ADC测试中INL与THD之间的关系

随着ADC测试技术的不断发展,码密度直方图技术以及采用正弦波输入的离散傅里叶变换(DFT)频域分析技术已经被广泛应用到ADC的仿真和测试分析中。相对于采用DFT进行频域分析获取ADC的动态性能的复杂性来说,采用码密度直方图的方法能简单地得到微分非线性(DNL)和积分非线性(INL)这两个静态性能指标。文章通过对一个10位ADC的行为级模型的仿真分析,阐述了总谐波失真(THD)与INL之间的内在联系,从而提出了通过对INL的测试来评估ADC的THD性能的方法,对今后ADC电路的测试和评估具有指导意义。     

后端工艺的N型欧姆接触

文章首先从原理上较为全面地阐述了欧姆接触形成的必要条件和广泛应用,其次主要针对工艺生产过程中产生的多种n+欧姆接触不良情况进行了汇总分析并提供了相应解决方案。提出了等离子损伤对欧姆接触电阻有较大影响并对此进行实验对比验证。伴随着现代工艺的不断发展进步,欧姆接触电阻将会在电路设计应用中越来越受到重视并发挥重大作用。     

深槽介质工艺制作高密度电容技术

随着系统向高速度、低功耗、低电压和多媒体、网络化、移动化的发展,系统对电路的要求越来越高,在需求牵引和技术推动的双重作用下,出现了将整个系统集成在一个微电子芯片上的系统芯片(System On A Chip,SOC)概念。采用SOC的设计方式可以使芯片面积向小尺寸、高集成度方向发展。SOC设计的系统芯片能够得以实现是以不断发展的芯片制造技术为依托的。文章介绍了基于深槽介质工艺制作高密度电容的技术,通过深槽工艺技术实现大的存储电容。该电容制作采用深槽刻蚀、ONO介质、原位掺杂多晶(ISDP)填充等工艺技术,可以增加电容密度达20倍,提高了电路集成度,其性能优良、漏电极低。     

高温电子辐照硅中缺陷的研究

本文对高温电子辐照硅中产生的缺陷进行了研究,发现缺陷的引进率随电子辐照温度的增加而增加,在达到极值温度T_m后,缺陷的引进率将随之而下降,T_m值与缺陷的退火激活能有关。E₃缺陷(E_c—0.36eV)浓度在高温电子辐照中显著增加,在330℃高温电子辐照时,E₃缺陷浓度为室温电子辐照的6倍。研究结果表明,E₃缺陷的可能结构为与多空位和氧有关的复合体。 关键词：