一种含芴基的钌(II)配合物的合成及DNA键合性质

合成了一种新的钌(II)配合物[Ru(bpy)2(Hfip)](ClO4)2, 其中bpy代表2,2′-联吡啶, Hfip代表2-(9H-芴-2-基)-1H-咪唑-[4,5-f]-[1,10]-邻菲啰啉. 通过紫外可见光谱、荧光光谱、稳态荧光淬灭、与溴化乙锭的竞争实验、粘度测量和DNA热变性研究了该配合物与小牛胸腺DNA的键合性质. 结果表明, 该配合物能嵌入键合DNA, 键合常数Kb=8.6×105 L·mol-1 (50 mmol·L-1 NaCl).     

分子束外延生长Hg1-χCdχTe材料原位退火研究

对分子束外延(MBE)生长了Hg1-χCdχTe薄膜材料进行原位退火研究.显微镜观察可知,原位退火可以得到光滑的材料表面,并可以降低材料的腐蚀坑密度(EPD).霍尔测试结果表明,通过调整退火温度和汞束流可以明显地改善Hg1-χCdχTe材料的电学性能.研究表明Hg1-χCdχTe材料的原位退火技术在改善材料的微观结构和电学性能方面有着重要的意义.     

K7[P2Mo4W13M(H2O)O61]及其有机复合材料的合成及光谱研究

用降解法制得了Dawson结构铬、铁取代的磷钼钨酸钾,并将其与溴化(E)-N-丁基-4-(2-(4-二甲氨基苯基)乙烯基)吡啶反应制备了有机复合材料.通过元素分析和TG-DTA确定了配合物的组成分别为K7[P2Mo4W13M(H2O)O61](M=Cr(1),Fe(2))和(C19H25N2)6K3[P2Mo4W13MO62](M=Cr(3),Fe(4)).利用红外光谱、紫外-可见光谱、固体漫反射紫外-可见-近红外光谱、X射线光电子能谱以及荧光光谱对上述化合物进行了表征,并研究了复合材料中无机与有机组分间的相互作用及其荧光性质.     

“能干而低调”的钨元素

较为详细地介绍了钨元素的发现历程,钨金属与合金、含钨杂多配合物、氧化钨、碳化钨、钨硫族化合物和含有W-W四重键的化合物的应用。     

具有Dawson结构的钼钒磷杂多酸氧化还原性质的研究

通过SnCl₂电位滴定、极谱和循环伏安方法,详细研究了2:18系列钼钒磷杂多酸H_(6+n)[P₂Mo^13-nV_nO₆₂]·xH₂O(n=1～3)和H^_4+n[P₂Mo_18-nV_nO₆₂H₂]·xH₂O(n=4,5)在溶液中的氧化还原性质,证实它们的还原为三步分别加合n,2,2个电子,同时加合n,2,2个质子的过程,总结了循环伏安峰电位与pH的关系,提出了还原机理。     

贝壳粉对铅(Ⅱ)吸附性能的研究

制备了不同粒径的贝壳粉,并将此材料作为铅(Ⅱ)的吸附剂,研究贝壳粉的的吸附性能。结果表明:介质pH为7.0时,铅(Ⅱ)的吸附容量随贝壳粉的粒径减小和温度的升高而增大。     

Ge(211)衬底上分子束外延CdTe薄膜

采用分子束外延在3英寸Ge(211)衬底上生长了10 μm厚的CdTe(211)B薄膜.CdTe表面镜面光亮,3英寸范围厚度平均值9.72 μm,偏差0.3 μm;薄膜晶体质量通过X射线双晶迴摆曲线进行评价,FWHM平均值80.23 arcsec,偏差3.03 arcsec; EPD平均值为4.5×106cm-2.通过研究CdTe薄膜厚度与FWHM和EPD的关系,得到CdTe的理想厚度为8～9 μm.     

RHEED优化MBE生长中波MCT薄膜工艺

在分子束外延(MBE)中波HgCdTe薄膜过程中,利用反射式高能电子衍射(RHEED)对衬底表面脱氧和生长过程中生长参数对材料特性的影响进行研究.通过观察RHEED图样的变化,确定了衬底的脱氧状况,获得了生长中衬底温度等生长参数变化引起材料结晶的变化规律,为MBE生长HgCdTe薄膜实验的可控生长提供有效帮助;生长结束后,通过SEM、Hall等手段对HgCdTe的表面缺陷、电学参数等性能进行了初步研究,证明实验说成长的材料基本满足器件制备的要求.     

H4SiW12O40和双偶极Ru(II)配合物形成的静电自组装多层膜

制备了含有H4SiW12O40和双偶极Ru(II)配合物交替层的一个新颖静电自组装多层膜.用紫外可见光谱、循环伏安学、原子力显微镜对薄膜进行了表征和性质研究.结果表明膜沉积平稳、均匀,所制得的薄膜具有较好的电化学活性.AFM图像表明钌(II)配合物和H4SiW12O40层具有明显不同的微区结构.