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1.
综述了聚焦离子束系统的结构和基本原理,介绍了国产化聚焦离子束系统的结构与特点。基于国产化聚焦离子束系统进行了硅材料刻蚀实验,研究了硅材料刻蚀速率与离子束流大小的关系,建立了刻蚀速率与束流大小的关系方程,进行了硅悬梁微结构刻蚀加工。结果表明,国产聚焦离子束系统可满足硅微悬梁结构加工的应用需要。  相似文献   
2.
(AgCu28)80InxSn(20-x)钎料的熔化特性及其铺展性研究   总被引:4,自引:1,他引:4  
采用差示扫描量热仪研究了合金的熔化特性。结果表明:该合金在489~496℃处具有554~604℃两个明显的吸热带,添加11wt%的In时,其只存在496℃与603.6℃两个吸热峰。润湿与铺展性能测试表明该合金能很好地润湿紫铜,在In添加量大于12wt%时,随着In含量的增加铺展率变大。  相似文献   
3.
太阳能电池测试分选设备是晶体硅太阳能电池生产专用设备,可用于太阳能电池转换效率以及电性能参数测量。所有的测量结果可以自动分类,自动保存。该设备在测试系统设计、分选结构设计、步进电机精密驱动、高速数据交换和电气控制等技术方面达到较高水平。该设备具有全自动化,操作简便,测试精确,运行稳定,碎片率低、生产效率高等特点,性能完...  相似文献   
4.
太阳能电池测试分选设备用于晶体硅太阳能单体电池的性能测试和自动分选,位于太阳能电池生产的最后一道工序,由上料台、定位机构、传送装置、测试座、分选机构、太阳模拟器、控制系统等部分组成。介绍了中国电子科技集团公司第四十八研究所开发的国内首台全自动晶体硅太阳能电池测试分选设备,重点介绍了该设备太阳模拟器和控制系统之间的数据交换方式。即采用进口的高速高精度可编程控制器(PLC)为控制核心,通过以太网通信的方式实现了PLC和太阳模拟器之间的高速数据交换。  相似文献   
5.
综述了LTCC烧结的原理、特点与技术要求。举例阐述了两种LTCC专用烧结炉在行业中的应用状况,指出了LTCC专用烧结设备在当前应用中存在的问题,并展望了发展趋势。  相似文献   
6.
碳化硅(SiC)离子注入机是碳化硅半导体器件制造的核心装备,其光路设计与仿真是碳化硅离子注入整机研发的关键核心技术。利用Opera-3D软件研究了B+在不同注入能量下经加速、聚焦到靶室的传输包络图和束流截面形状,模拟仿真了B+通过扫描器、平行透镜后的注入均匀性,并与实际验证结果进行了对比。结果表明:现有SiC离子注入机光路在50~350 keV能量范围内具有较好的束流截面形状、离子传输效率和注入均匀性,能够满足SiC离子注入工艺需要。  相似文献   
7.
太阳能电池测试分选设备用于晶体硅太阳能电池的性能测试和自动分选。介绍了中国电子科技集团公司第四十八研究所开发的全自动晶体硅太阳能电池测试分选设备的系统构成,重点对该设备的运动控制系统进行描述。在该设备中,以进口可编程控制器(PLC)为核心,通过采用高精度运动控制模块实现对分选机各功能部件的高精度运动控制。  相似文献   
8.
宽禁带半导体设备技术是宽禁带半导体器件的支撑和重要基础。简要介绍了宽禁带半导体器件发展面临的设备问题,重点介绍了碳化硅晶体生长炉、碳化硅外延生长炉、碳化硅离子注入机和氮化镓MOCVD四种制约我国宽禁带半导体器件技术发展的关键设备,指出了宽禁带半导体设备技术的未来发展趋势。  相似文献   
9.
10.
简要介绍了高温离子注入靶室的设计。通过设计辅助加热装置使离子注入时晶片表面温度达到500℃以上,并通过靶盘旋转和往返平移扫描的方式实现了晶片片内和片间的温度均匀性,满足了碳化硅掺杂、SOI晶片制造等特殊需要。  相似文献   
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