草酸沉淀法制备细颗粒红色荧光粉Y2O3：Eu3+的发光特性

对草酸作为沉淀剂制备的细颗粒红色荧光粉Y₂O₃:Eu³⁺进行结构和发光特性研究,结果表明:其一次粒径为20～30nm,团聚尺寸D₅₀=0.53μm。该荧光粉最大激发峰位于252.2nm,较微米级荧光粉233nm红移了19.2nm;最大的发射峰位于612nm,与微米级的相比几乎没有差别。Eu³⁺离子的掺入构成了发光中心,其最佳掺杂的质量分数为9%,荧光粉发光的猝灭浓度由微米级的6%提高到9%。由于纳米晶存在表面缺陷和悬挂键,其亮度约为微米晶的70%左右,随着团聚尺寸的增加、煅烧温度的提高和助熔剂的加入,荧光粉的发光强度增大。包膜能部分消除表面缺陷和悬挂键,提高发光亮度。荧光粉的色坐标为x=0.6479,y=0.3442。     

草酸沉淀法制备细颗粒红色荧光粉Y_2O_3∶Eu~(3+)的发光特性

对草酸作为沉淀剂制备的细颗粒红色荧光粉Y2 O3 ∶Eu3 + 进行结构和发光特性研究 ,结果表明 :其一次粒径为 2 0～ 30nm ,团聚尺寸D50 =0 .5 3μm。该荧光粉最大激发峰位于 2 5 2 .2nm ,较微米级荧光粉 2 33nm红移了 19.2nm ;最大的发射峰位于 6 12nm ,与微米级的相比几乎没有差别。Eu3 + 离子的掺入构成了发光中心 ,其最佳掺杂的质量分数为 9% ,荧光粉发光的猝灭浓度由微米级的 6 %提高到 9%。由于纳米晶存在表面缺陷和悬挂键 ,其亮度约为微米晶的 70 %左右 ,随着团聚尺寸的增加、煅烧温度的提高和助熔剂的加入 ,荧光粉的发光强度增大。包膜能部分消除表面缺陷和悬挂键 ,提高发光亮度。荧光粉的色坐标为x =0 .6 4 79,y =0 .344 2。     

Y2O3:Eu3+氧化物的制备与结构及其发光性能

对用草酸沉淀法制备的、不经球磨的红色发光材料Y2O3：Eu^3＋的结构和发光性能进行了研究。结果表明：该荧光粉大小分布均匀,一次粒径为4～6μm,最大激发峰位于238nm,最大发射峰位于613nm,荧光粉色品坐标x=0．6454,y=0．3408,相对亮度为181,可满足灯用荧光粉的要求。     

纳米晶Y2O3：Eu3＋的合成及其光谱性质研究

本文报道了草酸作为沉淀剂并添加表面活性剂合成了纳米晶Y2O3Eu3+的方法,其一次粒径为15～19nm。对样品的激发光谱、发射光谱及色坐标的测定结果表明与微米晶比较该纳米晶的发射光谱发生明显蓝移,激发光谱未见明显变化,猝灭浓度明显提高。荧光粉色坐标x＝0.6479,y＝0.3442,研究发现发光亮度随团聚尺寸增大而增强。     

草酸沉淀法制备不球磨红色荧光粉Y2O3：Eu^3＋工艺研究

报道了草酸作为沉淀剂并添加表面活性剂合成了不球磨Y2O3：Eu^3 的方法,其D50＝0．53μm。粉体细且分布均匀。与微米晶比较该纳米晶的发射光谱光谱发生明显蓝移,色座标符合荧光粉要求。     

D-青霉胺的外消旋研究

研究了D-青霉胺直接进行外消旋的工艺，分别讨论了时间、温度及物质配比对产物的旋光性和产率的影响，确定了外消旋过程的最佳反应条件。     

纳米晶Y2O3：Eu3＋的合成及其光谱性质研究

本文报道了草酸作为沉淀剂并添加表面活性剂合成了纳米晶Y2O3：Eu^3 的方法,其一次粒径为15－109nm。对样品的激发光谱、发射光谱及色坐标的测定结果表明：与微米晶比较该纳米晶的发射光谱发生蓝移,激发光谱未见明显变化,猝灭浓度明显提高。荧光粉色坐标x=0.6479,y=0.3442,研究发现了发光亮度随团聚尺寸增大而增强。     

表面活性剂PEG对草酸沉淀法制备Y_2O_3:Eu~(3+)粉体的影响

利用草酸沉淀法制备Y2O3:Eu3+粉体,研究表面活性剂PEG对Y2O3:Eu3+氧化物的形貌、分散性、粒径分布及粒度的影响;对加与不加表面活性剂制得的Y2O3:Eu3+粉体作了对比评价。结果表明:在反应体系中添加1%-2%分子量为40000的PEG,所得Y2O3:Eu3+粉体的粒度更细、分布更窄,可更好地满足荧光粉生产的需要。     

表面活性剂PEG对草酸沉淀法制备Y2O3:Eu3+粉体的影响

利用草酸沉淀法制备Y2O3：Eu^3 粉体，研究表面活性剂PEG对Y2O3：Eu^3 氧化物的形貌、分散性、粒径分布及粒度的影响；对加与不加表面活性剂制得的Y2O3：Eu^3 粉体作了对比评价。结果表明：在反应体系中添加1％-2％分子量为40000的PEG。所得Y2O3：Eu^3 粉体的粒度更细、分布更窄，可更好地满足荧光粉生产的需要。