西藏南部羊应乡后碰撞火山岩40Ar/39Ar年龄及其地质意义

通过西藏羊应乡地热田4个高钾火山岩样品进行的快中子40Ar/39Ar 阶段升温定年结果,并结合其岩石地球化学研究数据,确定该地热田后碰撞火山作用发生在(10.73±0.09)～(11.40±0.11)Ma之间,形成与加厚下地壳,构造环境与岩石圈地幔减薄有关.通过对青藏高原南部冈底斯地区新近纪火山岩同位素年龄的展布的进一步分析,认为后碰撞高钾火山岩在该区广泛存在,并有由西向东逐渐年轻的趋势.     

低效纳米孔晶体硅太阳电池性能研究

晶体硅太阳电池生产中,降低表面反射率能够提高太阳电池短路电流和转换效率.纳米孔硅的表面反射率极低,但报道中所实现的太阳电池输出参数(开路电压、短路电流、填充因子)都低于金字塔结构表面.采用对比法从光学性能、表面微结构和电极接触上对纳米孔硅和金字塔太阳电池进行比较分析,来研究纳米多孔硅太阳电池转换效率的抑制因素.研究表明短时间腐蚀的纳米孔硅太阳电池表面沉积氮化硅钝化膜后的平均反射率提高.长时间腐蚀的纳米孔硅表面沉积氮化硅后在短波段的反射率极低,因此平均反射率小于金字塔结构表面.但是由于纳米孔硅太阳电池的表面复合率高,而孔壁上附着的毛刺不仅会进一步增大表面复合,还会削弱表面钝化效果,因此短波段激发的光生载流子难以被太阳电池利用.所以,光利用和表面复合是抑制纳米孔硅太阳电池开路电压和短路电流的原因,而过大的串联电阻是纳米孔硅太阳电池短路电流和填充因子低的另一个原因.     

太阳电池中新腐蚀液实现纳米黑硅表面的一步腐蚀制备

通过引入添加剂,调节腐蚀溶液的pH值,实现了一步法制备黑硅表面. 在取得低表面反射率的同时,减小了黑硅层的腐蚀深度,对于16 min腐蚀的黑硅层,其表面加权平均反射率可达5%(300～1200 nm),但腐蚀深仅约为200 nm. 减小腐蚀深度能够降低黑硅太阳电池的表面复合速率,从而提高太阳电池性能,尤其是开路电压及填充因子. 以新腐蚀液制备的黑硅为衬底,在常规太阳电池产线上制备大面积p-Si黑硅太阳电池,实现了15.63%的转换效率,具有高的开路电压(624.32 mV)和填充因子(77.88%),改进了大面积黑硅太阳电池的性能.     

Effect of PECVD SiN_x/SiO_yN_x–Si interface property on surface passivation of silicon wafer

It is studied in this paper that the electrical characteristics of the interface between Si O_y N_x/Si N_x stack and silicon wafer affect silicon surface passivation. The effects of precursor flow ratio and deposition temperature of the Si O_y N_x layer on interface parameters, such as interface state density Ditand fixed charge Qf, and the surface passivation quality of silicon are observed. Capacitance–voltage measurements reveal that inserting a thin Si O_y N_x layer between the Si N_x and the silicon wafer can suppress Qfin the film and Ditat the interface. The positive Qfand Ditand a high surface recombination velocity in stacks are observed to increase with the introduced oxygen and minimal hydrogen in the Si O_y N_x film increasing. Prepared by deposition at a low temperature and a low ratio of N_2O/Si H_4 flow rate, the Si O_y N_x/Si N_x stacks result in a low effective surface recombination velocity(Seff) of 6 cm/s on a p-type 1 ?·cm~(–5) ?·cm FZ silicon wafer.The positive relationship between Seffand Ditsuggests that the saturation of the interface defect is the main passivation mechanism although the field-effect passivation provided by the fixed charges also make a contribution to it.     

西藏南部岩体裂变径迹年龄与高原隆升

对西藏南部拉萨和山南地区4个花岗岩岩体的磷灰石和锆石的裂变径迹年龄测定表明,磷灰石的裂变径迹年龄都集中于3.2～8.3 Ma,该段时间内岩体的隆升速率为0.12～0.20 mm@a-1,隆升的高度仅为580 m,青藏高原南部隆升速率小,没有发生大规模隆升.拉萨岩体锆石的裂变径迹年龄为(25.9±1.7)Ma和(32.7±2.8)Ma,在约26～33 Ma期间隆升速率为0.08 mm@a-1.综合分析表明,西藏南部在印度与欧亚大陆发生碰撞开始到3 Ma期间的平均隆升速率都比较低,高原隆升应是不等速、阶段性的.     

西藏南部羊应乡后碰撞火山岩40Ar/39Ar年龄及其地质意义

通过西藏羊应乡地热田 4个高钾火山岩样品进行的快中子4 0 Ar/39Ar阶段升温定年结果 ,并结合其岩石地球化学研究数据 ,确定该地热田后碰撞火山作用发生在 (10 .73± 0 .0 9)～ (11.4 0±0 .11)Ma之间 ,形成与加厚下地壳 ,构造环境与岩石圈地幔减薄有关 .通过对青藏高原南部冈底斯地区新近纪火山岩同位素年龄的展布的进一步分析 ,认为后碰撞高钾火山岩在该区广泛存在 ,并有由西向东逐渐年轻的趋势 .