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1.
The identification rate of UHF RFID system was restricted by multipath propagation effects.The system identification performance was studied considering the correlation coefficient between forward and reverse channels.Based on the generalized Rician fading channel model,the analytical expression of identification rate was derived under independent,full correlation and correlation cases.Compared with the existing analysis,the proposed uniform calculation formula of identification rate was for any correlation coefficient and kinds of channel conditions.The numerical computation and Monte-carlo simulations show that the influences of different correlation coefficients,channel conditions,sensitivity and distance on the identification rate.  相似文献   
2.
提出一种求解正常声光相互作用拉曼 内斯 (Raman Nath)方程的矩阵级数解法 ,该解法直观方便且具有普遍性。计算结果表明 ,对Q =4 1π ,Bragg衍射的效率只有 97 5 % ;对非对称入射 ,以往的Raman Nath近似解误差较大 ;指出提高Bragg衍射效率的有效途径在于提高声光频率比并给出计算声光器件最优长度的计算公式。  相似文献   
3.
本文针对欠驱动Pendubot机器人系统,提出一种简单可靠的摇起及平衡控制策略。通过利用模糊控制及全状态反馈控制技术来分别设计摇起控制器及平衡控制器,其中模糊摇起控制器的设计使得系统的摇起可靠性得到大大的加强,并缩短了响应时间,两个控制器的转换通过转换装置实现。最后的仿真结果验证了算法的有效性。  相似文献   
4.
A class of chiral ketone was synthesized for asymmetric epoxidation. High ee values have been obtained for a number of cis olefin and trans olefin. The epoxidation was stereospecific with no isomerizatiom observed in the epoxidation of acyclic system. Encourageingly high ee value has also been obtained for a number of terminal olefins. Mechanistic studies show that electronic interactions play an important role in the stereodifferentiation. O O O O O O NBoc O O t-BuO2CH2CN O O O …  相似文献   
5.
不用专门相移装置的三维面形测量   总被引:1,自引:1,他引:0  
提出一种不需要专用相移装置实现相移,主要利用数字图像处理技术实现三维面形测量的方法,研究结果表明,用原干涉图像及1幅以上的移值条纹图主可能实现物体三维面形的测量。  相似文献   
6.
开关型霍尔传感器的原理与工程实现   总被引:3,自引:1,他引:2  
介绍了开关型霍尔传感器的工作原理,设计了适用于工程测量的具体线路,并分析了该线路的特点。  相似文献   
7.
利用条纹照相机直接观察和记录了由全息相位共轭技术产生的相位共轭的皮秒光脉冲。实验结果与理论相符合。 关键词:  相似文献   
8.
利用苯乙酮及苯乙酮衍生物,经过傅-克乙酰化反应、偶联反应、Wittig烯化反应,合成了脱氢姜黄烯及其类似物.再经选择性催化氢化反应,可分别得到α-姜黄烯、黄根醇甲醚及姜黄氢醌甲醚.  相似文献   
9.
实验分别采用高低温退火和循环变温退火方式对液相外延生长的HgCdTe材料进行饱和汞压热处理,研究了两种热处理工艺对碲镉汞材料位错密度及电学性能的影响。结果表明:相较于高低温退火,经循环变温退火后HgCdTe材料的位错密度有了明显的降低,并且材料的迁移率有了显著的提升。研究发现循环变温退火是一种较好提升HgCdTe材料性能的热处理方法。  相似文献   
10.
本文对不同梯度区高度的VGF法温场生长碲锌镉(CdZnTe)晶体过程进行了稳态和非稳态仿真模拟分析。研究发现,晶体生长等径初期界面凸度随着梯度区高度的增加而减小;等径末期界面凸度受梯度区高度的影响不大;界面的凸度与固液界面温度梯度变化率正相关。非稳态模拟结果显示,现有变温条件下,晶体生长过程中固液界面凸度存在先增大后减小的趋势,趋势转变点接近梯度区高度中点;界面形状的变化趋势受固液界面上生长速度分布直接影响;对比而言,10 cm高的梯度区更容易实现前中期固液界面凸界面的获得,利于形成高单晶率CdZnTe晶体。  相似文献   
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