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介绍了Freescale公司嵌入式微处理器MCF5282的原理、特点,给出了该处理器在嵌入式操作系统uClinux下通过I2C硬件扩展数字输入的原理,以及I2C总线的驱动程序设计流程. 相似文献
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设计了一种基于竞争终端个数和跳数的公平性优化机制通过调整MeshAP的协议参数来改善不同跳数间竞争终端的公平性,同时,根据同一MeshAP下竞争终端的个数,按照预先设定的区间,动态调整其下各终端的协议参数,从而在改善系统传输性能的同时,进一步优化不同跳数间竞争终端的公平性.给出了这一机制的详细实现步骤,并利用ns2,对这一新的机制在各种场景下进行了大量的仿真实验.相关实验结果验证了这一优化机制不仅算法简单,系统开销小,适合于复杂多变的无线环境,而且能够根据竞争终端个数动态对无线系统中不同跳数下的竞争终端的公平性进行整体的优化. 相似文献
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制作压力传感器时,在二氧化硅层上淀积多晶硅膜,既可利用优良的机械特性,又可保证压敏电阻与衬底间具有良好的绝缘性,由此可大大提高器件的温度特性。介绍了一种多晶硅压力传感器的原理和设计。实验结果表明,这类传感器具有灵敏度好,精度高等特点,电路工作范围为0-250℃,且具有良好的温度稳定性。 相似文献
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用Si3N4,SiO2和Al2O?作原料,以Y2O?为添加剂,研究了O’-β’所在的四个相容性区中组成,于1400—1800℃之间,O’和β’的形成动力学。O’于1400℃开始生成,1600℃达到最大形成量。高于1600℃,O’减少乃至消失。研究发现,O’的这种不稳定性,并非自身热分解的结果。Al含量的增加,液相出现和β’的形成,才是导致O’-Sialon溶解而消失的原因。 此外,认为Si3N4-O’(x=0.3)-Y2Si2O7-YAG相容性区,是在制备具有合理的O’-β’平衡相组成的复相陶瓷时,可供实际选用的组成区。 相似文献
8.
我们用最近研制成功的LMA型低频力学谱测试系统对NiTi合金马氏体相进行了在很大频率范围内(0.003~1Hz)的低频等温力学谱和温度谱的测量.我们研究的形状记忆合金NiTi(Ni50.2at%)试样长34mm,直径1mm细丝.经一定热处理,分别在333K.343K和353K做了内耗随频率的变化的测量。实验表明:频率越小,内耗越大,也就是内耗随频率减少而增大。同时我们采用阶梯升温的方法在八个温度下每个温度测量三种频率(1Hz,0.1Hz,0.01Hz)的内耗,结果清楚地表明:不同频率下,内耗峰都出现在372K(99℃)。而且频率越低,峰高越高。这是具有相变峰的特点:相变峰的峰温不随测量频率不同而变化,相变峰高度随频率减少而增大。我们还测量了在1Hz与0.5Hz频率下内耗随温度的变化。本文用马氏体相的位错理论初步讨论了上述实验结果。 相似文献
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