用一次扩散获得不同硼杂质浓度和结深的研究

本文提出一种用一次扩散获得不同硼杂质浓度和结深的器件制造方法,它是利用高浓硼杂质穿透二氧化硅层的选择扩散来实现的。采用这一方法,既能保证平面晶体管本征基区所要求的杂质总量和结深,又可同时制得杂质总量和结深均较大的非本征基区,有利于避免表面沟道效应,减小基区电阻以及减弱基区下陷效应的影响,从而改善分立器件和集成电路的性能。此外,在集成电路中采用类似的方法,还可以同时获得不同β的晶体管和方块电阻不同的硼扩散电阻器,从而增加了集成电路设计的灵活性。     

沟道大电流感应n沟金属-氧化物-半导体场效应晶体管栅氧化层的加速击穿

本文研究n沟金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET’s)的栅氧化层的击穿特性。由于受导电沟道横向电场产生的沟道大电流的影响,MOSFET’s的栅氧化层的动态击穿场强远低于有相同栅氧化层的MOS电容器的静态击穿场强。耗尽型MOSFET’s的栅氧化层动态击穿场强主要由漏-源穿通电压决定,而增强型器件主要由深耗尽层击穿电压决定。无论是耗尽型还是增强型器件,栅电压在一定范围内增加时,栅氧化层动态击穿场强下降。     

结构参数对Ba1-xLaxTiO3多功能传感器敏感特性的影响

对三种二氧化硅层厚度 (1 0 nm、2 5 nm、40 nm)的器件进行测试 ,研究二氧化硅层的厚度对 Ba1 - x Lax Ti O3多功能传感器敏感特性的影响。结果表明 ,对于 MIS电容传感器 ,氧化层越薄 ,湿敏灵敏度越高 ,湿滞越小 ;相反 ,对于薄膜电阻传感器 ,氧化层越厚 ,光敏灵敏度越高。总之 ,选择一个合适的氧化层厚度 ,器件可以同时具有较高的湿敏、光敏灵敏度。     

背面Ar~+轰击对n~-沟MOSFET特性的影响

研究了低能量背面 Ar+轰击对 n-沟 MOSFET特性的影响 .用低能量 (5 5 0 e V)氩离子束轰击 n-沟 MOSFET芯片的背面 ,能改善其阈值电压 VT、跨导 gm、沟道电导 gd 和有效迁移率 μeff等参数 .结果表明 ,随着轰击时间的增加 ,阈值电压先减小 ,随后变大 ;而跨导、沟道电导和有效迁移率先增大 ,随后减小 .实验证明 ,上述参数的变化是由于界面态密度和固定电荷密度变化的结果     

硅衬底Sr_(1-x)La_xTiO_3薄膜光敏特性研究

利用氩离子束镀膜技术在 Si O2 / Si衬底上淀积钛酸镧锶 (Sr1 - x L ax Ti O3)膜 ,并制成平面型电阻器。研究了薄膜电阻器的光电流与照度、电压和电极间距的关系以及薄膜在调制光下的频率特性 ,计算出薄膜中载流子寿命约为 2 9ms。结果表明 ,Sr1 - x L ax Ti O3薄膜在可见光区域具有较好的光敏特性 ,其灵敏度和光电导增益都比较高。在弱照度下 ,光电流随照度变化较快 ,主要与单分子复合过程相关 ;而在强照度下 ,变化趋于缓慢 ,这与双分子复合过程有关     

携带气体对二氧化硅干法刻蚀的影响

文章研究了采用氩气和氦气作携带气体时气体流量对刻蚀速率、均匀性和选择比等主要刻蚀参数的影响。实验结果表明，当采用氩气作携带气体时，其流量选择在氩气：刻蚀气体≈1：1时，刻蚀结果优化；当选择氦气作携带气体时，其流量选择在氦气：刻蚀气体≈2：1时，刻蚀结果优化。氩气和氦气相比，氩气更具优越性。     

不同沟道长度对n沟MOSFET退化特性的影响

研究不同沟道长度n 沟道MOS场效应晶体管的热载流子效应对其退化特性的影响.实验结果表明,随着器件沟道长度的减小,其跨导退化明显加快,特别是当沟道长度小于1mm时更是如此.这些结果可以用热载流子注入后界面态密度增加来解释.     

背面Ar~+轰击对n-MOSFET低频噪声的影响

研究了低能量背面Ar+轰击对n沟MOSFET低频噪声的影响 .用低能量 ( 5 5 0eV)的氩离子束轰击n沟MOSFET芯片的背面 ,能改善其饱和区和线性区的低频噪声频谱密度 .饱和区低频噪声的减小可用载流子迁移率模型解释 ,而线性区低频噪声的减小可用载流子数模型解释 ;其变化的原因可能与氩离子束背面轰击后反型层电子的有效迁移率、二氧化硅中的固定电荷密度以及硅 二氧化硅界面的界面态密度的变化有关.     

GaAs MESFET的热电子应力退化

进行GaAs MESFET的热电子应力试验,在24V≤VDS≤28V,-5．5≤VGS≤-4V的应力条件下,热电子效应将导致GaAs MESFET直流参数的严重退化。退化模式主要表现为饱和漏电流如s减小,跨导gn减小,夹断电压Vp增大,击穿电压增大。从微波性能方面来看,热电子效应器件的输出功率增益大幅度下降。退化机理主要是栅漏区表面及栅边缘俘获负电荷。