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采用0.8μm标准数字CMOS工艺(VTN0=0.836V,VTP0=0.930V),设计并流片验证了具有宽工作电压范围(3~6V),可作SOC系统动态电源管理芯片内部误差放大器应用的单电源CMOS运算放大器。该误差放大器芯核同时具有适合低电压工作,并对工艺参数变化不敏感的优点。对于相同的负载情况,在3V的工作电压下,开环电压增益AD=83.1dB,单位增益带宽GB=2.4MHz,相位裕量Φ=85.2°,电源抑制比PSRR=154.0dB,转换速率Sr=2.2V/μs;在6V工作电压下,AD=85.1dB,GB=2.4MHz,Φ=85.4°,PSRR=145.3dB,Sr=3.4V/μs。 相似文献
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波分复用系统将不同波长的光复用在一起进行传输,以满足对传输容量和传输距离的各种需求。介绍了一种开销监视与提取的设计方法,使用VSC8150提取承载在波分复用系统相应波长上SDH信号的开销。分析了VSC8150的工作原理,管脚和外部接口,以及与FPGA、单片机共同完成B1重新计算,开销提取,B1,J0提取。此外,还提出将帧丢失,帧失步等错误状态传送给单片机和网管的方法。本设计增强了波分复用系统网管管理参数,功能和灵活性,这会在系统维护时带来较大的方便。该设计已经成熟应用在实际的波分复用系统中。 相似文献
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借助电子动量谱学结合量子化学理论和其他方法可以给出轨道电子在整个空间的分布信息,由此给出电子运动的完备描述[1,2 ] .清华大学电子动量谱学实验室近几年已成功地对甲烷[3] 、异丁烷[4 ] 、环戊烷[5] 、二乙酰等[6 ] 分子的轨道电子动量分布进行了测量.我们利用第二代电子动量谱仪首次对CH2 F2 分子3a1和2b2 轨道的电子动量谱进行测量,并与理论计算结果作了比较.同时还计算了坐标空间和动量空间中电子在x - y平面的密度分布.电子动量谱学最基本的过程是(e ,2e)反应,即电子与靶粒子碰撞而发生的电离过程.而对于(e ,2e)反应,含有大量信… 相似文献
8.
隧道小孔中超薄SiO2的生长是EEPROM电路制造的关键工艺之一。采用SUPREM-Ⅲ工艺模拟程序对超薄SiO2的热生长进行了工艺模拟,经过大量的工艺实验及优化,确定了超薄SiO2的最佳生长条件,生长出的SiO2性能良好,完全可满足EEPROM研制的要求。 相似文献
9.
介绍源代码公开的实时操作系统μC/OS-Ⅱ的特点、内核结构及ADSP-BF531的硬件特征,同时给出将μC/OS-Ⅱ移植到ADSP-BF531型数字信号处理器上的详细步骤和关键代码. 相似文献
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