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氮化镓(GaN)作为第三代宽禁带半导体核心材料之一,具有高击穿场强、高饱和电子漂移速率、抗辐射能力强和良好的化学稳定性等优良特性,是制作宽波谱、高功率、高效率光电子、电力电子和微电子的理想材料.受制于氮化镓单晶衬底的尺寸、产能及成本的影响,当前的GaN基器件主要基于异质衬底(硅、碳化硅、蓝宝石等)制作而成,GaN单晶衬底的缺乏已成为制约GaN器件发展的瓶颈.近年来,国内外在GaN单晶衬底制备方面取得了较大的进展.本文综述了氮化镓单晶生长的最新进展,包括氢化物气相外延法、氨热法和钠助熔剂法的研究进展,分析了各生长方法面临的挑战与机遇,并对氮化镓单晶材料的发展趋势讲行了展望. 相似文献
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碱金属离子对SDS-PEG软团簇形成边界的影响及其在软团簇上的缔合量 总被引:1,自引:1,他引:0
采用超滤法和原子吸收分光光度法对外加碱金属(锂、钠或钾)硫酸盐的十二烷基硫酸钠一聚乙二醇软团簇体系进行研究,实验结果表明,其超滤曲线与表面张力曲线相似,也存在双拐点(c1和c2),且c1随外加电解质浓度增加而降低,c2随外加电解质浓度增加而增加,因而软团簇形成的边界随外加电解质浓度增加而变宽,表明十二烷基硫酸钠与聚乙二醇间具有更显著的团簇化作用,外加碱金属(锂或钾)离子在软团簇上的缔合量与软团簇中表面活性离子含量之比随该金属离子的浓度增加而增加,在相同外加碱离子浓度下,钾离子在软团簇上的缔合量大于锂离子在软团簇上的缔合量,这是由于锂水合离子半径较钾水合离子半径大的缘故。 相似文献
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本人根据多年从事工程力学的经验,结合当前高职院校的特点,在工程力学教学中提炼出了一套核心教学法,并以工程力学中的静力学和材料力学两部分为例,分析了这两部分的核心,提出新的教学体系,特别是经过近几年的实践取得了不错的效果。 相似文献
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现有模糊聚类算法存在运算量大,速度慢等特点,限制了模糊聚类的运用,在对模糊相似矩阵和模糊等价矩阵的性质研究后,提出了一种模糊聚类的快速算法,以减少运算量,提高运算速度。实验证明,新的算法运算量减少约一半,速度达到传统的模糊聚类算法的2.4倍左右。 相似文献
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氮化镓(GaN)具有高击穿场强、高饱和电子漂移速率、抗辐射能力强和良好的化学稳定性等优良特性,是制作宽波谱、高功率、高效率光电子、电力电子和微电子的理想衬底材料。除气相法(包括HVPE(氢化物气相外延)、MOCVD(金属有机化合物化学气相沉淀)、MBE(分子束外延))生长GaN单晶外,液相法(包括氨热法和助熔剂法)近几年在制备GaN单晶方面取得了较大的进展。本文介绍了氨热法和助熔剂法的生长原理、装备特点及生长习性;综述了两种液相生长方法的研究历程及研究进展,并对液相法生长GaN单晶的发展趋势及主要挑战进行了展望。 相似文献
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采用稳态荧光猝灭技术测定了三种碱金属(Li, Na或K)硫酸盐-SDS-PEG三元体系中SDS(十二烷基硫酸钠)的束缚胶束聚集数Nb, 考察了SDS浓度c、碱金属硫酸盐浓度ce及PEG(聚乙二醇)浓度cp变化时SDS的Nb的变化规律. 对SDS的Nb数据进行二次响应面分析, 得知SDS的Nb是c的线性增大函数、ce的对数函数以及cp的反比例函数, 据此对SDS的Nb实验值建立含二次交互作用项的函数表达式. 按上述表达式进行回归, 得到相应于Li2SO4, Na2SO4或K2SO4体系的系数a0~a8. 据此计算得到SDS的Nb预期值并与实验值进行比较, 其间的绝对误差在3以内, 相对误差在4%以内. 该结果为用SDS的Nb 预测表面活性剂-大分子软模板的尺寸和化学微环境、并用于调控所制备的金属纳米粒子的大小提供依据. 相似文献
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针对基于蓝牙技术的医疗监护系统信息安全机制存在的问题,提出了隐藏设备地址、增加PIN码长度、采取强度更高的加密算法等解决方法。着重研究了加密算法设计,应用一种新的加密算法——Blowfish加密算法取代蓝牙标准的EO流加密算法。通过分析表明,此算法可有效地加强蓝牙传输的安全性能,能够满足现代医疗监护系统的安全要求。 相似文献
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经过理论分析得出了与切向光栅对各种构成方式对应的莫尔条纹间距的定量关系式.设计制作了1组光栅,并进行了实际测量,结果表明所得关系式与实测结果符合得很好.这对在"位置细分"技术中开拓排布光电传感器所需空间、提高测量分辨率和测量精度十分有利. 相似文献
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本文给出了完备企业信息系统的定义;把完备企业信息系统分为决策支持子系统、数据集成子系统、应用信息子系统、基础设施子系统;并给出完备企业信息系统构建和重组的方法和技术。 相似文献