Internet中的物理资源

对Internet中的物理资源进行了较系统的介绍，主要内容有：综合物理网站、物理期刊网站和物理教学网站，其中重点介绍了美国和欧洲主要国家的物理网站和物理期刊网站，利用这些物理站点，可以方便的进行文献检索、物理会议查询，物理教学相关资料的查询和世界各大学物理系的查询；可以方便快捷的了解当今世界各国的物理教学学科研的最新进展，文中对各个物理站点的使用方法都一一做了详细的介绍，以方便读者使用。     

非理想信道下Colpitts混沌电路的自适应同步研究

本文研究了Colpitts混沌电路在非理想信道条件下的自适应同步问题。引入自适应控制器对输入到响应部分（response system）的衰变混沌信号进行预处理，来补偿衰落信道对于同步性能的影响。给出了系统的数学模型，对恒定信道衰变和时变信道衰变两种非理想信道条件下的混沌ColpiRs电路的自适应同步进行了数值仿真研究。仿真结果表明，对于恒定或慢变化的时变信道衰变，自适应控制器可以有效的提高Colpitts电路响应部分和驱动部分（Drive system）的同步性能。     

圆感应同步器数显表检测方法研究

介绍了圆感应同步器数显表测角系统的工作原理,以及在静态和动态测角方法。提出了两种提高动态测量精度的方法。实验数据验证了方法的合理性。     

承受拉-扭组合载荷的薄壁圆筒屈服时产生塑性流动的条件

提出了在无外力作功的情况下，具有Bauschinger效应的弹塑性材料处于屈服状态产生自发的塑性流动时应满足的条件．这个条件不仅与材料的力学性能有关，而且还处决于材料的具体的载荷边界条件和变形．举例说明了承受拉一扭组合的薄壁圆筒中，采用组合强化模型时，产生塑性流动的具体条件．     

Fenton 试剂处理2,4-D废水研究

利用Fenton试剂(Fe2+/H2O2)处理含有除草剂2,4-二氯苯氧乙酸(2,4-D)的模拟废水.结果显示,Fenton试剂对2,4-D有很好的去除效果.Fe2+和H2O2的摩尔比为1:20,在H2O2为1/2Qth理论投加量的条件下处理30mtn,2,4-D去除率达到80.0%.考察了Fe2+投加量、Fe2+和H2O2投加比、2,4-D初始浓度和pH等因素对2,4-D降解的影响.通过GC-MS和HPLC检测到反应中间产物有2,4-二氯苯酚、邻氯苯酚和对氯苯酚,氯离子在这些中间产物上释放.通过离子色谱检测到进一步氧化的产物还有小分子酸,如乙醇酸、乙醛酸、顺丁烯二酸,提出了Fenton降解2,4 -D的可能途径.     

60keV质子辐照对TiNi记忆合金薄膜马氏体相变的影响

 利用磁控溅射的方法在氧化后的单晶Si基片上制备了TiNi形状记忆合金薄膜，利用示差扫描量热法和原位X射线衍射研究了薄膜的马氏体相变特征。通过60keV质子注入（辐照）薄膜样品研究了H+离子对合金薄膜马氏体相变特征的影响，结果表明氢离子注入后引起了马氏体相变开始Ms和结束点Mf以及逆马氏体相变开始As和结束温度Af的下降，而对R相变开始Rs和结束温度Rf影响不大。掠入射X射线衍射表明H+离子注入后有氢化物形成。H⁺离子注入形成的氢化物是引起相变点的变化的主要因素。     

基于褐藻酸钠-纳米金复合物作非酶标记的新型电化学免疫传感器的研制

比较了用三碘甲状腺氨酸抗体(T3抗体)、褐藻酸钠(AS)标记T3抗体及褐藻酸钠-纳米金复合物(ASN)标记的T3抗体,在通过免疫反应结合到免疫电极表面后,引起的电极表面微环境发生改变的程度;用Fe(CN)3-/4-6为电化学探针,用循环伏安法获取金电极表面微环境改变的电流信息来检测 T3抗体,检测的线性范围为100～1 600ng·ml-1,检出限为45ng·ml-1.     

Ar—Kr溶液扩散系数的分子动力学模拟及其与温度的关系

用分子动力学模拟方法研究确定Ａｒ－Ｋｒ溶液的自扩散系数Ｄ１、Ｄ２和互扩散系数Ｄ１２以及它们随温度变化的规律。结果表明，分别用Ｇｒｅｅｎ－Ｋｕｂｏ法和Ｅｉｎｓｔｅｉｎ法得到的扩散系数在数值上一致；该溶液的３种扩散系数均满足Ｄ＝Ｄ０ｅ＾Ｅ／ＲＴ关系。     

STUDIES ON ION IMPLANTATION AND ELECTRICAL PROPERTIES OF POLYACETYLENE FILMS

The effects of ion implantation on ployacetylene films PA have been studied with Ar~+, Fe~+, C1~+, I~+, Na~+ and K~+ ions in the energy range of 15—30 keV. The changes of PA films in the electrical conductivity, due to chemical doping and ion implantation in relation to their structure and depth profiles of impurities, were measured through infrared (ATR/FTIK), Rutherford backscattering spectrometry (RBS) and the four probe technique. In all cases, ion implantation of active ions exhibits the same effects as chemical doping. The formation of p-n junction is observed at the interface of implanted region and chemical doped PA substrate. The mechanism of interaction process between ion beam and polymer is also discussed.     

Tb~(3 )在MO(M=Ca,Sr)中的长余辉发光

长余辉发光材料的研究与应用,已有近100年的历史,目前仍在许多领域中有着重要应用[1].此类材料与其他光致发光材料具有相同的发光性能,只是更注重其发光的衰减过程和热释光性能.如,ZnS:Cu作为黄绿色的长余辉发光材料,在1992年以前是余辉性能最好的长余辉发光材料,一直处于发光研究工作的中心.