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1.
CMP系统技术与市场 总被引:3,自引:1,他引:2
葛劢冲 《电子工业专用设备》2003,32(1):17-24
概述了CMP系统技术的发展历史、发展趋势以及在IC生产中的重要性,介绍了国外CMP设备主要制造厂家的设备型号和性能及CMP设备市场分布和需求,阐述了CMP系统技术的基础研究、关键技术和国内研究概况。 相似文献
2.
3.
4.
无偏的岭回归迭代算法 总被引:1,自引:0,他引:1
本文探讨线性模型的无偏的岭回归迭代算法,这种算法保持最小二乘法的性质,当存在较为严重的共线性时,它能给出较为精确的参数及其协差阵的估计值;当存在严格的共线性时,给出参数及其协差阵的无穷多解中的一个,这个解由初值决定。文章还给出了算法的收敛性及一些其它性质的证明。 相似文献
5.
报道了一种弥散型金属薄膜逾渗系统的制备方法和研究结果。从实验发现这种新型的逾渗系统具有异常的R-I关系、三次谐波系数与独特的电流临界规律。分析表明:这些特性与此类薄膜逾渗结构随电流增大而逐渐变化的过程有关,是由沿膜横向逐渐变化的局域隧道电流(LDTC)与跳跃电导(LDHC)效应引起的。 相似文献
6.
静压下ZnS:Te中Te等电子陷阱的发光 总被引:2,自引:2,他引:0
研究了4块ZnS:Te薄膜样品(Te组分从0.5%到3.1%)的光致发光谱在常压下的温度特性.对于Te组分较小的2块样品观察到2个发光峰,分别来自Te1和Te2等电子陷阱;而对Te组分较大的2块样品则只观察到1个来自Te2等电子陷阱的发光.我们还研究了这些发光峰在低温1.5K下的流体静压压力行为.观察到与Te1有关的发光峰压力系数比ZnS带边的要大很多,而与Te2有关的发光峰压力系数则比带边小.根据Koster-Slater模型,价带态密度半宽随压力的增加是Te1中心有较大压力系数的主要原因,而Te1和Te2中心的不同压力行为则是由于压力对两者缺陷势增强的不同效果引起的. 相似文献
7.
8.
9.
地域通信网的干扰技术研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本文在分析地域通信网结构及组成的基础上,研究了对地域通信网实施的节点破坏、末端信息封锁、局部阻塞瘫痪等对抗方法,并使用干扰地域通信网的程度、节点干扰率、末端节点封锁率和传递信息误差率等指标对干扰效果进行评估。 相似文献
10.