温度调谐LBO晶体光参量振荡器

本文详细研究０．５３２μｍ激光泵浦、温度调谐Ⅱ型非临界相位匹配ＬＢＯ光参量振荡器。当温度从２０℃升高到２００℃时，其信号波和闲置波的调谐范围分别为１．００２～０．８９８μｍ和１．１３４～１．３０６μｍ。本装置最吸引人之处是本征输出线宽比Ⅰ型情形小一个量级。     

内圆切片机

<正> 半导体器件、IC、LSI等的基片材料,主要使用硅、化合物半导体(GaP,GaAs,Inp等)。这些基材料是从圆柱状晶锭上采用切片方式获得的。这种切片方式有多种,而半导体片子多用内圆金刚刀片切割。     

P型金刚石半导体的新稳定制造技术

金刚石不但作为宝右,而且利用它的硬度还有各种各样的用途。在电子学领域中正使用金刚石作为避免激光二极管过热的热沉。但构成金刚石的碳属于Ⅳ族,虽然与同族的硅和锗同样也可由价电子结合形成结晶,但现在基本上还没有使用它来作为制造电子器件的半导体材料。主要原因在于向金刚石内掺入受主或施主杂质原子的方法还没有确立。     

等离子蚀刻技术

<正> 为了替换湿法蚀刻技术,因而等离子蚀刻技术受到注意。最初,根据圆筒形等离子蚀刻装置,剥掉光致抗蚀剂,活跃地进行丁关于多晶硅、单晶硅、Si_3N_4膜等蚀刻技术的研制。因为利用等离子化学活性的纯化学反应,所以蚀刻的结果,在本质上与所使用的溶液有显著不同。而且对避免由废液引起的公害,废液处理     

低能氘团簇离子(d+3)诱发固体靶内D-D核聚变过程中的团簇效应研究

通过对由三个氘原子组成的氘团簇离子(d⁺₃)与三个分立的氘核(3d⁺)在轰击吸氘固体靶时所发生的D-D聚变反应率的差别的研究，进而揭示氘团簇离子在与固体靶中的氘核发生聚变反应时所体现出的团簇效应.实验结果显示，在10—40keV/d能区，每个氘团簇中的氘核(d⁺₃/3)所产生的聚变反应率高于具有相同速度的独立氘核(d⁺)所产生的聚变反应率.反之，在50—100keV/d能区，独立氘核比之于氘团簇中的单个氘核所产生的聚变反应率要高.两者之间的比值具有非常明显的能量相关性.这种团簇特性与团簇离子本身特性及固体靶环境等多方面因素有关.对其作用过程和实验中观测到的现象的实质做了具体讨论. 关键词：     

使用多线程技术提高VR应用的性能

VR系统十分复杂，计算机的处理任务十分繁重，处理器的处理速度跟不上应用提出的新要求。以常用的VR工具软件WorldToolKits为例，在建立好场景图并且进入仿真循环后，除了完成一般的操作系统的任务之外，计算机在每一个仿真步中的任务有：读入VR设备传感器的数据；调用仿真任务；根据输入更新场景中的仿真对象；调用仿真事件、虚拟物体执行仿真任务；虚拟物体沿路径前进一步；进行物体的渲染。如果使用虚拟装配系统进行复杂机械产品的虚拟装配，系统一方面要进行复杂零部件的渲染；另一方面在装配过程中还需要进行碰撞检测和干涉检查；另外，通常在VR系统中包含有数据手套、头盔和跟踪定位装置等硬件设备，而系统在每一帧都需要采集这些设备传感器的数据，这些操作都需要消耗大量的处理器资源。