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在针尖增强拉曼光谱(TERS)形貌成像过程中,由于针尖与扫描台无法绝对平行、样品电子密度骤变处针尖快速升降以及扫描控制系统响应时间特性差等综合原因的影响,往往使形貌图中带有倾斜或边界面卷曲的成像背景。成像背景对样品形貌的识别和分析带来十分不利的影响,而背景扣除就是解决该问题的重要手段,也是形貌成像预处理的重要组成部分。背景扣除的原理一般是通过拟合背景的方法来扣除成像中的背景。传统的背景扣除方法是利用多项式拟合的方法对成像进行逐行的基线校正,但是该方法在处理形貌成像时常常会由于过拟合而造成样品形貌的失真,同时容易在图片上留下明显的线条纹理。针对传统方法的缺点,本文提出采用B样条曲面拟合方法,直接对样品形貌图进行曲面背景拟合,发挥B样条低阶光滑的优点,能够有效克服传统方法的缺陷。在实验中,同时利用传统方法和该方法对金单晶和合成金片的形貌图进行背景扣除,实验结果表明,两种方法都能够扣除样品形貌图中的成像背景,但与传统方法相比,所提出的方法不会造成样品形貌的失真,且不会留下线条纹理,获得了更加良好的背景扣除效果,为进一步分析样品形貌特征提供了更准确可靠的信息,是一种更加有效的TERS形貌成像背景扣除算法。 相似文献
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悬浮床加氢裂化水溶性催化剂的筛选与表征 总被引:14,自引:3,他引:14
催化加氢作用, 当金属组分A和组分B浓度分别为 15 μg/g ~ 25 μg/g 和 1100 μg/g~1300 μg/g时催化剂具有较好的催化加氢活性。两元水溶性催化剂硫化后的XPS、XRD和TEM分析结果表明:活性组分经硫化反应后生成了金属硫化物,但组分A硫化率不足50%;组分B易硫化结晶,其晶粒成为组分A的硫化物晶粒或颗粒分散的“载体”,使组分A的硫化物具有较高的分散度,提高了催化剂的加氢活性;A-B双金属水溶性催化剂经硫化反应后所形成的颗粒尺寸在100 nm左右,说明两元金属催化剂在硫化结晶过程中确实存在相互分散和抑制晶粒增长的作用。 相似文献
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电荷耦合器件(CCD)多晶硅交叠区域绝缘介质对成品率和器件可靠性具有重要的影响。将氮化硅和二氧化硅作为CCD多晶硅层间复合绝缘介质,采用扫描电子显微镜(SEM)和电学测试系统研究了多晶硅层间氮化硅和二氧化硅复合绝缘介质对CCD多晶硅栅间距和多晶硅层间击穿电压的影响。研究结果表明,多晶硅层间复合绝缘介质中的氮化硅填充了多晶硅热氧化层的微小空隙,可以明显改善绝缘介质质量。多晶硅层间击穿电压随着氮化硅厚度的增加而增大,但太厚的氮化硅会导致CCD暗电流明显增大。由于复合绝缘介质质量好,可以减小CCD多晶硅的氧化厚度。 相似文献
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利用多层快速多极子方法(MLFMA)分析三维导体介质复合结构的电磁辐射与散射特性.根据等效原理,介质表面构造Poggio-Miller-Chang-Harrington-Wu(PMCHW)方程,导体表面建立电场积分方程(EFIE).分析了含介质目标MLFMA算法中远区组矩阵矢量相乘运算以及有耗媒质空间中格林函数的平面波展开.利用该方法研究了涂敷目标电磁散射特性以及天线罩对直线阵天线辐射特性的影响.MLFMA的应用降低了计算量和存储量,实现了对电大尺寸目标快速、准确的求解. 相似文献
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