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1.
刘玉真  聂新永 《分析化学》2006,34(3):365-366
建立了戊四硝酯粉含量及有关物质的RP-HPLC测定法。采用ODS色谱柱,甲醇/水(70∶30)为流动相,使戊四硝酯与有关物质基线分离,二极管阵列检测器检测波长206nm。本方法操作简便,重现性好。  相似文献   
2.
本文研究了超越函数方程f(2z)=2f′(z)f(z)解的问题,在假定函数f(z)有任意阶连续导数(或解析)时,给出了方程的全部解。  相似文献   
3.
采用密度泛函理论中的广义梯度近似(generalized gradient approximation, 简称GGA),对内掺氢分子富勒烯H2@C60及其二聚体的几何结构和电子结构进行了计算研究.发现无论是在H2@C60单体,还是在其二聚体中,氢倾向以分子形式存在于碳笼中心处,且在室温下氢分子可以做自由旋转.电子结构分析表明,氢分子掺入到C60和C120中,仅对距离费米能级以下-8eV至-5eV能级处有一定的贡献,其他能级的分布和能隙几乎没有变化.  相似文献   
4.
应用含时密度泛函理论研究了SiN团簇低能激发态的性质.将计算结果与前人已有的计算结果进行了比较,此外还根据计算得到的低能激发能对SiN-阴离子的光电子能谱进行了理论指认.研究表明,SiN-阴离子的基态为1Σ态,而光电子能谱上的X峰和A峰分别对应于1Σ→2Σ和1Σ→2Π的跃迁.研究结果还表明,用含时密度泛函的方法来处理激发态的问题是成功的. 关键词: 团簇 光电子能谱 基态 激发态  相似文献   
5.
办公室内一封信静静地躺在办公桌上。我快步走过去,拿起一看,喔,是我的得意弟子张山(本文中所涉及的学生皆为化名)寄来的。  相似文献   
6.
采用密度泛函理论(density functional theory, DFT)方法对具有Ih和D5h对称的三金属氮化物富勒烯Sc3N@C80的几何结构、电子结构及其磁学特性进行了计算研究.几何结构优化显示掺杂Sc3N之后,C80的结构只是发生了细微的变化,仍然保持了Ih和D5h对称性.能级图和局部态密度图表明Sc原子对能级的变化贡献最大,掺杂之后能隙增加,简并度下降,增强了两种异构体的稳定性.磁学特性分析指出掺杂之后,Sc3N的磁性完全淬灭,两种异构体均没有磁矩,都不能作为磁性材料.  相似文献   
7.
桂利嗪原料药及有关物质的HPLC分析   总被引:2,自引:0,他引:2  
建立了桂利嗪原料药及有关物质的高效液相色谱测定法,采用C18柱和二极管阵列检测器,检测波长为254 nm,样品中各成分的分离度及检出灵敏度完全满足有关物质限度的测定要求,最低检出限为0.02%(质量分数),方法简单、专属,能有效控制产品质量。  相似文献   
8.
采用工业PDMDAAC改性膨润土,制备一系列无机-有机复合体,用来处理各种染料废水,试验了处理不同染料废水的最佳条件和影响因素,探讨了无机-有机复合体对不同废水的脱色效果以及脱色机理.研究结果表明,无机-有机复合体对活性染料的处理效果优于分散染料,达最佳处理效果的投加量、时间和pH均不相同;与模拟染料废水相比,处理实际印染废水的效果稍差,但与活性炭、原膨润土和PDMDAAC溶液比较,处理效果仍有较大的提高,机理探讨表明,有机-无机复合体与染料分子之间的作用为表面吸附作用.  相似文献   
9.
采用密度泛函理论(DFT)中的广义梯度近似(GGA)方法对M@C_(20)H_(20)(M=Sc,V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni)几何结构和电子性质进行了计算研究.几何结构优化发现,过渡金属原子M内掺到C_(20)H_(20)笼时,都稳定于碳笼中心.能隙和内掺能计算发现,M@C_(20)H_(20)的热力学稳定性随着M原子序数的增大而逐渐减弱,内掺M原子使得其动力学稳定性大幅度下降,但是其中Ni@C_(20)H_(20)结构仍然具有良好的热力学和动力学稳定性,其有望在实验中被成功合成出来.电子性质研究发现,随着M原子序数的逐渐增大,M原子对M@C_(20)H_(20)前线轨道的贡献也越来越大,M@C_(20)H_(20)(M=Sc,V,Cr,Mn,Fe,Co)都具有一定的磁矩,而Ni@C_(20)H_(20)为闭壳层结构,磁矩为零.  相似文献   
10.
The structural and electronic properties of the 0.5 ML-terminated allyl mercaptan (ALM)/Si(IO0)-(2 x 1) surface are studied using the density functional method. The calculated absorption energy of the ALM molecule on the 0.5 ML-terminated ALM/Si(IO0)-(2 x 1) surface is 3.36eV, implying that adsorption is strongly favorable. The electronic structure calculations show that the ALM/Si(IO0)-(2 x 1), the clean Si(100)-(2 x 1), and the fully-terminated H/Si(IO0)-(2 ~ 1) surfaces have the nature of an indirect band gap semiconductor. The highest occupied molecular orbital is dominated by the ALM, confirming the mechanism proposed by Hossain for its chain reaction.  相似文献   
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