Characterization of ZnO:AI films deposited by r.f.magnetron-sputtering at low temperature

Transparent conducting ZnO:AI thin films with good adhesion and Iow resistivity have been prepared on organic substrates and Coming 7059 glass substrates by r.f. magnetron-sputtering technique at Iow substrate temperature (25-210℃). Structural and photoelectric properties of the deposited films are investigated. The deposited films are polycrystalline with hexagonal structure and a preferred orientation with the c-axis perpendicular to the substrate. Only the (002) peak is observed.High quality films with resistivity as Iow as 1.0 x 10- 3Ω@ cm and 8.4 x 10- 4Ω@ cm, the average transmittance over 74% and 85% in the wavelength range of the visible spectrum have been obtained on different substrates.     

退火温度对低温生长MgxZn1－xO薄膜光学性质的影响

用射频磁控溅射法在80℃衬底温度下制备出Mg_xZn_1-xO(x=0.16)薄膜，用X射线衍射(XRD)、光致发光(PL)和透射谱研究了退火温度对Mg_xZn_1-xO薄膜结构和光学性质的影响.测量结果显示，Mg_xZn_1-xO薄膜为单相六角纤锌矿结构，并且具有沿c轴的择优取向；随着退火温度的升高，(002)XRD峰强度、平均晶粒尺寸和紫外PL峰强度增大，(002)XRD峰半高宽(F 关键词： xZn_1-xO薄膜')" href="#">Mg_xZn_1-xO薄膜 射频磁控溅射 退火     

Si(111)衬底GaN薄膜的制备与特性

用溅射后退火反应法在Si(111)衬底上制备的高质量GaN薄膜. XRD, XPS, SEM和PL测量结果表明该方法制备的GaN是六角纤锌矿结构的多晶. GaN的最大晶粒尺寸约为100 nm. 在354 nm处发现强室温光致发光峰, 带隙相对于体GaN发生了轻微蓝移.     

溅射后退火反应法制备GaN薄膜的结构与发光性质

报道了用溅射后退火反应法在 Ga As (110 )衬底上制备 Ga N薄膜 .XRD、XPS、TEM测量结果表明该方法制备的 Ga N是沿 c轴方向生长的六角纤锌矿结构的多晶薄膜 .PL测量结果发现了位于 36 8nm处的室温光致发光峰.     

基于.NET平台的医学院校在线考试系统的研究

随着计算机技术和信息技术的日益发展,考核医护人员专业技能以及掌握程度的方法也日趋多元和全面。目前各医学院校所使用的在线考试系统,多数存在通用性、兼容性和开放性差,系统应用平台及网络架构陈旧等问题。而且,医学院校在线考试系统应具备哪些功能和特征,开发应遵循的原则等尚无明确的标准。因此给用户使用、推广和系统升级等都带来诸多困扰和不便。我们正在研发的在线考试系统,从最初的设计到具体实施,都尽量做到技术的先进性、系统的规范化、标准化,同时注重对不同用户的开放性、兼容性和升级相对简单等原则。我们同时结合对考试系统多年的研究和经验,从技术层面对微软的.NET环境下在线考试系统的组成、运行机制、可应用技术和具体实现等相关理论以及考试系统的安全性做了必要的分析和介绍。为促进医学院校早日实现数字化教学,医学网络考试系统向规范化、标准化和通用性的目标发展,起到抛砖引玉的作用。     

金属有机物化学气相沉积法生长Ga2（1-x）In2xO3薄膜的结构及光电性能研究

采用金属有机物化学气相沉积（MOCVD）法在蓝宝石（0001）衬底上制备出了Ga_2（1-x）In_2xO₃（x=01—09）薄膜,研究了薄膜的结构、电学和光学特性以及退火处理对薄膜性质的影响.测量结果表明：当In组分x=02时,样品为单斜β-Ga₂O₃结构;x=05的样品,薄膜呈现非晶结构,退火处理后薄膜结构得到明显的改善 关键词： 金属有机物化学气相沉积 2（1-x）In_2xO₃薄膜')" href="#">Ga_2（1-x）In_2xO₃薄膜 蓝宝石衬底 退火     

金属有机物化学气相沉积法生长Ga2(1-χ)In2χO3薄膜的结构及光电性能研究

采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)法在蓝宝石(0001)衬底上制备出了Ga2(1-χ)In2χO3(χ=0.1-0.9)薄膜,研究了薄膜的结构、电学和光学特性以及退火处理对薄膜性质的影响.测量结果表明:当In组分χ=0.2时,样品为单斜β-Ga2O3,结构;χ=0.5的样品,薄膜呈现非晶结构,退火处理后薄膜结构得到明显的改善,由非晶结构转变为具有(222)单一取向的立方In2O3结构;对于χ=0.8,薄膜为立方In2O3,结构,退火后薄膜的晶体质量得到提高.在可见光区薄膜本身的透过率均达到了85%以上,带隙宽度随样品中Ga含量的改变在3.76-4.43 eV之间变化,且经退火处理后带隙宽度明显增大.     

SnO2:Sb薄膜的制备和光致发光性质

用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备出SnO2:Sb薄膜.制备样品为多晶薄膜,具有纯氧化锡的四方金红石结构和(110)择优取向,Sb离子以替位式掺杂的形式存在于SnO2晶格中.室温条件下对样品进行光致发光测量,在392nm附近观测到强的紫外-紫光发射,发射强度随制备功率的增加而增强,且样品退火后发射强度也明显增强.紫外-紫光发射的起源被归于由Sb形成的施主能级和受主能级之间的电子跃迁.     

The optical properties of MgxZnl-xO thin films

Mg_xZn_1-xO thin films have been prepared on silicon substrates by radio frequency magnetron sputtering at 60℃. The thin films have hexagonal wurtzite single-phase structure and a preferred orientation with the c-axis perpendicular to the substrates. The refractive indices of Mg_xZn_1-xO films are studied at room temperature by spectroscopic ellipsometry over the wavelength range of 400--760\,nm at the incident angle of 70℃. Both absorption coefficients and optical band gaps of Mg_xZn_1-xO films are determined by the transmittance spectra. While Mg content is increasing, the absorption edges of Mg_xZn_1-xO films shift to higher energies and band gaps linearly increase from 3.24.eV at x=0 to 3.90\,eV at x=0.30. These results provide important information for the design and modelling of ZnO/ Mg_xZn_1-xO heterostructure optoelectronic devices.     

退火处理对氧化锌透明导电膜的结构及电学特性的影响

采用真空蒸发技术，以醋酸锌和氯化铝作为蒸发物质，在加热的玻璃衬底上制备出氧化锌和铝掺杂的氧化锌透明导电薄膜．研究了氢气、空气和真空退火处理对制备薄膜的结构及电学性能的影响