基于完全互补码波形的非零多普勒目标检测

本文将完全互补码(Complete Complementary Code, CCC)应用于多输入多输出(Multiple Input Multiple Output, MIMO)雷达目标探测中，针对具有非零多普勒的多目标检测问题，提出一种基于广义普洛黑-修-莫尔斯(Generalized Prouhet-Thue-Morse, GPTM)序列和二项式系数加权的信号处理方法。该方法分别在发射端和接收端进行处理，在发射端采用GPTM序列设计方法调整脉冲的发射顺序，以降低由多普勒引起的距离旁瓣；在接收端通过二项式设计(Binomial Design, BD)方法为各接收脉冲加上不同权重，扩大目标多普勒附近的清洁区。为综合上述两次处理的优势，将两次处理得到的距离多普勒谱进行逐点最小化处理，得到最终的距离多普勒谱，然后进行有序恒虚警检测。仿真结果表明，本文所提的信号处理方法具有良好的旁瓣抑制效果和多普勒分辨率，能够有效检测出非零多普勒目标。     

使能未来工厂的5G能力综述

5G系统将移动通信服务从移动电话、移动宽带和大规模机器通信扩展到新的应用领域，即所谓对通信服务有特殊要求的垂直领域。对使能未来工厂的5G能力进行了全面的分析总结，包括弹性网络架构、灵活频谱、超可靠低时延通信、时间敏感网络、安全和定位，而弹性网络架构又包括对网络切片、非公共网络、5G局域网和边缘计算的支持。希望从广度到深度，对相关的理论及技术应用做透彻、全面的梳理，对其挑战做清晰的总结，从而为相关研究和工程技术人员提供借鉴。     

“电工学”国家级一流课程建设与实践

根据新时代新工科人才需求特点和电工学课程特点,分析非电专业学生的电类实践需求,提出构建电工学课程为核心的电工电子实践创新能力培养新体系。通过优化教学内容、开展教学模式和考核模式改革、构建教学资源体系和进行教师队伍建设,使我校电工学课程教学质量提升、学生工程实践和创新能力提高、学生满意度增加、一流课程建设成效显著。     

OBE-CDIO理念下“集成电路版图分析与设计”课程教学改革与探索

针对目前集成电路版图分析与设计课程存在教学方法老化、教学模式形式化等问题,本文以OBE-CDIO教育理念为指导,对”集成电路版图分析与设计”课程的课程教学模式、课程设计、项目式教学方式和课程考核方式等方面的改革进行有益的探索与实践。将工程教学认证中对学生的专业毕业要求作为制定教学目标的依据,将BB网络平台、ISO9001等现代化教学资源和质量标准融入课堂教学,采用OBE-CDIO能力教学理念指导课程设计,实现教学环节与考核环节的科学化与多元化,通过引入课程思政激发学生学习热情,树立社会主义核心价值观,全面地培养学生的综合版图分析与设计能力和素养。     

应变纤锌矿ZnO/MgxZn1-xO量子点中离子施主束缚激子的光学性质

Within the framework of the effective-mass approximation and the dipole approximation, considering the three-dimensional confinement of the electron and hole and the strong built-in electric field(BEF) in strained wurtzite Zn O/Mg0:25Zn0:75O quantum dots(QDs), the optical properties of ionized donor-bound excitons(D+, X)are investigated theoretically using a variational method. The computations are performed in the case of finite band offset. Numerical results indicate that the optical properties of(D+, X) complexes sensitively depend on the donor position, the QD size and the BEF. The binding energy of(D+, X) complexes is larger when the donor is located in the vicinity of the left interface of the QDs, and it decreases with increasing QD size. The oscillator strength reduces with an increase in the dot height and increases with an increase in the dot radius. Furthermore, when the QD size decreases, the absorption peak intensity shows a marked increment, and the absorption coefficient peak has a blueshift. The strong BEF causes a redshift of the absorption coefficient peak and causes the absorption peak intensity to decrease remarkably. The physical reasons for these relationships have been analyzed in depth.     

零维到三维结构中三核铜自旋阻挫簇单元的磁构关系和反对称交换

量子自旋液体是最近几年刚被人们证实除铁磁体、反铁磁体之外的第三种磁性类型,因其有望解释高温超导的运行机制、改变计算机硬盘信息存储方式而在物理、材料等领域备受关注。自旋阻挫作为量子自旋液体的最小单元可能是解开量子自旋液体诸多问题的钥匙,所以在磁学、电学研究领域再一次成为人们研究的热点。基于文献报道的三核铜配合物[Cu3(μ3-OH)(μ-OPz)3(NO3)2(H2O)2]·CH3OH(1),我们合成了三维金属有机框架配合物{[Ag(HOPz)Cu3(μ3-OH)(NO3)3(OPz)2Ag(NO3)]·6H2O}n(2)(HOPz=甲基(2-吡嗪基)酮肟),并从自旋阻挫的角度对二者磁性质进行对比和详细分析。磁化率数据表明自旋间有很强的反铁磁相互作用和反对称交换。通过包含各向同性和反对称交换的哈密顿算符对两者磁学数据进行拟合并研究其磁构关系,所获最佳拟合参数为:配合物1:Jav=-426 cm^-1,g⊥=1.83,g∥=2.00;配合物2:Jav=-401 cm^-1,g⊥=1.85,g∥=2.00。     

THE effect of Srandom DOPANT fluctuation on threshold voltage and drain current variation in junctionless nanotransistors

We investigate the effect of dopant random fluctuation on threshold voltage and drain current variation in a two-gate nanoscale transistor. We used a quantum-corrected technology computer aided design simulation to run the simulation (10000 randomizations). With this simulation, we could study the effects of varying the dimensions (length and width), and thicknesses of oxide and dopant factors of a transistor on the threshold voltage and drain current in subthreshold region (off) and overthreshold (on). It was found that in the subthreshold region the variability of the drain current and threshold voltage is relatively fixed while in the overthreshold region the variability of the threshold voltage and drain current decreases remarkably, despite the slight reduction of gate voltage diffusion (compared with that of the subthreshold). These results have been interpreted by using previously reported models for threshold current variability, load displacement, and simple analytical calculations. Scaling analysis shows that the variability of the characteristics of this semiconductor increases as the effects of the short channel increases. Therefore, with a slight increase of length and a reduction of width, oxide thickness, and dopant factor, we could correct the effect of the short channel.     

面向航空通信应用的边沿触发器教学设计

研究和分析了面向航空通信应用的边沿触发器教学设计。以边沿触发电路实现原理为核心,引导边沿触发机制的探究式学习；以航空机载网络通信为具体应用背景,引入科学研究和工程实现中实际问题,设计曼切斯特码检测系统实验；使得边沿触发器教学成为“知识再创造”的过程和创新实践的新载体,以期培养新工科背景下的独立、创新和实践精神。     

基于三相幅度测量的相控阵天线快速校准方法

提出了一种基于三相幅度测量的相控阵天线快速校准方法。该方法将天线阵列进行分组,利用每种分组在三种配相下的阵面合成场幅度测量值,可解算出各个天线单元的初始幅相值。该方法仅需幅度测量,避免了相位测量误差影响单元幅相值的计算精度,而且所需幅度测量次数仅为(2N+1)次,可显著提高校准时效性。另外,利用分组思想,同时改变多个单元相位,使总辐射场的幅度变化显著,提升校准准确性。仿真结果表明:校准后相位均方根误差为2.2°,幅度均方根误差为0.2 dB。