TCNQ/C_(60)及MB-PPV/C_(60)等组合薄膜的拉曼光谱

ＴＣＮＱ／Ｃ６０及ＭＢ┐ＰＰＶ／Ｃ６０等组合薄膜的拉曼光谱钱江单福凯钱士雄魏彦峰黄大鸣华中一（复旦大学物理系上海２００４３３）ＲａｍａｎＳｐｅｃｔｒａｏｆＴＣＮＱ／Ｃ６０ａｎｄＭＢ┐ＰＰＶ／Ｃ６０ＣｏｍｂｉｎａｔｉｏｎＦｉｌｍｓＱｉａｎＪｉａｎｇ，Ｓ...     

二维光子晶体分束器和偏转器

针对二维光子晶体在光束调整和光束偏转中的应用,采用平面波展开法、二维有限时域差分法和完全匹配层吸收边界条件,从理论上研究了二维方形光子晶体结构中TM模式的自准直现象.通过分析光子晶体的能带结构和等频图,基于二维光子晶体的自准直效应和光子带隙,对光波在二维光子晶体中的传播特性进行了讨论.数值计算表明,通过在合适的方向引入不同的线缺陷,可以实现自准直光束的1×2和1×3分束以及光束偏转.最后讨论了透射光束和偏转光束的能量随线缺陷半径的变化关系.所设计的器件极大地扩展了光子晶体在高密度光学集成电路中的应用.     

溅射气压对ZnO薄膜的影响

采用射频磁控溅射的方法,通过改变溅射气压,在玻璃衬底上沉积出具有C轴择优取向的ZnO薄膜。用X射线衍射仪（xRD）、扫描电子显微镜（SEM）和原子力显微镜（AFM）对不同溅射气压下ZnO薄膜的结构、断面和表面形貌进行研究分析。结果表明,随着溅射气压的降低,ZnO薄膜的（002）取向增强,薄膜的厚度增加,沉积速率加快,氧化锌薄膜的沉积速率从4nm／min升高到21nm／min。在溅射压强为2．5Pa时制备的ZnO薄膜粗糙度最小,大小为5．45nm。     

热处理温度和气氛对BiFeO_3陶瓷物相的影响

用溶胶凝胶法制备了BiFeO3前驱体,经不同温度(500~800℃)、不同气氛(O2和N2)煅烧得到了BiFeO3粉体,并在O2或N2气氛条件下烧结制备了BiFeO3陶瓷。用X射线衍射对比研究了不同气氛条件下BiFeO3陶瓷的物相组成。结果显示,在O2或N2中700℃煅烧的BiFeO3粉体在N2中800℃烧结可以得到纯相的BiFeO3陶瓷。实验表明BiFeO3粉体的煅烧温度及烧结过程中采用的气氛对BiFeO3陶瓷的物相组成有重要影响。     

Highly c-Oriented Nanocolumn Structure ZnO Films on Sapphire Substrates by Pulsed Laser Deposition

Highly c-oriented nanocolumn structure ZnO films were successfully deposited on sapphire (0001) substrates by pulsed laser deposition at a substrate temperature of 500℃ and 200mTorr oxygen pressure. X-ray diffraction, scanning electron microscopy, photoluminescence, and spectroscopic ellipsometry were used to characterize the     

溶液法制备的高k Y_2O_3薄膜电学性质分析

<正>近年来,原来占据主流地位的介电材料SiO2已经被高介电常数(高k)材料(HfO2,ZrO2,Y2O3,Al2O3,etc)代替。高k材料能在减小漏电流密度的同时增大电容密度使AOS TFTs具有较低的阈值电压,较小的亚阈值摆幅和较高载流子迁移率[1]。迄今为止,在应用于AOS TFTs器件的介电材料中,Y2O3是最好的选择,因其具有良好的热稳定性和化学稳定性,较低的漏电流,较高的反射系数(~2),较宽的禁带宽度     

退火温度对氧化铝薄膜性质的影响

<正>随着集成电路中晶体管特征尺寸的逐渐减小,目前场效应晶体管栅介质SiO2的厚度已经减小到纳米量级,隧道效应产生的较大漏电流使得SiO2栅介质丧失了良好的绝缘效果[1]。由于高介电常数材料(高k材料)可以在保持电容密度不变的同时增大栅介质的物理厚度[2,3],因此使用高k材料替代SiO2作为栅介质层是目前最有希望解决此问题的途径。为维持半导体产业继续依照摩尔定律向前发展,高k栅介质层已经成为当前的研究热点[4,5]。在众多的高k材料中,Al2O3因具有良好的综合性质而倍受瞩目,如高的介电常数     

多层介质膜光栅用高反射镜的严格耦合波分析

基于严格耦合波和增强透射矩阵的方法,提出了一种数值稳定的求解多层介质膜光学特性的机理模型.利用该模型计算了多层介质膜光栅用高反射镜的优化设计膜系.使用电子束热蒸发方式制备的多层介质膜光谱特性和理论设计的结果符合得很好,该严格耦合波模型是分析介质膜光学特性有效的稳定的数值求解方法.