脉冲激光沉积法生长Zn1-xMgxO薄膜

采用脉冲激光沉积法,生长出没有组分偏析,晶体质量好的Zn1-xMgxO薄膜(x=0.2).研究了衬底温度对Zn0.8Mg0.2O薄膜晶体质量、晶粒度大小的影响,发现最佳衬底温度为650℃左右.对Zn0.8Mg0.2O薄膜进行了光致发光分析,发现相对ZnO晶体有0.4eV的蓝移.     

氧化铝模板法制备Ge纳米线

采用氧化铝模板法结合具有高真空背景的低压化学气相沉积技术制备出 Ge纳米线 .在氧化铝模板的背面喷金作为催化剂 ,合成了 Ge纳米线 .采用原子力显微镜、X射线衍射、透射电镜、能量散射谱等手段对 Ge纳米线进行了分析 .Ge纳米线的直径约为 30 nm,长度超过 6 0 0 nm.对 Ge纳米线的生长机理进行了探讨 .     

氧化铝模板法制备Ge纳米线

采用氧化铝模板法结合具有高真空背景的低压化学气相沉积技术制备出Ge纳米线.在氧化铝模板的背面喷金作为催化剂,合成了Ge纳米线.采用原子力显微镜、X射线衍射、透射电镜、能量散射谱等手段对Ge纳米线进行了分析.Ge纳米线的直径约为30nm,长度超过600nm.对Ge纳米线的生长机理进行了探讨.     

Room-temperature electroluminescence of p-ZnxMg（1-x）O：Na/n-ZnO p-n junction light emitting diode

p-ZnxMg1-xO：Na/n-ZnO p-n junction light emitting diode （LED） was produced on n-ZnO （0001） single-crystal substrate using pulsed laser deposition. The realization of band gap engineering was achieved by the incor-poration of Mg in ZnO layers and was confirmed by photoluminescence spectrum. The p-type ZnxMg1-xO：Na film with low resistance was obtained at 500 ℃ and in which, Na has taken effect evidenced by Hall and X-ray photo-electron spectroscopy measurements. The current-voltage curve of LED showed a rectifying behavior and obvious electroluminescence was realized by feeding a direct current up to 40 mA. Furthermore, its structural and electric characters are discussed as well.     

半导体量子点的生长机理及特性

阐述了半导体量子点自组织生长方法的基本原理,并介绍了半导体量子点的一些特性,如激子束缚能、载流子动力学、排列规则和光学性质。     

退火处理对ZnO薄膜结晶性能的影响

研究了退火处理对ZnO薄膜结晶性能的影响.ZnO薄膜由直流反应磁控溅射技术制得,并在O2气氛中不同温度(200～1000℃)下退火,利用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和X射线光电子能谱(XPS)对其结晶性能进行了研究,提出了一个较为完善的ZnO薄膜退火模型.研究表明:热处理可使c轴生长的薄膜取向性增强;随退火温度的升高,薄膜沿c轴的张应力减小,压应力增加;同时晶粒度增大,表面粗糙度也随之增加.在640℃的应力松弛温度(SRT)下,ZnO薄膜具有很好的c轴取向,沿c轴的应力处于松弛状态,晶粒度不大,表面粗糙度较小,此时ZnO薄膜的结晶性能最优.     

锗硅碳合金的制备及性能研究进展

三元合金ＳｉＧｅＣ中处于替代位置的碳能缓解ＳｉＧｅ合金的应变，并同时调节其能带结构。碳的加入对锗硅材料中应变的缓解及合金能带合金能带结构的影响，尤其是弛豫状态下的锗硅材料及锗硅碳材料的调节作用本文进行了总结，冻对其制备的方法机理做了分析。     

碳对Si_(1-x-y)Ge_xC_y合金氧化的影响

利用椭圆偏振仪 (EL)、傅里叶红外光谱 (FTIR)研究了 Si1 - x- y Gex Cy 合金分别在 90 0℃和 10 0 0℃干氧气氛下形成氧化物的生长动力学 .结果表明 :在 90 0℃氧化时 ,随着合金中的替代碳含量的增加 ,氧化速率逐渐下降 ;而在 10 0 0℃下氧化超过 10 min后 ,Si1 - x- y Gex Cy 合金的氧化基本上与碳的含量无关 ,与 Si1 - x Gex 的行为一致 .这主要是由于在 10 0 0℃比较长时间的氧化过程中 ,替代位的碳逐渐析出形成 β- Si C沉淀 ,失去了对氧化过程的影响作用 .研究表明对于 Si1 - x- y Gex Cy 薄膜和器件的应用来说 ,氧化的温度必须要小于 10 0 0℃ .     

多孔硅上生长Ge量子点的光学特性

采用量子尺寸的多孔硅作为衬底 ,利用区域优先成核在多孔硅表面上成功地生长了 Ge量子点 .由于量子限制效应锗的 PL 谱发生了明显的蓝移 ,计算表明在傅里叶红外光谱中观察到的中红外 (5— 6 μm)吸收峰是源于量子点中的亚能带跃迁 (两个重空穴能级之间的跃迁 ) ,这为 Ge量子点红外光探测器的应用提供了理论基础     

UHV/CVD外延生长锗硅碳三元合金中碳的应变缓解效应

碳的加入为Si-Ge系统在能带和应变工程上提供了更大的灵活性.处于替代位置的碳可以缓解SiGe合金的应变,同时调节其能带.报道了用UHV/CVD生长的掺碳达2.2％的锗硅碳合金,获得了良好的外延层质量,应变缓解效应明显.使用了X射线衍射(XRD),二次离子质谱(SIMS)与高分辨电子透射显微镜(HRTEM)对外延层进行检测;使用傅里叶红外吸收光谱(FTIR)确定碳原子处于替代位置,并对实验结果进行了讨论.