智慧标识网络服务机理研究进展及安全性分析

随着互联网规模的不断扩大以及应用场景的多元化,传统网络无法很好地满足新业务的动态多样化需求,因此国内外对未来网络展开了深入研究.本文首先介绍了未来互联网体系架构的研究现状.其次,介绍了具备"三层、两域"特征的智慧标识网络(Smart Identifier NETwork,SINET)体系架构,然后重点阐述了SINET服务机理在服务的命名与解析、路由机制、服务缓存、移动性、传输控制机制、可扩展性、绿色节能等关键技术方面取得的研究进展,并进一步详细分析了SINET服务机理的安全性.最后总结了SINET面临的挑战,对SINET服务机理在大规模场景部署中可能存在的问题做出讨论.     

基于度量学习的意图识别和槽填充方法

人机对话中小样本学习场景下的意图识别和槽填充,是自然语言处理的一个重要课题.本文采用基于度量学习的方法,通过计算query set中的样本与support set中样本的距离,寻找距离最近的类别样本作为分类标签,同时将两个任务联合进行训练,用以提升模型的效果.从实验结果中可以得出,本文提出的Fine-tune方法,对意图识别和槽填充任务都有一定的帮助和提升.胶囊网络在意图识别中也起到了一定的效果,可以帮助去除一部分无关信息,但对槽填充任务的帮助不明显;而任务自适应的投影网络,可以更好地将不同类的向量分开,提升了两个任务的性能.     

Nanocomposite hydrogel consisting of Na‐montmorillonite with enhanced mechanical properties

A new kind of nanocomposite (NC) hydrogel with Na‐montmorillonite (MMT) is presented in this article. The NC hydrogels were synthesized by free radical copolymerization of acrylamide and (3‐acrylamidopropyl) trimethylammonium chloride (ATC) in the presence of MMT and N,N′‐methylene‐bis‐acrylamide used as chemical cross‐linker. Due to the cation‐exchange reaction between MMT and ATC (cationic monomer) during the synthesis of NC hydrogels, MMT platelets were considered chemical “plane” cross‐linkers, different from “point” cross‐linkers. With increasing amount of MMT, the crosslinking degree enhanced, causing a decrease of the swelling degree at equilibrium. Investigations of mechanical properties indicated that NC hydrogels exhibited enhanced strength and toughness, which resulted from chemical interaction between exfoliated MMT platelets and polymer chains in hydrogels. Dynamic shear measurements showed that both storage modulus and loss modulus increased with increasing MMT content. The idea described here provided a new route to prepare hydrogels with high mechanical properties by using alternative natural Na‐MMT. © 2015 Wiley Periodicals, Inc. J. Polym. Sci., Part B: Polym. Phys. 2015 , 53, 1020–1026     

应用膨胀算法提取目标的直接定位算法

为了解决被动雷达系统中的多发射源定位问题，提出了一种基于多重信号分类(MUSIC)算法和图像膨胀(IE)算法的直接定位方法。该方法结合了谱分析中的MUSIC思想，通过对接收量测协方差矩阵进行特征分析求解目标的位置。首先，在目标个数未知的前提下，利用Akaike信息准则(AIC)来确定模型阶数；然后，推导了基于MUSIC的定位代价函数；之后，利用图像膨胀算法处理得到的代价函数平面；最后，膨胀处理后的输出为目标个数及目标位置的估计值。提出的算法有效地解决了目标检测及提取的问题，能够确定多个目标的位置坐标，为后续的定位性能分析提供可能性，也保证了算法的完整性。进一步地分析了多个临近目标情况下影响目标提取性能的主要因素。     

Lipase‐Supported Metal–Organic Framework Bioreactor Catalyzes Warfarin Synthesis

A green and sustainable strategy synthesizes clinical medicine warfarin anticoagulant by using lipase‐supported metal–organic framework (MOF) bioreactors (see scheme). These findings may be beneficial for future studies in the industrial production of chemical, pharmaceutical, and agrochemical precursors.     

一种实用的多数据库量子信息检索协议

针对目前量子私有信息检索不能适用与云存储的多数据库问题,基于现在成熟的量子密钥分发方法,提出了一种适合在多数据库环境下,实用的量子私有信息检索协议。对于不同大小的数据库,协议可通过调节参数θ和k,在保证数据库安全及用户隐私的情况下,完成信息的检索。性能分析结果表明,协议的通信复杂度低,检索成功率高、易于实施。     

空间相机中的偏流角分析

高分辨率星载TDI-CCD相机在成像过程中,偏流角会对相机的成像质量产生影响.因此根据卫星轨道方程给出了偏流角和偏流角角速度随纬度变化的具体形式,基于此分别研究了偏流角在卫星穿航方向和沿航方向引起的像移量和它对相机成像质量的影响.结果表明,偏流角是纬度的函数,由它引起的像移在穿航方向对相机像质的影响较为严重,必须加以校正.并针对极地圆轨道详细计算了像移对像质的影响程度和在MTF偏流角＞0.95的情况下偏流角需要调整的最小时间间隔.     

1.8 V千兆以太网接收器模拟前端预均衡电路

介绍了一种用于1.8 V电源电压下的千兆以太网接收器的模拟前端预均衡电路。电路分为三个部分:预处理电路、基带漂移补偿电路和可变增益放大电路,主要实现回波消除、基带漂移补偿和电路增益自动控制等功能。为了与百兆模式兼容,提出了一种预处理电路。仿真结果表明,该电路可以很好地实现回波消除的功能,能够对由于基带漂移引起的信号失真给以补偿,可以提供16级不同的增益,并进行频率补偿。电路采用0.18μm标准CMOS工艺实现。     

可拓知识空间和可拓知识网格模型(Ⅱ):可拓知识网格

第1部分中已介绍了可拓知识空间定义和相关操作，以及可拓知识空间关联函数计算方法。这一部分进一步建立可拓知识空间语义网、可拓知识网格和可拓知识网格服务，并给出实例和相关的分析讨论。     

GaN and AlGaN high-voltage rectifiers grown by metal-organic chemical-vapor deposition

In this paper, we report the study of the electrical characteristics of GaN and AlGaN vertical p-i-n junctions and Schottky rectifiers grown on both sapphire and SiC substrates by metal-organic chemical-vapor deposition. For GaN p-i-n rectifiers grown on SiC with a relatively thin “i” region of 2 μm, a breakdown voltage over 400 V, and forward voltage as low as 4.5 V at 100 A/cm² are exhibited for a 60-μm-diameter device. A GaN Schottky diode with a 2-μm-thick undoped layer exhibits a blocking voltage in excess of ∼230 V at a reverse-leakage current density below 1 mA/cm², and a forward-voltage drop of 3.5 V at a current density of 100 A/cm². It has been found that with the same device structure and process approach, the leakage current of a device grown on a SiC substrate is much lower than a device grown on a sapphire substrate. The use of Mg ion implantation for p-guard rings as planar-edge terminations in mesageometry GaN Schottky rectifiers has also been studied.