Ir(III)螯合物催化醚的硅氢化反应中负氢来源的机理研究

采用DFT方法对Ir（Ⅲ）螯合物催化乙醚硅氢化生成乙烷和乙基硅醚的反应展开理论研究.反应中[H-Ir-H]，[H-Ir-Si]，[Ir（HSiEt₃）]和[Et₃Si-Ir-（H）₃]化合物均为可能的负氢来源.理论研究表明[H-Ir-H]化合物是最优势的负氢来源.通过扭曲-相互作用能分析，发现其他三种可能的负氢来源不优势的原因在于HSiEt₃或SiEt₃基团对铱中心的络合.更为重要的，我们发现[H-Ir-H]化合物中适中的Ir-H键解离能，小位阻以及SiEt₃对醚的络合而产生的促进作用共同使得[H-Ir-H]化合物上的负氢转移相对优势.     

响应面法优化石灰处理高氟废水的研究

为强化石灰法处理高氟废水的效率,采用响应面Box-Behnken设计,考察了投量、温度、pH值等因素对除氟效率的影响.结果表明,投量为理论值(14.73 g)的118％、温度62.25℃、pH值8.0的最优工况时,F-可从初始10 000 mg·L-1降至107.026 mg·L-1.投加石灰后,F-除了与溶解的Ca2...     

利用非均匀正交激光选择谐波发射短量子路径

理论研究了谐波发射的量子路径在非均匀正交激光场下的调控机制.结果表明,在适当的双色激光偏振角和非均匀参数的组合下,不仅谐波截止能量有明显增大;谐波发射的短量子路径可以被单独选择出来对谐波连续区起到贡献作用.并且,该方案在长脉宽激光下依然适用.最后,利用谐波连续区可以获得脉宽在50 as的孤立阿秒脉冲.     

高压大功率碳化硅电力电子器件研制进展

 碳化硅电力电子器件已经成为国内外研究和产业化热点，在一些应用领域正在逐步取代硅基电力电子器件。概述了碳化硅材料和器件的特性，即具有高工作电压、高效率、高工作温度等优势。综述了国际上碳化硅电力电子器件技术的发展现状，其中中低压器件发展已逐渐成熟，高击穿电压器件研究成果展现出由碳化硅材料特性预测的性能优势。展示了宽禁带半导体电力电子器件国家重点实验室在该领域取得的最新技术进展，建立了600~3300 V碳化硅肖特基二极管和MOSFET产品技术，研制出国际先进水平的高压碳化硅MOS-FET和IGBT。     

Optical fiber sensor based on the short-range surface plasmon polariton mode简

The dispersion compensation properties of dual-concentric core photonic crystal fibers are theoretically investigated in this letter. The effects of geometric structure on the dispersion properties of dual-concentric core photonic crystal fibers are carefully studied by finite element method. The first layer of holes around the core area is enlarged in a new manner with the near-core point fixed. Considering the tradeoff among several parameters, results show that the dispersion compensation wavelength and strength can be tuned to desired values by constructing an appropriate design of the geometric structure of photonic crystal fibers.     

Ir(Ⅲ)螯合物催化醚的硅氢化反应中负氢来源的机理研究

采用DFT方法对Ir(Ⅲ)螯合物催化乙醚硅氢化生成乙烷和乙基硅醚的反应展开理论研究.反应中[H-Ir-H],[H-Ir-Si],[Ir(HSi Et3)]和[Et3Si-Ir-(H)3]化合物均为可能的负氢来源.理论研究表明[H-Ir-H]化合物是最优势的负氢来源.通过扭曲-相互作用能分析,发现其他三种可能的负氢来源不优势的原因在于HSi Et3或Si Et3基团对铱中心的络合.更为重要的,我们发现[H-Ir-H]化合物中适中的Ir—H键解离能,小位阻以及Si Et3对醚的络合而产生的促进作用共同使得[H-Ir-H]化合物上的负氢转移相对优势.     

溶液法制备的高k Y_2O_3薄膜电学性质分析

<正>近年来,原来占据主流地位的介电材料SiO2已经被高介电常数(高k)材料(HfO2,ZrO2,Y2O3,Al2O3,etc)代替。高k材料能在减小漏电流密度的同时增大电容密度使AOS TFTs具有较低的阈值电压,较小的亚阈值摆幅和较高载流子迁移率[1]。迄今为止,在应用于AOS TFTs器件的介电材料中,Y2O3是最好的选择,因其具有良好的热稳定性和化学稳定性,较低的漏电流,较高的反射系数(~2),较宽的禁带宽度     

退火温度对氧化铝薄膜性质的影响

<正>随着集成电路中晶体管特征尺寸的逐渐减小,目前场效应晶体管栅介质SiO2的厚度已经减小到纳米量级,隧道效应产生的较大漏电流使得SiO2栅介质丧失了良好的绝缘效果[1]。由于高介电常数材料(高k材料)可以在保持电容密度不变的同时增大栅介质的物理厚度[2,3],因此使用高k材料替代SiO2作为栅介质层是目前最有希望解决此问题的途径。为维持半导体产业继续依照摩尔定律向前发展,高k栅介质层已经成为当前的研究热点[4,5]。在众多的高k材料中,Al2O3因具有良好的综合性质而倍受瞩目,如高的介电常数     

化学处理高氟氨废水的强化方法

为处理核工业生产中的高质量浓度氟氨废水,采用序批式烧杯试验,分别考察了除氟脱氨顺序、混合液pH值、药剂投量等因素对反应过程的影响,探索通过生成CaF2和Mg(NH4)PO4(MAP)强化除氟脱氨的方法.结果表明,先脱氨后除氟时,Ca2+会争夺MAP中的PO3-4转化为Ca3(PO4)2,释放NH4+降低脱氨效率.先除氟后脱氨时,控制nMg2+:nPO3-4:nNH4+为1.1:1.075:1.0,混合液pH值为10.0,能实现理想的除氟脱氨.其中脱氨时投加的PO3-4会与Ca2+和F-生成溶解度很低的Ca5(PO4)3F,是强化除氟的关键.适当超投一些PO3-4可以强化脱氨,对于混合液中残存的PO3-4,可在沉淀后上清液中投加少量Ca2+生成Ca3(PO4)2进而去除.