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可变运动副作为变拓扑机构改变拓扑结构的关键所在,其结构设计是变拓扑机构构型综合的难点.基于可变运动副拓扑变化方式的研究,构建可变运动副设计目录,用于可变运动副的结构设计.分别针对可变运动副的改变轴线方位、改变数目和改变类型等三类拓扑变化过程,分析可变运动副的约束变化特征,并采用运动副约束函数的算术运算进行描述.在归纳设计可变运动副结构形式的基础上,对可变运动副拓扑变化方式、约束变化特征和对应结构等设计信息进行分类和汇编,构建可变运动副设计目录.应用实例表明,采用可变运动副设计目录,能快速有效地设计可变运动副结构,为含可变运动副的变拓扑机构构型综合提供了方便. 相似文献
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超宽带技术(UWB,ultra—wide band)是一种与其他技术有很大不同的无线通信新技术,它具有信道容量大,抗干扰能力强,结构相对简单,保密性能较佳的优点,有很强的市场竞争力和很好的发展前景。本文重点介绍了UWB的基本概念,基本原理。从理论上解释了UWB的实现方式,以及技术基础。此外,本文还从多个方面介绍了UWB的特点,以及UWB在无线通信领域的最新应用,在这个基础上又对该技术的前景做了展望。 相似文献
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在机械产品开发设计中,机构综合主要依靠工程经验和机构学知识,普遍存在创新随机性大、创新方案少等问题.本文利用创新成果产生的宝贵资源专利进行机构综合创新,提出了采用TRIZ功能裁剪法对专利信息进行利用、采用设计目录方法对设计方案进行穷举和遍历、对有效专利进行合理规避的新思路,构建了基于功能裁剪法和设计目录的机构综合再创新程序化过程模型,通过实例应用,裁剪现有专利进行机构综合,提出了大量规避他人专利的创新方案,证明了采用该过程模型进行概念创新设计的可操作性和有效性. 相似文献
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基于冲突分析的工程车路面除雪装置创新研究 总被引:1,自引:0,他引:1
针对目前国内路面除雪装置性能不足的问题,提出将TRIZ理论运用到除雪装置的进化研究中来解决除雪装置开发设计中存在的冲突.分析了目前国内路面除雪装置存在的问题,找到制约除雪装置进化的内在冲突,并运用TRIZ理论中的通用技术特性参数进行描述.根据冲突的特点,将路面除雪装置存在的冲突分为技术冲突和物理冲突.分别利用冲突矩阵和... 相似文献
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随着医疗体制改革的进一步深化,国家对医院资金的投入越来越少,在激烈的市场竞争环境下,医院在注重社会效益的同时,还必须讲求经济效益,因此医院必须转变管理理念,加强内部控制,才能获得长期稳定发展。本文从目前医院内部控制存在的问题出发,提出了进一步加强医院内部控制的相关措施。 相似文献
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DC and analog/RF performance of C-shaped pocket TFET (CSP-TFET) with fully overlapping gate
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Zi-Xin Chen 《中国物理 B》2022,31(5):58501-058501
A C-shaped pocket tunnel field effect transistor (CSP-TFET) has been designed and optimized based on the traditional double-gate TFETs by introducing a C-shaped pocket region between the source and channel to improve the device performance. A gate-to-pocket overlapping structure is also examined in the proposed CSP-TFET to enhance the gate controllability. The effects of the pocket length, pocket doping concentration and gate-to-pocket overlapping structure on the DC and analog/RF characteristics of the CSP-TFET are estimated after calibrating the tunneling model in double-gate TFETs. The DC and analog/RF performance such as on-state current (Ion), on/off current ratio (Ion/Ioff), subthreshold swing (SS) transconductance (gm), cut-off frequency (fT) and gain-bandwidth product (GBP) are investigated. The optimized CSPTFET device exhibits excellent performance with high Ion (9.98×10 - 4 A/μm), high Ion/Ioff (~ 1011), as well as low SS (~ 12 mV/dec). The results reveal that the CSP-TFET device could be a potential alternative for the next generation of semiconductor devices. 相似文献
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刘江南 《西安工程科技学院学报》2011,25(2)
为做好学校"十二五"发展规划,针对大学规划制订中忽视环境复杂多变性造成的问题,提出审时度势,强化环境分析,科学制订学校"十二五"发展规划的基本思路;并结合学校具体实际,系统论述了学校发展面临的纺织行业发展趋势、陕西地区经济社会环境和高等教育发展态势等外部环境,梳理了学校自身发展内部环境中优劣势的现状分析思路.提出了群策群力,科学制订"十二五"发展规划的要求. 相似文献
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