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为了研究失配应变的弛豫机理,利用高分辨电子显微镜(HREM)对超高真空化学气相沉积(UHVCVD) Si/SiGe-OI材料横截面的完整形貌和不同层及各层之间界面区的高分辨晶格像进行观察.发现此多层结构中存在60°位错和堆垛层错.结合Matthews和Blakeslee提出的临界厚度的模型和相关的研究结果对60°位错组态的形成和存在原因进行了分析.在具有帽层结构的Si1-xGex应变层靠近基体一侧的界面中仅存在单一位错,验证了Gosling等人的理论预测结果. 相似文献
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对一类五次平面多项式微分系统进行了定性分析.给出原点的中心与等时中心条件及极限环的存在性.研究了此系统无穷远点的性态,该无穷远点是高次奇点,并运用把大角域分为若干小角域的方法对此高次奇点在不定号情形下轨线的分布情况进行讨论. 相似文献
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该文研究一类五次多项式微分系统在高次奇点与无穷远点的极限环分支问题. 该系统的原点是高次奇点, 赤道环上没有实奇点. 首先推导出计算高次奇点与无穷远点奇点量的代数递推公式,并用之计算系统原点、无穷远点的奇点量,然后分别讨论了系统原点、无穷远点中心判据. 给出了多项式系统在高次奇点分支出5个极限环同时在无穷远点分支出2个极限环的实例. 这是首次在同步扰动的条件下讨论高次奇点与无穷远点分支出极限环的问题. 相似文献
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For a class of real fifth system, the first 8 singular point quantities of the origin and the first 6 singular point quantities of the equator are obtained, and at the same time, the two highest-order cases are proved respectively. Moreover, the problems of stability and limit cycle bifurcated from the origin and the equator are studied comparatively, then some better results are obtained. 相似文献
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一类2n+1次多项式微分系统的局部极限环分支 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了一类2n 1次多项式微分系统在原点的局部极限环分支问题,通过计算与理论推导得出了该系统原点的奇点量表达式,确定了系统原点的中心条件以及最高阶细焦点的条件,并在此基础上构造出系统在原点分支出4个极限环的实例. 相似文献
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