版图图形特征对铜电镀工艺的影响

铜电镀工艺后表面的不平整度通常取决于版图关键特征,包括线宽,线间距和金属密度。本文设计了一款测试芯片并在一家半导体厂加工制造。版图特征效应被真正的测试数据所检查和验证。通过分析金属蝶形、介质腐蚀、金属厚度和SEM照片,得出一些结论。线宽是决定表面形貌及产生铜金属蝶形和介质层腐蚀的最关键因素。经过铜电镀工艺发现,铜线越细铜生长的越厚,铜线越宽铜金属蝶形越大,发现了3种典型表面形貌。而且,通过测试数据,量化版图特征的影响并用曲率增强加速剂覆盖率的理论解释,这可以用于开发铜电镀工艺模型和开展可制造性设计研究。     

车载电子通信安全技术分析

随着科技的不断进步以及经济的快速发展,汽车在人们的日常生活中扮演着越来越重要的角色.因此,人们越来越重视汽车通信技术的安全性.而车载电子通信系统在一定程度上给人们的生活带来了许多的便利,不仅可以保障驾驶员的安全,还能在一定程度上及时的记录行车状况,从而保障行车的安全.但现在的车载电子通信系统还存在着各种各样的问题.本文就针对车载电子通信安全技术分析问题进行分析.     

AMD用户芯片的使用特点及硬件设计

主要介绍了ＡＭＤ公司的用户电路芯片Ａｍ７９Ｑ０２１和Ａｍ７９４７的内部原理及结构，并结合实际应用阐述了具体的硬件设计方案。     

纳米集成电路 Cu CMP工艺模型参数优化

铜化学机械抛光受几何图形特性如线宽、间距和图形密度的影响,芯片和晶圆上铜互连线厚度的不均匀性都会影响电性能和降低良率。本文从物理化学的角度对CMP工艺进行了回顾和分析,针对Cu CMP制造工艺和在MIT提出的（Pattern-Density Step-Height,PDSH）模型基础上,建立与工艺相对应的三步骤工艺模型。为了扑捉工艺与版图结构的相关性,设计了一款65纳米测试芯片并在SMIC完成工艺实验。按照模型参数提取流程,通过芯片测试数据提取模型参数和验证工艺模型。模拟结果与测试结果对比说明二者趋势完全一致,最大偏差小于5 nm。第三方测试数据进一步证明模型参数优化取得很好的结果。精准的Cu CMP工艺模型可以用于做芯片的DFM检查、显示和消除关键热点,从而确保芯片的良率和集成电路量产能力。     

Effects of pattern characteristics on the copper electroplating process

The non-planarity of a surface post electroplating process is usually dependent on variations of key layout characteristics including line width,line spacing and metal density.A test chip is designed and manufactured in a semiconductor foundry to test the layout dependency of the electroplating process.By checking test data such as field height,array height,step height and SEM photos,some conclusions are made.Line width is a critical factor of topographical shapes such as the step height and height difference.After the electroplating process,the fine line has a thicker copper thickness,while the wide line has the greatest step height.Three typical topographies, conformal-fill,supper-fill and over-fill,are observed.Moreover,quantified effects are found using the test data and explained by theory,which can be used to develop electroplating process modeling and design for manufacturability (DFM) research.     

离轴角度精密监控的数字全息实验装置

针对数字全息对离轴角度的要求,设计了可以精密监控离轴角度的数字全息实验装置.通过引入反射镜、分束器和监控CCD光学器件,借助频谱分析方法计算离轴角度,实时监控数字全息记录时参考光和物光之间的夹角.该装置不仅可以在不重新调整光路的情况下实现同轴数字全息与离轴全息的自由切换,还可以使数字全息再现时原物像、零级项、共轭像刚好分离,降低数字全息记录对CCD分辨率的要求,又可以有效利用再现视场.使用分辨率板进行了验证实验,验证了该装置和方法的可行性和有效性.     

离轴磁场退火后Tb0.3Dy0.7Fe1.95〈110〉取向晶体的磁致伸缩"跳跃"效应

将〈110〉取向Tb_0.3Dy_0.7Fe_1.95合金棒放在与轴向成35°夹角的外磁场中退火处理,研究其在0—30 MPa预压应力σpre作用下的磁致伸缩效应.结果表明,σpre=0条件下的饱和磁致伸缩值λs由退火前的1023×10^-6提高到1650×10^-6;σpre 关键词： 磁致伸缩 磁场退火 磁致伸缩"跳跃"效应