软件集成测试技术研究

首先分析了集成测试的原理和特点，并指出了集成测试的重要性。然后结合传统软件与面向对象软件开发的方法和技术，详细介绍了传统软件的集成测试方法和策略，并深入分析了面向对象软件集成测试的原理和方法。     

两个回归函数相等的Bootstrap检验

两个回归参数相等性检验一直是统计界感兴趣的问题之一．在这篇文章中，四个检验统计量被用于度量两曲线的差异，在原假设下统计量的分布采用向量数据的重复抽样来逼近，并给出了—些模拟结果．     

硅中铜与电子辐照缺陷的相互作用

本文研究了FZ与CZ硅中铜与电子辐照缺陷的相互作用.实验表明,这种作用使扩铜并经电子辐照的n型FZ硅出现两个未经报道的新的深中心,E(0.043)和E(0.396).前者只存在于FZ硅而不存在于CZ硅.后者在扩铜并经电子辐照的n型FZ和CZ硅中都存在.电子辐照再加适当温度的热处理还可电激活硅中的铜,另外,铜的存在还使硅中双空位的退火温度显著地降低.种种实验表明,在硅中与铜有关的六个主要能级分别对应于六种不同结构的深中心,在这些深中心之中既包含铜又包含点缺陷.其中E(0.043)很可能是铜与间隙硅原子的络合物,而E(0.167)及H(0.411)则很可能是铜与空位的不同形态的络合物.     

水稻花后衰退珠心和胚乳发育初期Ca2+的超微细胞化学定位

应用焦锑酸盐沉淀技术对水稻花后衰退珠心和胚乳发育初期进行了Ca^2 的超微细胞化学定位。结果显示在初始衰退的珠心细胞中Ca^2 主要分布于液泡膜上和核内；在衰退中期的珠心细胞中，Ca^ 主要分布在核膜、液泡膜及质膜上；在严重衰退的珠心细胞，Ca^2 仅存在于液泡中。珠心降解的Ca^2 跨过胚囊壁，通过质外体向胚乳内运输；发育初期的胚乳细胞，Ca^2 主要位于胞间隙，线粒体和液泡中也有少量分布。讨论了Ca^2 与珠心PCD的关系。     

HL—1装置碳化和采用抽气孔栏时的可见辐射观测

本文描述了HL-1装置器壁碳化和采用抽气孔栏时,氢及杂质通量的变化情况;利用多道可见辐射的时空分布测量,得到了MARFE放电,在产生MARFE时,辐射热也相应增强。     

影响产生均匀等离子体状态的几个因素

 用数值模拟方法研究利用辐射加热来产生均匀等离子体状态,它可被用来测量元素的辐射不透明度,校验辐射不透明度理论。研究了在辐射加热铁的“三明治”型靶时影响生成均匀等离子体状态的几个重要因素（样品厚度、CH膜厚度和辐射源）所起的作用，研究发现，当铁等离子体通过热传导达到均匀状态时，其尺度必须与此时的传热距离相当，从而定出铁样品的厚度；低Z介质CH膜对铁等离子体有明显的箍束作用，调整CH膜的厚度可以调节所产生的等离子体状态；调整不同方向上的CH膜厚度，可以控制铁等离子体的膨胀方向，使它尽可能地达到一维膨胀，使得反推出的等离子体密度可以更加准确；样品的种类、厚度以及外面的低Z介质厚度决定了在某时刻能获得的等离子体状态，以及为产生此等离子体状态所需的最低辐射能。     

基于超分子结构共掺杂纳米复合薄膜的制备与荧光特性

为改善功能分了的特性,提出一种基于金属纳米粒子-偶氮染料复合物共掺杂超分子结构功能材料的设计新方法.并依照此方法制备出复合材料,观测了其显微结构,测量了其紫外-可见光吸收,研究了该超分子结构复合体系的荧光特性.实验发现,由于金属银纳米粒子的掺杂,使得超分子结构复合体系中功能分子甲基橙在溶液态体系的荧光强度增强近5倍,而在两种不同结构(共混结构和包覆结构)的薄膜态超分子结构体系中,其荧光强度分别被猝灭15%和20%.研究结果表明,复合膜中采用超分子结构完全能够改善功能分子的特性.     

Effect of Additives on Magnetic Properties of High Frequency MnZn Power Ferrite

In keeping with the advance of more compact and more power-saving electronic equipment, the demand is increasing for smaller and more efficient switching power supply. Therefore, it is necessary to provide the adequate magnetic power ferrite materials to satisfy the demand. Such ferrite materials have to meet the following main requirement: 1) high initial permeability (μ i ); 2) high saturation magnetic induction (Bs); 3) high Curie temperature (Tc); 4) high electrical resistivity (ρ ); 5)…     

P-channel Ge/Si Hetero-nanocrystal Based MOSFET Memory

The charge storage characteristics of P-channel Ge/Si hetero-nanocrystal based MOSFET memory has been investigated and a logical array has been constructed using this memory cell. In the case of the thickness of tunneling oxide T_ox=2nm and the dimensions of Si- and Ge-nanocrystal D_Si=D_Ge=5nm, the retention time of this device can reach ten years(~1×10~8s) while the programming and erasing time achieve the orders of microsecond and millisecond at the control gate voltage |V_g|=3V with respect to N-wells, respectively. Therefore, this novel device, as an excellent nonvolatile memory operating at room temperature, is desired to obtain application in future VLSI.