全文获取类型
收费全文 | 508篇 |
免费 | 55篇 |
国内免费 | 47篇 |
专业分类
化学 | 164篇 |
晶体学 | 1篇 |
力学 | 36篇 |
综合类 | 31篇 |
数学 | 35篇 |
物理学 | 80篇 |
无线电 | 263篇 |
出版年
2024年 | 3篇 |
2023年 | 4篇 |
2022年 | 3篇 |
2021年 | 3篇 |
2020年 | 6篇 |
2019年 | 6篇 |
2018年 | 9篇 |
2017年 | 4篇 |
2016年 | 4篇 |
2015年 | 3篇 |
2014年 | 9篇 |
2013年 | 8篇 |
2012年 | 8篇 |
2011年 | 4篇 |
2010年 | 12篇 |
2009年 | 4篇 |
2008年 | 3篇 |
2007年 | 9篇 |
2006年 | 4篇 |
2005年 | 10篇 |
2004年 | 27篇 |
2003年 | 85篇 |
2002年 | 123篇 |
2001年 | 151篇 |
2000年 | 58篇 |
1999年 | 37篇 |
1998年 | 1篇 |
1997年 | 3篇 |
1996年 | 1篇 |
1995年 | 1篇 |
1994年 | 3篇 |
1989年 | 2篇 |
1984年 | 2篇 |
排序方式: 共有610条查询结果,搜索用时 500 毫秒
1.
2.
3.
Ⅰ线光致抗蚀剂可以同时实用电子束和光学系统曝光,在50kV加速电压下,其曝光剂量为50-100μC/cm^2,曝光后在0.7%NaOH溶液内显影1分钟。其灵敏度比PMMA快5倍,分辩率为0.5μm。采用两方法制备CaAsPHEMT:一种用Ⅰ线光致抗蚀剂,对源、漏及栅全部都采用电子束曝光,制备了0.5μm栅长的GaAs PHEMT;另一种将源、漏及栅分割成两部分,其中精细部分由电子束曝光,其余部分由光学系统曝光,用这种方法制备了0.25μm栅长的GaAs PHEMT。Ⅰ 相似文献
4.
Zhu Da xin 《数学年刊B辑(英文版)》1994,15(3):293-298
ACOMPLETEMETRICOFPOSITIVECURVATUREONR~nANDEXISTENCEOFCLOSEDGEODESICS¥ZHUDAXIN(DepartmentofMathematics,TianjinUniversitylTianj?.. 相似文献
5.
ZnO压敏陶瓷最佳掺杂含量的理论计算 总被引:3,自引:0,他引:3
从对电子薄膜材料研究中得到的最佳掺杂含量定量理论推广到ZnO陶瓷材料。该理论建立了电子薄膜材料的某一物理性能与晶体结构、制备方法和掺杂剂含量之间的联系,给出了一个能够拟合实验曲线的具有确定物理意义的抛物线方程。该方程的极值点确定了最佳掺杂含量与晶体结构和制备方法之间的定量关系,进而得到了一个掺杂最佳含量的表达式。系统地分析了ZnO压敏陶瓷的掺杂改性的实验结果,应用此表达式定量计算了ZnO压敏陶瓷的最佳掺杂含量,定量计算的结果与实验数据相符合。该理论也适用于其他薄膜材料最佳掺杂含量的理论计算。 相似文献
6.
7.
明确从地胆草中分离得到的两对牦牛儿内酯型的立体异构体即地胆草种内酯(scabertopin)、异地胆草种内酯(isoscabertopin)、异去氧地胆草内酯(isodeoxyelephantopin)和去氧地胆草内酯(deoxyelephantopin)的C-2相对构型;方法 NOESY技术,并结合这4个化合物的1H NMR,13C NMR,HMQC谱;结果 两对立体异构体的NOESY谱有明显差异;结论 通过分析NOESY谱,找寻H-1相关信息,若发现H-1与H-8,H-9β和14-CH3有NOE相关,可以判断化合物的C-2为α构型,若H-1与H-5,H-7,H-3α及H-9α之间有NOE相关,则化合物的C-2为β构型. 相似文献
8.
9.
10.