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1.
2.
本文采用椭圆偏振光谱法研究了剂量为1×1016—3×1012cm-2的As+注入硅,及其在700℃退火后的光学性质。得出:当As+注入剂量增大到某一程度后,便呈非晶特性。低于临界剂量的样品,其n-λ,ε2-λ关系曲线随剂量的增大而往下方移动,呈有规律变化;退火后,在大于4000?波段,n-λ与ε2-λ曲线基本恢复到单晶硅状态。但在小于4000?的紫外区却未完全恢复,注入剂量越大,偏离单晶硅就越大。并指出,紫外光区是离子注入硅的信息敏感区;用有效质量模型计算出注入剂量与损伤度的关系。计算结果与实验符合得较好。
关键词: 相似文献
3.
光纤的能量传输特性及应用 总被引:5,自引:0,他引:5
着重分析了影响光纤传输能量以及光纤传输中造成能量损耗的因素。这些因素主要包括光纤材料、构造、光纤的折射率分布、光纤的长度和芯径、光纤的数值孔径和热效应以及耦合等。同时 ,结合激光二极管点火的实例 ,分析探讨了其背景和应用价值。结论是 :为了尽可能减少能量损耗、提高光纤输出的激光功率和激光功率密度 ,应当选取合适的激光工作波长、较小的光纤长度、较小的芯径和较小的数值孔径 ,应采用渐变折射率分布光纤 ,应减少弯曲与耦合 相似文献
4.
光纤荧光传感器衰减寿命的加权对数拟合法 总被引:2,自引:0,他引:2
荧光寿命的检测是荧光光学传感器的核心内容,国际上尝试了多种方法来拟合这种理论上为单指数衰减信号的荧光衰减曲线。这些方法包括非线性函数标准拟合方法。即Levenburg-Marquardt方法,以及Prony方法、FFT方法,对数拟合法等等。为了克服在实际应用中发生的信号退化,需要在测量信号衰减寿命的同时测量信号的初始强度。文章介绍了一种加权的对数拟合法,经计算机仿真及实际数据测试均可以得到和Levenburg-Marquardt方法非常接近的结果,且拟合时间大大缩短,测量稳定性大大提高。仿真测试及具体实验测试结果显示了这种方法的有效性。该方法不仅与Levenburg-Marquardt方法的偏差曲线非常相似,而且实验测得的荧光寿命与Levenburg-Marquardt方法偏差在0.2%以内。 相似文献
5.
Voigt线型及其精确快速算法 总被引:1,自引:1,他引:0
通过把上半复平面分为4个区,并在每一区利用不同近似,建立了一种精确快速计算Voigt函数、修正的Voigt函数和Voigt函数偏导数的算法,其最大相对误差小于5×10-4.该算法是Line-by-Line大气透过率/辐射强度计算及其相关应用的有效算法. 相似文献
6.
居民收入和消费预测的灰理论方法 总被引:4,自引:2,他引:2
阐述灰色模型GM(1,1)建立及检验的基本理论和方法.并依据2000年—2005年浙江农村居民人均纯收入和人均生活消费数据,利用GM(1,1)模型建模方法,对“十一五”期间浙江农民的纯收入和生活消费进行了预测. 相似文献
7.
In this paper,Tanaka formulae for (α,d,β)-superprocesses in the dimensions where the local time exists are established under the optimal initial condition. 相似文献
8.
介绍了一种甚低频低码率数字通信系统的实现方案,该方案中的软件采用混合编程的方法,硬件则用DSP实现,文章给出了整个系统的DSP软硬件调试方法,并通过调试结果表明该方案具有很好的可行性和实时性。 相似文献
9.
High-k材料是指介电常数k高于SiO2的材料。使用high-k材料做栅绝缘层,是减小MOS器件栅绝缘层直接隧道击穿(DirectTunneling,DT)电流的有效方法。文章在二维器件模拟软件PISCES-II中添加了模拟以high-k材料为栅绝缘层的MOS器件模型,并对SiO2和high-k材料的MOS晶体管器件特性进行了模拟比较,成功地验证了所加high-k材料MOS器件模型的正确性。改进后的PISCES-II程序,可以方便地对以各种high-k材料为栅绝缘层的器件性能进行模拟。 相似文献
10.
数量级在物理实验中的应用 总被引:2,自引:0,他引:2
介绍了数量级在物理实验设计、实验失败原因分析、误差分析及实验结果判断方面的应用. 相似文献