印度卫星导航系统发展及现状研究

介绍了印度 GPS 辅助型静地轨道增强导航系统(GAGAN)和印度区域卫星导航系统(IRNSS)的最新研究进展，重点介绍了 IRNSS 系统的体系结构、信号样式和导航电文，分析了 IRNSS 系统的能力，最后介绍了印度导航系统的发展计划。     

宽工作电压范围单电源CMOS误差放大器

采用0.8μm标准数字CMOS工艺(VTN0=0.836V,VTP0=0.930V),设计并流片验证了具有宽工作电压范围(3～6V),可作SOC系统动态电源管理芯片内部误差放大器应用的单电源CMOS运算放大器。该误差放大器芯核同时具有适合低电压工作,并对工艺参数变化不敏感的优点。对于相同的负载情况,在3V的工作电压下,开环电压增益AD=83.1dB,单位增益带宽GB=2.4MHz,相位裕量Φ=85.2°,电源抑制比PSRR=154.0dB,转换速率Sr=2.2V/μs;在6V工作电压下,AD=85.1dB,GB=2.4MHz,Φ=85.4°,PSRR=145.3dB,Sr=3.4V/μs。     

烟气中Hg的氧化机理的研究

本文对Ｈｇ与Ｃｌ２在烟气中的氧化反应进行了热力平衡计算和动力学计算。平衡计算的结果表明有ＣＩ元索存在时Ｈｇ的氧化率为１００％，而在相同的条件下动力学计算纺果为Ｈｇ的氧化率在２０％～８０％之间变化，与实验结果吻合。实际的氧化反应是一种超平衡状态，不能达到理想的平衡状态。因此应采用动力学与热力平衡分析相结合的方法研究Ｈｇ在烟气中的反应机理。同时，计算结果显示Ｃｌ含量对Ｈｇ的氧化率的影响很大．     

10～40Gb/s OEIC光接收机前端的最新研究进展

基于OEIC光接收机前端的集成方式和前放电路形式介绍了OEIC光接收机前端的最新研究进展.     

Clifford分析中无界域上正则函数的边值问题

在引入修正Cauchy核的基础上,讨论了无界域上正则函数的带共轭值的边值问题：a(t)Φ (t) b(t)Φ (t) c(t)Φ-(t) d(t)Φ=g(t)．首先给出了无界域上正则函数的Plemelj公式,然后利用积分方程方法和压缩不动点原理证明了问题解的存在唯一性．     

屏蔽人体模型对电磁波吸收的数值模拟研究

本文用时域有限差分法计算了三类电磁特性不同的材料屏蔽下三层无限长椭圆柱人体模型对电磁波的吸收。结果表明 ,功率密度相同 ,频率在 0 .2～ 6GHz之间的平面电磁波照射下 ,模型吸收的能量、能量在体内的分布及两者对入射电磁波频率的敏感程度严重地受到外加屏蔽的影响。考察了屏蔽材料的电磁特性与其屏蔽效能之间的关系。三类材料的比较显示 ,对人体电磁辐射防护 ,耗散材料优于非耗散材料 ,导电材料优于非导电材料。     

VSC8150在波分复用系统开销提取中的应用

波分复用系统将不同波长的光复用在一起进行传输,以满足对传输容量和传输距离的各种需求。介绍了一种开销监视与提取的设计方法,使用VSC8150提取承载在波分复用系统相应波长上SDH信号的开销。分析了VSC8150的工作原理,管脚和外部接口,以及与FPGA、单片机共同完成B1重新计算,开销提取,B1,J0提取。此外,还提出将帧丢失,帧失步等错误状态传送给单片机和网管的方法。本设计增强了波分复用系统网管管理参数,功能和灵活性,这会在系统维护时带来较大的方便。该设计已经成熟应用在实际的波分复用系统中。     

超薄SiO2层的热生长

隧道小孔中超薄ＳｉＯ２的生长是ＥＥＰＲＯＭ电路制造的关键工艺之一。采用ＳＵＰＲＥＭ－Ⅲ工艺模拟程序对超薄ＳｉＯ２的热生长进行了工艺模拟，经过大量的工艺实验及优化，确定了超薄ＳｉＯ２的最佳生长条件，生长出的ＳｉＯ２性能良好，完全可满足ＥＥＰＲＯＭ研制的要求。     

μC/OS-Ⅱ在ADSP-BF531上的移植

介绍源代码公开的实时操作系统μC/OS-Ⅱ的特点、内核结构及ADSP-BF531的硬件特征,同时给出将μC/OS-Ⅱ移植到ADSP-BF531型数字信号处理器上的详细步骤和关键代码.     

基于Delphi的文本数据文件的处理

介绍了IP话费查询系统，针对系统的文本数据文件导入数据库模块和基于用户名的话费查询模块的关键技术作了详细的分析。同时着重介绍了一种采用Delphi开发软件将话单文本文件导入数据库的方法，实验结果表明此方法易于系统管理人员的操作，也使得系统具有较高的灵活性和可靠性。