MOSFET亚阈特性分析与低温按比例缩小理论的研究

器件尺寸按比例缩小是实现超大规模集成电路的有效途径，但寄生和二级效应却将器件限在一定的水平，本文在对比分析常温与低温下小尺寸器件效应的基础上，重点研究了ＭＯＳ器件亚阈特性对器件性能及按比例缩小的影响，并根据低温工作的特点，提出了ＭＯＳ器件一种低温按比例缩小规则，该原则对低温器的优化设计，从而更大程度在提高电路与系统性能具有重要的指导意义。     

一种升压式PFM DC-DC转换器的设计

讨论了一种PFM升压式DC－DC电压转称器的设计，重点对其关键的基准电压产生，振荡控制信号产生及比较器设计进行了分析，并采用3μmCOMOS工艺完成芯片的设计。     

MOS集成电路及其发展状况

一、MOS集成电路的发展过程及其特点 半导体场效应器件的发展历史远比双极晶体管为早（双极晶体管于四十年代末出现）,大约在二十年代后期,人们就发现了“场效应”,并在三十年代初期出现了应用场效应原理工作的原始的场效应器件。     

一种适用于VLSIMOS器件的阈电压模型

随着大规模集成电路的发展,已经提出了多种MOS器件阈电压模型.然而,由于该种器件沟道区往往有离子注入,通常采用某些近似来模拟掺杂分布,这样得到的阈电压表示比较粗糙,且不太实用.为解决这一问题,本文提出了等效浓度的概念以及计算方法,在此基础上得到了一种新的阈电压模型,并指出了具体确定阈电压的步骤,数值结果与两维模拟基本一致.该方法与通常方法相比具有简单实用的特点.     

锂电池管理芯片的过流保护功能设计及实现

针对锂电池应用特点,设计了用于电池管理芯片的过流保护功能模块.电路采用0.6(m N衬底双阱CMOS工艺实现.HSPICE后仿真结果表明,该模块不仅能对锂电池放电过程实现三级过流检测和保护,还能对充电过程中的过流进行有效管理.通过功耗管理和采用基于亚阈值MOS管的电路,模块消耗电流仅为1.2(A,能充分满足较复杂的电池管理芯片的需要.     

红外焦平面技术的重要进展—单片式SiGe红外焦平面阵列的物理基础和关键技

由ＳｉＧｅ合金与Ｓｉ构成的应变层异质结构、量子阱是８０年代中期发展起来的一种新型半导体材料。本文着重讨论了单片式ＳｉＧｅ红外焦平面阵列的物理基础、高质量ＳｉＧｅ材料的制备以及低温ＳｉＧｅ器件研制中的几个关键技术。     

液晶显示多行扫描驱动芯片设计

多行扫描驱动方式具备低功耗、高对比度、响应速度快、串扰少、制造成本低和宽温度范围等优点 ,可大幅提高无源驱动的显示质量。文中采用 Hadmoard矩阵作为基本正交函数 ,设计了 4行驱动多行扫描芯片的系统结构 ,并采用动态 CMOS逻辑阵列结构设计了列驱动芯片中的关键电路 -码转换模块。结合 UMC0 .6μm工艺模拟验证后的结果显示 ,该模块 5V下的延迟时间为 11ns,最大工作频率可超过 2 0 MHz,功能和参数性能均符合实际设计和应用要求     

循环码纠错电路及其可重构分析

数据在通讯传输和存储的过程中 ,采用纠错码技术可以保证数据的正确性。文中以 BCH[7,4 ,3]码为例 ,研究了循环纠错码的构造原理和电路结构 ,提出纠错码电路可以建立在纠错码基核单元的基础上 ,重构纠错码电路来实现有限系统资源的动态再利用。纠错码重构电路的研究可建立在嵌套式 GA理论模型上 ,采用迭代矩阵变换和有限状态机方式实现。     

边界元法用于压力传感器设计优化

精确计算和模拟压力膜片上位移和应力分布是为设计高性能压力传感器的重要环节。实际压力传感器具有异性腐蚀形成硅杯的三维结构,存在不同介质层的热应力与弹性体本身的各向异性问题等。过去计算应力分布的数值方法通常采用有限差分法和有限元法,80年代发展起来的边界元法(BEM)有其独特的优点,此法使求解问题的维数降低一维,它只需将表面离散化,大大减少了方程个数和输入数据。并且引入了方程算子的基本解,具有离散和解析相结合的特点,数值精度一般优于各有限元法。本研究利用边界元法计算了具有腐蚀硅杯的三维矩形膜片的位移和应力分布,和有限元法模拟程序SAP与的计算结果吻合。在此基础上,计算压敏电阻的平均应力,结合版图设计规则优化了压力传感器的设计,提高了器件性能。