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TiO2薄膜的结构和光学性质的研究 总被引:9,自引:0,他引:9
以金属钛为靶材,用反应射频溅射法制备了TiO2薄膜,并在600-900℃下进行了热处理,经XRD测量,在600-800℃下TiO2薄膜为锐钛矿和金红石两种结构的混合态,在900℃下TiO2薄膜为纯金红石结构,研究TiO2薄膜的SEM照片和UV-vis透射光谱发现,不同的热处理温度会影响TiO2薄膜中锐矿和金红石两种结构的比例,从而导致TiO2薄膜的微观形貌,折射率,禁带宽度等性质的变化。 相似文献
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提出了一个基于步进电机非线性折射率测控系统.整个系统以AT89C51单片机为核心,设计了步进电机驱动电路,光电探测电路和A/D转换电路实现对非线性折射率的测量.用VC++6.0编写了上位机软件,实现单片机与上位机通信,对测量数据的分析、处理以及对整个测控系统的控制. 相似文献
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射频溅射法制备掺杂SnO2纳米薄膜的研究 总被引:4,自引:0,他引:4
采用射频反应溅射法在氧化处理后的单晶硅基片上制备SnO2纳米薄膜,并在薄膜中掺杂Sb和Pd用于改变薄膜的气敏特性.运用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)对薄膜的结构和表面形貌进行分析.结果表明,SnO2薄膜具有四方金红石结构,适量掺杂对SnO2薄膜结构无影响;薄膜晶粒粒径小于150nm,且粒径随退火温度的升高而增大.采用Debye—Scherrer简化公式计算了薄膜晶粒粒径,分析了计算值与SEM观测值之间产生误差的原因.经700℃的温度退火后,掺原子比Pd为2%和Sb为2%的薄膜对酒精气体具有很高的灵敏度. 相似文献
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SnO2气敏薄膜的制作与性能研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用射频溅射法制备了SnO2气敏薄膜,并在薄膜中掺杂Sb2O3和Pt用于气敏薄膜的增敏.使用XRD对制备的薄膜进行了结构分析,测量了薄膜的吸收光谱和电阻,并研究了薄膜工艺条件的改变对薄膜结构和性能的影响.结果表明,不同退火温度下处理的氧化锡薄膜均为金红石结构,退火温度对薄膜的晶粒尺寸和电阻有较大影响:退火温度愈高,薄膜中形成的晶粒越完整,晶化程度愈高;电阻率随着退火温度的升高而降低,考虑到气敏薄膜的敏感性能,本文选取1100℃为最佳退火温度.由于掺杂的影响,在氧化锡的禁带中产生了杂质能级,使薄膜对2722nm附近的红外光波产生了强烈吸收. 相似文献
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用射频反应溅射法制备了掺铂的TiO2薄膜.用X射线衍射仪(XRD),紫外-可见(UV—vis)光谱仪,电子扫描显微电镜(SEM)和X光电子能谱分析仪(XPS)对薄膜的基本性质进行了表征.研究结果表明:掺铂可以显著促进锐钛矿相的生长;TiO2薄膜在紫外的吸收边发生红移,其光谱响应范围得到了提高;铂氧化物的分解,促使薄膜表面出现了分散分布的微米尺寸岛状突出物,同时导致单质铂在薄膜表面发生富集. 相似文献
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