全文获取类型
收费全文 | 2312篇 |
免费 | 375篇 |
国内免费 | 482篇 |
专业分类
化学 | 836篇 |
晶体学 | 44篇 |
力学 | 107篇 |
综合类 | 32篇 |
数学 | 218篇 |
物理学 | 632篇 |
无线电 | 1300篇 |
出版年
2024年 | 18篇 |
2023年 | 43篇 |
2022年 | 82篇 |
2021年 | 90篇 |
2020年 | 65篇 |
2019年 | 78篇 |
2018年 | 59篇 |
2017年 | 116篇 |
2016年 | 81篇 |
2015年 | 124篇 |
2014年 | 129篇 |
2013年 | 176篇 |
2012年 | 217篇 |
2011年 | 190篇 |
2010年 | 205篇 |
2009年 | 210篇 |
2008年 | 221篇 |
2007年 | 210篇 |
2006年 | 218篇 |
2005年 | 162篇 |
2004年 | 112篇 |
2003年 | 64篇 |
2002年 | 61篇 |
2001年 | 64篇 |
2000年 | 69篇 |
1999年 | 31篇 |
1998年 | 7篇 |
1997年 | 8篇 |
1996年 | 8篇 |
1995年 | 8篇 |
1994年 | 9篇 |
1993年 | 7篇 |
1992年 | 6篇 |
1991年 | 2篇 |
1990年 | 3篇 |
1989年 | 4篇 |
1988年 | 5篇 |
1987年 | 1篇 |
1986年 | 1篇 |
1985年 | 3篇 |
1982年 | 1篇 |
1979年 | 1篇 |
排序方式: 共有3169条查询结果,搜索用时 203 毫秒
1.
2.
采用0.8μm标准数字CMOS工艺(VTN0=0.836V,VTP0=0.930V),设计并流片验证了具有宽工作电压范围(3~6V),可作SOC系统动态电源管理芯片内部误差放大器应用的单电源CMOS运算放大器。该误差放大器芯核同时具有适合低电压工作,并对工艺参数变化不敏感的优点。对于相同的负载情况,在3V的工作电压下,开环电压增益AD=83.1dB,单位增益带宽GB=2.4MHz,相位裕量Φ=85.2°,电源抑制比PSRR=154.0dB,转换速率Sr=2.2V/μs;在6V工作电压下,AD=85.1dB,GB=2.4MHz,Φ=85.4°,PSRR=145.3dB,Sr=3.4V/μs。 相似文献
3.
4.
5.
6.
波分复用系统将不同波长的光复用在一起进行传输,以满足对传输容量和传输距离的各种需求。介绍了一种开销监视与提取的设计方法,使用VSC8150提取承载在波分复用系统相应波长上SDH信号的开销。分析了VSC8150的工作原理,管脚和外部接口,以及与FPGA、单片机共同完成B1重新计算,开销提取,B1,J0提取。此外,还提出将帧丢失,帧失步等错误状态传送给单片机和网管的方法。本设计增强了波分复用系统网管管理参数,功能和灵活性,这会在系统维护时带来较大的方便。该设计已经成熟应用在实际的波分复用系统中。 相似文献
7.
用于强磁场的快响应真空规的研制进展 总被引:2,自引:2,他引:0
研制了能在强磁场、强干扰环境下工作的快响应真空电离规(快规),用于对HL 2A装置偏滤器室和等离子体附近的中性粒子密度和通量进行原位测量。介绍了快规的结构、工作原理、设计要点以及实验结果。在无磁场的情况下,快规对气体压强的测量范围为6.4×10-6~0.15Pa,在1×10-5~0.15Pa范围内,快规收集极离子流与发射电子流之比与气压保持良好线性关系;在0 15T的磁场下,快规的规管常数未发生显著变化,在规管对称轴与磁力线的夹角小于15o时,规管常数的变化小于10%。 相似文献
8.
隧道小孔中超薄SiO2的生长是EEPROM电路制造的关键工艺之一。采用SUPREM-Ⅲ工艺模拟程序对超薄SiO2的热生长进行了工艺模拟,经过大量的工艺实验及优化,确定了超薄SiO2的最佳生长条件,生长出的SiO2性能良好,完全可满足EEPROM研制的要求。 相似文献
9.
介绍源代码公开的实时操作系统μC/OS-Ⅱ的特点、内核结构及ADSP-BF531的硬件特征,同时给出将μC/OS-Ⅱ移植到ADSP-BF531型数字信号处理器上的详细步骤和关键代码. 相似文献
10.