局部化混合晶向应变硅CMOS结构及其制备方法

描述了混合晶向技术原理以及各种硅衬底晶向的反型层中载流子迁移率特性,分析了应变硅技术对载流子迁移率的增强机理,介绍了DSL这种应变硅技术的工艺实现方法。提出了将混合晶向技术和应变硅技术两者有机结合以提高载流子迁移率的局部化混合晶向应变硅基本思路,分析了基于该基本思路的局部化混合晶向应变硅CMOS结构及其电学性能。最后详细描述了局部化混合晶向应变硅CMOS结构工艺流程,为开发高性能、低功耗CMOS集成电路提供了一个科学合理的工艺制备方法。     

碳纳米管场发射压力传感器结构设计与测试

研制出了碳纳米管场发射压力传感器。在结构设计中提出了场发射压力传感器台阶双层阳极变形膜结构，计算机模拟证明，这种结构具有大量程与高灵敏度的优点。同时对这种结构的形变特性进行了实验测试，为传感器结构的整体尺寸设计提供了依据。最后对这种新型传感器的性能进行了测试，表明传感器的灵敏度为0．22μA／kPa(5kPa-101kPa)。