Au-Si共晶合金液态金属离子源

采用原子比为Si(31％),Au(69％)的金硅合金,研制成了Au-Si共晶合金液态金属寓子源.描述了该离子源的制作方法、I-V特性、不同源电流情况下各种离子流峰值的变化.讨论了质谱分析结果.长时间地测量了离子流各组分Si~+、Si~(++)、Si_2~+、Au~+、Au~(++)的百分比变化情况.源的寿命大于140小时.     

冷发射电子束掺杂磷

一种新的冷发射电子束掺杂方法已研究成功。这种方法可实现高浓度(C_(max)=2.8×10~(20)/cm~3),超浅结[(x_j)_(min)≤0.1μm],而且损伤比离子注入的小得多。用这种方法制备的太阳能电池控制器件性能很好。     

一种新型的整体式镓离子源的研制

本文叙述了一种比较新颖的整体式液体镓离子源的制备工艺及挂镓方法;测量了在不同温度下的电流-电压关系;以及在特定电压下,电流随时间的缓慢变化;对于针尖的几何形状,即顶点处的曲率半径对电流-电压关系的影响,用两种典型的针尖作了比较;试验还表明,这种源结构比较简单,容易实现和掌握,其寿命可达110小时以上.     

场致发射液体镓离子源的研制

描述了研制的液体镓离子源的结构工艺,并对该离子源的电流与引出电压的关系,电流与温度的关系,亮度等进行了测试和讨论.该离子源的性能现已达到:亮度=1.3×10~(12)mA/cm~2·rad~2(在α=8°30＇张角内测量);阈值电压5kV左右;寿命>50小时.     

辉光放电电子束掺杂硼浅结

一种新的半导体掺杂方法——电子束掺杂法成功地用于实现掺硼浅结.它是用辉光放电电子束辐照涂敷杂质源的半导体表面,形成高浓度(≥10~(20)/cm~3)、浅结(≤0.1μm)掺杂层.损伤比离子注入的小.试制成功的太阳敏感器件性能优良.