安徽省中小学学校体育发展探析

运用文献资料法、专家访谈法、问卷调查法、数理统计法等,在对安徽省中小学学校体育现状进行调查的基础上,通过分析研究,提出安徽省中小学学校体育发展的具体战略措施,为省教育主管部门宏观决策提供依据.     

含集中质量悬臂输流管的稳定性与模态演化特性研究

本文主要研究通过调控集中质量对悬臂输流管稳定性和振动模态特性的影响规律,为输流管动力学性能的可控性提供理论指导和实验依据. 首先基于扩展的哈密顿原理,建立了含集中质量悬臂输流管的非线性动力学理论模型. 基于线性动力学特性分析,研究发现集中质量沿管道轴向位置变化对输流管发生颤振失稳的临界流速有重要影响.并通过伽辽金前四阶模态截断处理线性矩阵方程式,定性地分析了集中质量位置与质量比的变化对于输流管稳定性影响的变化.实验结果表明, 输流管的颤振失稳模态随集中质量位置的变化发生了转迁. 此外,基于动力学理论分析, 发现集中质量比值对失稳临界流速也有重要的影响,且主要取决于集中质量的安装位置. 基于非线性特性,进一步分析了集中质量对输流管振动幅值的影响. 实验和理论研究发现,集中质量位置从固定端向自由端变化时, 输流管振幅表现出先增大后减小趋势,且振动模态也从二阶转迁到三阶.本研究有望为输流管振动驱动应用提供理论支撑与指导意义.      

榔坪2号隧道大型充填溶洞处理措施研究

宜万线共有隧道159座,约占线路总长度的59%,其中多数隧道穿越碳酸盐岩地层,岩溶极其发育。本文以宜万铁路榔坪2号隧道为背景,提出结合施工期间超前地质预报和监控量测工作,选取合理有效的超前支护措施,采用桩基承台、桩基托梁等隧底加固方案,重点解决了该隧道DK96＋600～700段大型充填溶洞的塌方、突水突泥及不均匀沉降等问题。     

冷等离子体在聚合物化学中的应用

等离子体化学是等离子体技术与化学相互渗透结合而产生的一门新兴学科.借助等离子体中的能量粒子和活性成份所产生的物理和化学过程、引发单体聚合、处理固体表面和沉积薄膜,从而获取新材料和开发老材料,是近十多年来引入注目的方面.也是等离子体化学的主要组成部分--聚合物化学.     

基于"以学生为中心"理念的有机化学互动教学

探索了有机化学课程讲授过程中以学生为中心的互动教学模式,从人名反应学生自主授课设计思路及发展过程、学生授课评价体系、学生答疑团队及答疑qq群的建立等3个方面介绍了互动教学模式的设计方式及优势。结果表明,该教学方法除了可以提升学生学习兴趣及成绩,对学生综合能力和素质的提升也具有积极的作用。     

VB连接SQL Server数据库的方法探讨

本文讨论了Visual Basic应用程序访问SQL Server数据库的几种常用的方法，分别说明了每种方法的内部机理并给出了每种方法相关应用，最后比较了每种方法性能和优缺点。     

等离子体化学

等离子体化学是六十年代等离子体技术应用于化学领域而形成的一门新兴交叉学科。它建立在放电物理、放电化学、反应工程学和真空技术等基础学科之上,主要研究等离子体中化学反应原理、过程、产物结     

液态UF树脂/木质单元复合板坯的常温导热系数

为了研究人造板板坯的导热性能,采用准稳态平板法,测试了木材纤维和稻草刨花两种板坯在载胶状态下(UF树脂施加量为10%,以绝干纤维或刨花为基础)的导热系数,研究了试验板坯目标密度(0.6、0.7、0.8和0.9 g/cm3)和含水率(木材纤维:10%、15%、20%、25%和30%;稻草碎料:10%、15%和20%)对板坯导热系数的影响。结果表明:在试验目标密度和含水率条件下,木材纤维板和稻草刨花板板坯的导热系数分别为0.231 5～0.523 6 W/(m.K)和0.260 4～0.344 6 W/(m.K);板坯导热系数随密度增大和含水率提高而递增,含水率对木材纤维板板坯导热性能的影响比对稻草板板坯的显著;在板坯含水率低于20%时,稻草板板坯的导热性能普遍优于木材纤维板板坯。     

A low specific on-resistance SOI MOSFET with dual gates and a recessed drain

A low specific on-resistance(Ron,sp) integrable silicon-on-insulator(SOI) metal-oxide semiconductor field-effect transistor(MOSFET) is proposed and investigated by simulation.The MOSFET features a recessed drain as well as dual gates,which consist of a planar gate and a trench gate extended to the buried oxide layer(BOX)(DGRD MOSFET).First,the dual gates form dual conduction channels,and the extended trench gate also acts as a field plate to improve the electric field distribution.Second,the combination of the trench gate and the recessed drain widens the vertical conduction area and shortens the current path.Third,the P-type top layer not only enhances the drift doping concentration but also modulates the surface electric field distributions.All of these sharply reduce Ron,sp and maintain a high breakdown voltage(BV).The BV of 233 V and Ron,sp of 4.151 mΩ·cm2(VGS = 15 V) are obtained for the DGRD MOSFET with 15-μm half-cell pitch.Compared with the trench gate SOI MOSFET and the conventional MOSFET,Ron,sp of the DGRD MOSFET decreases by 36% and 33% with the same BV,respectively.The trench gate extended to the BOX synchronously acts as a dielectric isolation trench,simplifying the fabrication processes.