基于三相幅度测量的相控阵天线快速校准方法

提出了一种基于三相幅度测量的相控阵天线快速校准方法。该方法将天线阵列进行分组,利用每种分组在三种配相下的阵面合成场幅度测量值,可解算出各个天线单元的初始幅相值。该方法仅需幅度测量,避免了相位测量误差影响单元幅相值的计算精度,而且所需幅度测量次数仅为(2N+1)次,可显著提高校准时效性。另外,利用分组思想,同时改变多个单元相位,使总辐射场的幅度变化显著,提升校准准确性。仿真结果表明:校准后相位均方根误差为2.2°,幅度均方根误差为0.2 dB。     

纳米AlN粉末的制备与烧结

利用低温燃烧合成前驱物制备出平均粒度为100 nm的AlN陶瓷粉末,比较了该粉末的常压烧结和放电等离子烧结的特性.实验表明:以合成的AlN粉末为原料,添加5%(质量比)Y2O3作为烧结助剂,在常压、流动N2气氛下1600℃保温3 h,制备出平均晶粒尺寸为4～8 μm、密度为3.28 g·cm-3的AlN陶瓷;将同样的粉末不加任何烧结助剂,采用SPS技术在1600℃保温4 min,得到密度为3.26 g·cm-3的AlN陶瓷,晶粒度约为1～2μm.     

Improvement of RCA transistor using RTA annealing after theformation of interfacial oxide

A polysilicon emitter RCA transistor (an ultra-thin interfacial oxide layer exists between polysilicon and silicon emitter) is presented which can operate at 77 K for the first time. An ultra-thin (1.5 nm) interfacial oxide layer is grown deliberately between polysilicon and silicon emitter using RCA oxidation and excellent device stability is obtained after rapid thermal annealing (RTA) treatment in nitrogen atmosphere. The RCA transistor exhibits good electrical performance at very low temperature for an emitter area of 3 × 8 μm². The maximum toggle frequency of a 1:2 static divider is 1.2 GHz and 732 MHz at 300 K and 77 K, respectively     

曲轴箱窜气量检测仪的研制

介绍了车用压差式气体流量传感器的结构设计和电测电路，指出了传感器的使用范围，由实验测出了特性曲线．该仪器可检测车用发动机曲轴箱窜气量，适用于发动机不解体故障诊断．     

蓝宝石R面上ZnO薄膜的NH3掺杂研究

以NH₃为掺杂源,利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)系统在蓝宝石R面上生长出掺氮ZnO薄膜。通过XRD,SEM测量优化了其生长参数,在610℃和在80sccm的NH₃流量下生长出了〈1120〉单一取向的ZnO薄膜。经Hall电阻率测量,得知该薄膜呈现弱p型或高电阻率,并对其光电子能谱进行了研究。     

VS2005—高校实验设备网络化管理的利器

高校实验设备实施网络化管理,能够极大提高设备信息的透明度,提高实验设备管理的效率,进一步优化管理工作.VS2005是开发高校设备管理网站的一种简单易学、功能强大的工具.现给出了一个基本的高校实验设备管理网站开发的全过程.     

MSP-G320240DBCW-211N大规模点阵式LCD与PIC单片机接口技术

介绍了大规模点阵式液晶显示器MSP-G320240DBCW-211N的特点及其与PIC18F6620单片机的接口技术，提出了应用过程中可能遇到的问题和解决方法．给出相关的C程序设计并在研制的智能光电检测仪器上得以成功地应用。     

空间有源消声的微机控制

本文讨论用通用微机控制空间有源消声．以修正的PID（比例、积分、微分）算法加上逻辑判断构成的控制软件，使得系统收敛迅速，跟踪速度快，消声效果令人满意，而且系统工作稳定可靠，     

Si1－xGex/Si量子阱发光材料的分子束外延生长及其结构研究

采用固源Si分子束外延,在较高的生长温度于Si(100)衬底上制备出Si1－xGex/Si量子阱发光材料。发光样品的质量和特性通过卢瑟福背散射、X射线双晶衍射及光致发光评估。背散射实验中观察到应变超晶格的反常沟道效应;X射线分析表明材料的生长是共度的、无应力释放的,结晶完整性好。低温光致发光主要是外延合金量子阱中带边激子的无声发射和横光学声子参与的激子复合。并讨论了生长温度对量于阱发光的影响。     

复射线展开法分析圆柱面对平面波散射的精度问题

讨论了用复射线展开法计算圆柱面对入射平面波散射时的计算误差特性，提出了控制其计算精度的复射线展开参数选择方法，证实了通过恰当选择展开参数可以有效地提升计算精度、实现误差控制。