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介绍一种用电致发光(EL)屏兑现Hopfield神经网络的方法,并且描述和讨论它的结构,工作原理以及应用。 相似文献
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本工作考虑薄膜散射的影响,引入薄膜逆散射因子β,推导出薄膜基底系统和基底的透射比T=[P(n_f,β)+Q(n_f)sin2δ/2]~((-1)设计由透射比测定薄膜光学常数的计算程序;定义薄膜准填充系数P_f≡n_f/n_m从实验上确定ZnS的P_f与波长无关,从而简化了ZnS薄膜色散关系的计算法。改进后的分光光度法,简单、可靠、精度高。 相似文献
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Itisinrecentyearsthatthedamagemechanicsissuccessfulinstudyingthefatigueproblems.Thekeytothismethodistodefineanappropriatedamagevariablewhichhasaclearphysicalmeaningandshouldbemeasuredbyasimpleexperimentalprocedure,andthevariablecanbeusedtoestablished… 相似文献
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为研究ZnS中稀土杂质的光学行为,以单质Er掺杂制成ZnS:Er~(3 )薄膜交流场致发光器件。对其发射光谱、亮度—电压特性及极化效应等进行观测。结果表明:Er~(3 )虽处在不同的晶体环境中,但所得光谱位置却基本一致,只是相对峰值不同。亮度—电压logB~1/V~(1/2)曲线表明Er~(3 )中心的激发为电子碰撞激发,根根亮度与电压的关系可认为器件中存在非单一深度的陷阱。器件在单向脉冲作用下呈现亮度递减的现象,可用极化效应解释。 相似文献
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Hopfield神经网络的改进 总被引:9,自引:2,他引:9
提出一个改进的Hopfield神经网络模型,其连接矩阵的对角元T_n=1,同时根据大量的计算机模拟实验并从神经网络的系统能量出发,计算和分析T_n=1及T_n=0两种Hopfield神经网络的各存储样本所处能量状态的分布情况,及其与各存储样本的稳定性和纠错能力的关系,指出改步的Hopfield神经网络其容量和纠错能力均比T_n=0的Hopfield神经网络强。 相似文献