纳米MOSFET迁移率解析模型

从玻尔兹曼方程出发，重新计算了纳米MOSFET沟道内的载流子所服从的分布函数，特别是考虑了纳米MOSFET横向电场和纵向电场之间的相互作用，并且以得到的非平衡状态下的分布函数为基础，考虑载流子寿命和速度的统计分布，给出了纳米MOSFET载流子迁移率的解析表达式.通过与数值模拟结果进行比较和分析，该迁移率解析模型形式简洁、物理概念清晰，且具有相当精度. 关键词： 玻尔兹曼方程 纳米MOSFET 迁移率 沟道有效电场     

考虑量子化效应的MOSFET阈值电压解析模型

根据改进后的三角势阱场近似，并考虑量子化效应，提出了一种基于物理的阈值电压解析模型，给出了MOSFET的阈值电压解析表达式，并与经典理论和数值模拟结果进行了比较. 关键词： 量子效应 阈值电压 反型层 表面势     

范德華引力問題——Ⅴ.晶体中的三离子作用能和誘導作用能

在范德华引力問題Ⅲ(孙家鍾、蔣栋成、周木易1959)一文中,我們曾經应用量子力学,分析了离子間的相互作用能,得到了一級攝动等于离子間庫伦作用能的总和,二級攝动是离子間的色散作用能、誘导作用能和三离子作用能的总和。但是在前人計算晶格能时,除去考虑了庫伦作用能、色散作用能、电子云重叠的排斥能和晶格的零点振动能外,忽略了三离子作用能和誘导作用能,然而这两項作用能都是从1/R~4作用項开始,如果     

双笼羰基化合物C120CO的理论研究

用INDO系列方法对双笼化合物C₁₂₀CO进行了理论研究,结果表明,C₁₂₀CO中O具有较大的电负性,在此位置可形成氢键.分子内电荷转移较大,非线性光学系数可能较大.C₁₂₀CO的电子光谱与C₁₂₀CH₂和C₁₂₀O的相似.     

过渡金属复合氧化物电子组态与表面光伏响应的关系(Ⅰ)──M(Ⅱ)铁酸盐(M=Cu,Co,Ni)的研究

利用表面光电压谱及场诱导表面光电压谱研究了部分过渡金属复合氧化物的电子组态与其光伏响应的关系.结果表明,在过渡金属M(M＝Cu,Co,Ni)铁酸盐系列样品中,开壳层的Cu(Ⅱ)(铁酸盐)和CO(Ⅱ)(铁酸盐)的电荷转移跃迁(CT)具有双激发态的成分,其中含有较强的低能电子跃迁;与它们相比,闭壳层的Ni(Ⅱ)铁酸盐的CT跃迁则需要较大的能量.三者的FISPS证实了它们具有不同的CT跃迁性质,为其催化反应机理研究提供了微观信息.     

乙烯酮自由基(HCCO·)与氧气(O2)反应势能面的理论研究

在G2(B3LYP／MP2／CC)水平上对反应HCCO O2进行了计算,得到了反应势能面,提出了3种可能的反应机理：(1)四元环反应机理得到产物P1(HCO CO2);(2)三元环反应机理得到产物P2(CO HCO2);(3)O-O键断裂反应机理得到产物P3(O OCC(O)H)和P4(O CO HCO)．由反应势能面推测产物P1(HCO CO2)为主要产物,产物P2(CO HCO2),P3(O OCC(O)H)P4(O CO HCO)为次要产物．     

直链分子的平均长度一般公式和平均半径

引言本文作者(孙家钟,1956)曾经得到过直链分子平均长度的一般公式,当内旋转势函数是偶函数时,由这个公式出发可以推导出所有前人的结果,考虑到内旋转势函数是旋转角的任意函数时,我们所得到的结果与前人的比较是稍有出入的.针对这个问题,本文得到一个可以用来计算内旋转势函数是旋转角任意函数的,任何结构的直链分子平均长度公式,并且用起来比较方便,避免了繁复的计算.由     

^29SiNMR测定含氢硅油中Si—H键含量

聚二甲基甲基氢化硅氧烷(简称含氢硅油)是一类反应性有机硅聚合物。这类聚合物中含有的si—H键十分活泼,其化学性质在有机硅工业中十分有用,如合成不同类型的硅油、有机硅树脂、硅橡胶、改性有机硅表面活性剂等。     

Jahn－Teller变形后C60－的结构和电子光谱

用INDO系列方法对C₆₀^－进行几何构型优化,得到D_3d对称性的构型,表明C₆₀^－确实发生了Jahn-Teller畸变,导致单键变短,双键变长,形成10种键,6种不等同碳原子,并以此构型为基础,计算了C₆₀^－的电子光谱,与实验结果吻合;同时对光谱进行了理论指认;最后对C₆₀^－的3种构型：D_5d,D_3d,D_2h的几何构型、能量、光谱和反应特性进行了分析、比较和总结。     

孪函数N电子基向Slater多电子反对称基的展开

发展了一套孪函数多电子基向Slater行列式的展开方法,并得到展开系数的解析表达式,使得孪函数多电子基直接与Hartree-Fock从头计算相关联.