基于DS P的PTCR多功能参数测试仪

利用数字信号处理器控制外围接口电路，对多路热敏电阻测试电路执行依次通/断电操作，循环执行，以测试其老化性能，循环次数由用户设定。在每次测试第一次通电过程中，控制动作时间比较电路启动，同时数字信号处理芯片自动记录每一路的热敏电阻的动作时间数据，并进行处理。该系统可以同时测试30只热敏元件。     

（MgCoNi）O厚膜氧传感器的制备及特性研究

对厚膜（ＭｇＣｏＮｉ）Ｏ氧敏元件进行了制备，对元件的高温电导与氧分压关系进行了测试，微观结构分析及性能测试表明，当氧敏浆料中的玻璃相含量适当时，氧敏元件具有较大的机械强度及优异的氧敏工作特性。     

PTCR耐电流冲击自动测试仪

为满足PTCR生产中耐电流冲击特性测试的要求，研制了多工位PTCR耐电流冲击特性测试。采用计数器、通／断定时器及以TPIC6B595集成芯片为核心的通断时序控制接口电路，实现各个工位的先通先断，从而保证各个工位通断时间满足测试要求，保证了PTCR耐电流冲击性能的准确、高效测试；各通道具有独立的自动过电流保护电路，既保护了测试夹具，又使仪器本身的可靠性大大提高。     

施主掺杂对TiO2氧敏材料缺陷化学的影响

对施主V2O5掺杂TIO2材料的高温电导进行了详细的测试：XRD分析表明少量施主掺杂并未改变材料的金红石结构；施主掺杂样品在较高温度测试时，在高氧分压一侧，发生电导类型转变，从而使测氧范围变窄。运用缺陷化学分析法，解释了不同氧分压下的电导机制。     

BCZT的熔盐法制备和电学性能研究

采用熔盐法制备了(Ba_(0.85)Ca_(0.15))(Zr_(0.1)Ti_(0.9))O_3(BCZT)无铅压电陶瓷。研究了熔盐法制备的工艺参数包括预烧温度和熔盐比例。通过X线衍射(XRD)、电镜扫描电子显微镜(SEM)等分析了不同工艺参数对该陶瓷物相结构、微观面貌和电学性能的影响。结果表明,在预烧温度为900℃,反应物与熔盐的质量比(熔盐比)为1∶1时,陶瓷样品可获得最佳综合电学性能:剩余极化强度为10.8μC/cm~2,压电常数为366pC/N。     

基于WIN98的实时温控系统

介绍了WIN98下采用VC^ 控件实现上位微机与智能型专家自整定PID调节器串行通信的方法，从而实时控制炉温。     

基于机会发射的手机雷达及其关键技术探讨

手机雷达是无源雷达发展的重要方向之一,具有抗干扰、抗反辐射导弹、抗低空突袭和反隐身、灵活轻便、价廉等许多优势,有重要的军民两用价值。本文简要回顾了无源雷达的发展历程,给出手机雷达的概念,分析了手机雷达的关键技术,对手机雷达的研发具有启发意义。     

BaTiO_3半导瓷失效机理及可靠性增长技术

为了提高BaTiO3半导瓷的可靠性,系统地研究了可靠性增长技术。针对BaTiO3半导瓷不同的失效模式,重点研究了瓷体电场分布、电阻率及温场分布、热应力、电极界面应力对BaTiO3半导瓷可靠性的影响及其作用机理,并从原材料控制、材料配方设计、均匀化技术、电极技术及测试技术等方面提出了增加可靠性的方法。     

放电管击穿电压测试模块的设计与实现

通过8255接口芯片,将计算机和外围硬件联结起来,组成了放电管直流击穿电压自动测试系统。该系统采用顺序加压机制,由计算机采样确定击穿电压,并根据相关标准判别元件的好坏。由于采用阵列结构,计算机自动转换测量电压,测试效率大为提高,测得数据重复性好。系统人机界面友好,操作简单方便,可靠性高。     

高温高频用改性PbTiO3压电陶瓷材料研究

研究了Ｐｂ（Ｃｄ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３、Ｂｉ２／３（Ｃｄ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３以及Ｂｉ（Ｃｄ１／２Ｔｉ１／２）Ｏ３改性的ＰｂＴｉＯ３陶瓷的高温高频压电性能。结果表明，对ＡＢＯ３型钙钛矿结构的ＰｂＴｉＯ３进行Ａ、Ｂ位复合取代可得到压电性能优良，适合于高温高频应用的压电陶瓷材料。其优良的压电性能及较好的温度稳定性与Ａ位取代的Ｂｉ３＋离子价态、离子半径及Ｂ位取代的复合钙钛矿结构化合物较高的居里温度有关