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制作压力传感器时,在二氧化硅层上淀积多晶硅膜,既可利用优良的机械特性,又可保证压敏电阻与衬底间具有良好的绝缘性,由此可大大提高器件的温度特性。介绍了一种多晶硅压力传感器的原理和设计。实验结果表明,这类传感器具有灵敏度好,精度高等特点,电路工作范围为0-250℃,且具有良好的温度稳定性。 相似文献
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用Si3N4,SiO2和Al2O?作原料,以Y2O?为添加剂,研究了O’-β’所在的四个相容性区中组成,于1400—1800℃之间,O’和β’的形成动力学。O’于1400℃开始生成,1600℃达到最大形成量。高于1600℃,O’减少乃至消失。研究发现,O’的这种不稳定性,并非自身热分解的结果。Al含量的增加,液相出现和β’的形成,才是导致O’-Sialon溶解而消失的原因。 此外,认为Si3N4-O’(x=0.3)-Y2Si2O7-YAG相容性区,是在制备具有合理的O’-β’平衡相组成的复相陶瓷时,可供实际选用的组成区。 相似文献
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我们用最近研制成功的LMA型低频力学谱测试系统对NiTi合金马氏体相进行了在很大频率范围内(0.003~1Hz)的低频等温力学谱和温度谱的测量.我们研究的形状记忆合金NiTi(Ni50.2at%)试样长34mm,直径1mm细丝.经一定热处理,分别在333K.343K和353K做了内耗随频率的变化的测量。实验表明:频率越小,内耗越大,也就是内耗随频率减少而增大。同时我们采用阶梯升温的方法在八个温度下每个温度测量三种频率(1Hz,0.1Hz,0.01Hz)的内耗,结果清楚地表明:不同频率下,内耗峰都出现在372K(99℃)。而且频率越低,峰高越高。这是具有相变峰的特点:相变峰的峰温不随测量频率不同而变化,相变峰高度随频率减少而增大。我们还测量了在1Hz与0.5Hz频率下内耗随温度的变化。本文用马氏体相的位错理论初步讨论了上述实验结果。 相似文献
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一类含有P-Laplacian算子的奇异边值问题解的确切个数 总被引:2,自引:0,他引:2
讨论了一类p-L ap lac ian算子型的奇异边值问题正解的确切个数以及解的性质. 相似文献
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用于强磁场的快响应真空规的研制进展 总被引:2,自引:2,他引:0
研制了能在强磁场、强干扰环境下工作的快响应真空电离规(快规),用于对HL 2A装置偏滤器室和等离子体附近的中性粒子密度和通量进行原位测量。介绍了快规的结构、工作原理、设计要点以及实验结果。在无磁场的情况下,快规对气体压强的测量范围为6.4×10-6~0.15Pa,在1×10-5~0.15Pa范围内,快规收集极离子流与发射电子流之比与气压保持良好线性关系;在0 15T的磁场下,快规的规管常数未发生显著变化,在规管对称轴与磁力线的夹角小于15o时,规管常数的变化小于10%。 相似文献