固相反应法成功制备出一批Y123与Y211的摩尔比为1∶0.47的混合物,并在此混合物的基础上掺入CeO2,掺入的比例x分别为0.5wt%、1.0wt%、2.0wt%、3.0wt%、4.0wt%。采用了X-射线衍射仪对样品的晶格结构进行了分析,测量结果表明:x=1.0wt%时掺杂效果最好,同时也充分说明Y123的晶格结构与其超导电性之间存在着一种内在的必然关联。并通过对其测试临界转变温度以及转变宽度,测量结果也充分验证了上述结论。     

名义组分为Y_6Ba_(11)Cu_(16)O_x的纳米超导材料

采用柠檬酸盐热分解法制备了名义组分为Y6Ba11Cu16Ox的纳米超导材料。利用XRD对其粉体进行物相表征,发现其相是Y123和Y211的混合相,并测得两者之间的摩尔比为1∶0.14,同时把其XRD图谱与Y1Ba2Cu3O7-x的XRD图谱进行了对照分析。利用标准的四端引线法对其块体进行R-T分析,测出其起始转变温度Tonset=86.0K,转变宽度△Tc=6.7K,并表现出良好的超导电性,也相应地把其与Y1Ba2Cu3O7-x进行了对比。根据Scherrer公式计算得到样品的平均晶粒尺寸约为67.1nm。文中也分析了所制材料为混合物的原因。     

火花熔蚀—电感耦合等离子体光谱法分析地质矿物

火花熔蚀－电感耦合等离子体光谱法（SA－ICP）用于测量锆石中铪－锆比值和锰铁矿瘤中的铈、钴、铁、铅、镍和磷。用信背比和信噪比的序贯单纯形优化法建立了用于高压火花和氩气ICP系统的六个操作参数。将磨细的样品与铜压成饼，并从样品中熔蚀出的分析物和基体元素的原子发射信号的时间相关性给出一种用火花来作选择取样的方法。测量锆石中的铪、锆浓度比的精密度为4％（相对标准偏差）。对于锰铁矿瘤，根据分析线对锰（Ⅱ）257.610纳米线强度比的光谱测定结果达到分析精密度范围为7－14％（相标准偏差）。分析的准确度用参比物USGS诺得（Nod)P-1的标准物加入法来决定，而与锰浓度的测量无关。     

A comparative study of electroluminescence from Ge／SiO2 and Si／SiO2 films

Ge/SiO_2 and Si/SiO_2 films were deposited using the two-target alternation magnetron sputtering technique. The Au/Ge/SiO_2/p-Si and Au/Si/SiO_2/p-Si structures were fabricated and their electroluminescence (EL) characteristics were comparatively studied. Both Au/Ge/SiO_2/p-Si and Au/Si/SiO_2/p-Si structures have rectifying property. All the EL spectra from the two types of the structure have peak positions around 650－660 nm. The EL mechanisms of the structures are discussed.