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1.
2-杂萘满并喹啉衍生物的合成及其抑菌活性刘永军,刘英(曲阜师范大学化学系曲阜273165)关键词杂萘满酮,合成,抑菌活性在2-杂萘满酮的化学结构,最常见的杂原子为O、S、N,分别俗称异色满酮、硫代异色满酮、异喹啉酮.自然界中的许多天然或代谢产物如卡拉... 相似文献
2.
用扫描电镜对转BADH基因水稻52—7及其受体亲本中8第三叶表面气孔器进行了比较观察。发现了52—7气孔器形态、气孔器乳突及某些气孔性状发育不全的现象;叶缘、叶腹面和叶基部气孔器的乳突及气孔器蜡质的发育分别早于和快于叶中、叶背面和其它部位;52—7不同部位气孔器乳突数的多少、气孔器乳突的位置及气孔器蜡质的发育情况与BADH基因的转入无关,而叶缘和叶中气孔器乳突数的差异及明显的边缘效应优势与BADH基因的转入有关。 相似文献
3.
测试了D-葡萄糖和L-苯丙氨酸在37℃,pH 6.5的条件下反应1~35 d所得Maillard反应产物的颜色强度,研究了溶剂水分含量以及金属离子Fe2+,Cu2+对D-葡萄糖和L-苯丙氨酸模式Maillard反应体系的影响.结果表明:在本实验条件下模式体系Maillard反应速率和体系水分含量成反比关系,随着水分含量的降低反应速率逐渐升高;金属离子Fe2+,Cu2+能促进模式体系Maillard反应,有效缩短反应时问,并且随着金属离子浓度的增加其催化作用先增强后减小;当Fe2+,Cu2+的浓度为0.2 mmol/L时,其催化作用最强,并且Cu2+的催化作用大于Fe2+. 相似文献
4.
平行排列液晶器件的波前调制特性 总被引:18,自引:17,他引:1
设计了一种新型的平行排列液晶相位调制器(LC PM),可在纯相位的模式下进行相位调制,研究了液晶相位调制器的光学特性,理论上给予了分析.对畸变波前进行了调制,在1 cm2的校正面积上,调制后的准确度PV(peak to valley)值接近λ/15(λ=0.6328 μm),RMS(Root Means Square)可达到λ/100,斯特列尔比SR (Strehl Ratio)达到0.989.改变了传统的扭曲向列液晶器件难于进行纯相位调制和得到高准确度调制的缺点,达到了理想的效果. 相似文献
5.
采用ICP-AES法对生长在同一区域内的白刺与枸杞根茎中的8种微量元素的含量进行了分析测定。结果表明,两种植物根茎中8种元素含量丰富,并且差异明显,为以后的开发利用提供了基础数据。 相似文献
6.
7.
8.
近年来,紧束缚模型方法被广泛应用于计算生物大分子体系.本文从第一性原理出发,根据紧束缚近似的思想,推导出生物大分子体系中的单电子运动方程.在此基础上给出了紧束缚模型方法中所涉及参数(在位能和迁移积分)的计算公式,在理论上完善了紧束缚模型方法.我们将所提出的参数化方法应用于理想B型DNA分子,给出了各种序列组合下的在位能和迁移积分.此外,我们还计算了周期性DNA分子poly(A)-poly(T)和poly(G)-poly(C)中空穴在位能和迁移积分随格点间距离的变化,为改进现有的SSH极化子模型提供了新的思路,有助于DNA中电荷输运的极化子机理的研究. 相似文献
9.
新型双重电荷转移分子的二阶非线性光学性质的 理论研究 总被引:7,自引:0,他引:7
以INDO/SCI方法为基础,按完全态求和(SOS)公式编制了计算分子二阶非线性光学系数β~i~j~k和β~μ的程序。研究了1,2-二氨基-4,5-二硝基苯1和其异构体1,3-二氨基-4,6-二硝基苯2的电子光谱和二阶非线性光学性质。计算表明分子1具有与分子2几乎相等的二阶非线性极化率。但由于分子1的偶极矩明显大于分子2的,故分子1的μβ值比分子2的μβ值大的多。在此基础上,研究了2,3-二(β-苯乙烯基)-5,6-二氰基吡嗪和2,3-二(β-噻吩乙烯基)-5,6-二氰基吡嗪和2,3-二(β-噻吩乙烯基)-5,6二氰基吡嗪衍生物的电子光谱和二阶非线性光学性质。结果表明,这些化合物均具有两个相距很近的强吸收峰,它们对β值的呈加和模式。由于这类化合物特征吸收峰均位于413nm以下且具有大的μβ值,所以,它们是一类很有前途的二阶非线性光学候选材料。 相似文献
10.
基于密度泛函理论研究了H2S、HCN、PH3 在FeO(100)表面的吸附行为,其吸附位点主要考虑四个:Fe-top(铁顶位)、O-top(氧顶位)、Hollow(空位)、Bridge(桥位)。结果表明H2S吸附在O-top吸附位点的吸附能最小,为-1.02ev,即在该位点的吸附体系最稳定。当HCN吸附在FeO(100)表面时,各吸附位点的稳定顺序为Hollow>Fe-top>Bridge>O-top。PH3 的最稳定的吸附位点与H2S的一致,为O-top吸附位点,其吸附能为-1.11ev。当H2S吸附在O-top吸附位点时,H2S与FeO(100)表面的电荷转移量最多,说明该吸附构型最稳定,而HCN吸附在FeO(100)表面,在Hollow吸附位点的电荷转移量最多,也即该吸附位点属于最稳定吸附位点。PH3与FeO(100)表面之间的电荷转移量最多的吸附位点与H2S的相同。当H2S和PH3吸附在O-top吸附位点时,吸附后的态密度曲线整体向低能级移动,峰值降低,其吸附结构变得更加稳定。而HCN吸附在Hollow位点时,吸附后的HCN态密度曲线向能量更低的区域移动,吸附体系变得更稳定。 相似文献