a—Si：H磷掺杂固相效率和相关分配系数

证明了分配系数ｄ是气相浓度Ｘｐ（ｇ）的解析函数，其系数由ａ－Ｓｉ：Ｈ生长期间界面上固／气相平衡反应常数决定。ｄ这种性质致磷掺杂固相效率可藉助Ｘｐ（ｇ）进行解析计算。     

非晶硅的基本物理参数

<正>非晶硅(a-Si)的研究史,至少可以上溯20年.现在已经积累了关于这种材料性质的大量资料.但是,要凭现存这些资料,整理出一张完整和确切的a-Si物理参数表来却非常困难.因为,(1)a-Si是一种薄膜半导体材料,是采用辉光淀积(GD)、溅射(Sp)、蒸发)Ev)和化学汽相淀积(CVD)等方法制成的.但是,由不同的制备方法所生产的a-Si,其物理     

非晶硅物理与技术英文名词缩写

AaHPSLPAMAMIAMZAMLCDAMOANAPCAPCVDAREARPESASAASMATRhigh一phosphorus一eontent amorphous filrns高磷含量非晶膜一ow一phospphorus一eontent amorphous films低磷含量非晶膜arnorphous一mieroerystalline非晶一微晶air mass one一个大气质量air mass two两个大气质量aetive一matrix一iquid一erystal display有源矩阵液晶显示air ma,s:ero零大气质量annealed,annealing退火automati。pressure eontroller自动压强控制器atmospheric pressure eVD大气压化学气相淀积aetiv。ted reaetive evaporation激活反应蒸发ang二…     

传统PECVD制备高品质氢化非晶硅工艺中的P_d/f_r匹配

等离子增强化学气相淀积 (PECVD)制备高品质氢化非晶硅 (HQ a- Si∶ H)工艺中 ,射频(rf)功率密度 / Si H4流速率匹配 (Pd/ fr)的研究已有许多报道 ,但至今并无明确的结论。文中根据传统的 Si H4辉光放电分解 (CPECVD)制备 HQ a- Si∶ H必须满足三个基本的化学物理要求 ,已经导出 Pdn/ fr(1相似文献   

α－Si：H磷掺杂固相效率和相关分配系数

证明了分配系数ｄ是气相浓度Ｘｐ（ｇ）的解析函数，其系数由α－Ｓｉ：Ｈ生长期间界面上固／气相平衡反应常数决定。ｄ这种性质导致磷掺杂固相效率可藉助Ｘｐ（ｇ）进行解析计算。     

Riemann-Stieltjes积分与M/α-Si势垒静态分析

本文介绍一种研究M/α-Si势垒的方法.利用Riemann-Stieltjes积分的中值定理,定义了一个α-Si的“有效隙态密度g(E_t)”,利用g(E_t),M/α-Si势垒区泊松方程很容易解析求解.在静态(外加偏压V_0=0)情形下,这个解是一个类指数衰减函数,其随距离x的衰减速率取决于g(E_i),而与α-Si隙态密度分布函数g(E)的具体形式没有直接关系.对本研究所用的实验样品Cr/α-Si:H,已经测得其α-Si的有效隙态密度是g(E_i)=6×10~(15)～1.5×10~(16)cm~(-3)eV~(-1)     

非晶硅场效应晶体管静态特性的非模型分析

本文介绍一种分析非晶硅场效应晶体管静态特性的非模型方法.它与传统的模型分析方法不同.不要求知道非晶硅隙态密度分布g(E)的具体形式,而只需假定g(E)是连续函数.据此可得到该器件的I-V特性方程.它是一个无穷级数,但就实际应用精度而言,它可用一个多项式近似表示,而且它的第一项是与单晶硅MOSFET的I—V特性方程(非饱和区)相似.这个方程特别适合于描写双极性非晶硅场效应晶体管的静态特性.     

氢化非晶硅双极性场效应晶体管

本文着重研究了玻璃栅介质(GGI)氢化非晶硅双极性场效应晶体管(α-Si:HBFET)的转移特性,并比较了SiO_2和SiO_2/α-SiN_x:H栅介质α-Si:HFET的性质.业已发现:(1)硼掺杂和磷掺杂不仅可以人大地提高(GGI)α-Si:HBFET的电流驱动能力,而且可以大大地改善其双极对称性.(2)(GGI)未掺杂α-Si:HBFET可以用来构成静态特性良好的CMOS倒相器.(3)SiO_2栅介质α-Si:HFET具有典型的双极性,但是SiO_2/α-SiN_x:H栅介质α-Si:HFET则不是双极性的.     

a-Si∶H磷掺杂机理

Ｓｔｒｅｅｔ的自动补偿模型不是ａ Ｓｉ∶Ｈ中磷掺杂的唯一机理，它略去了带尾态电子密度ｎＢＴ，实际上相当于略去了其他掺杂机理对掺杂的贡献。Ｗｉｎｅｒｅｔａｌ的磷杂质结合模型，可以推广到ｎＢＴ≠０情形，其反应常数仍满足Ｈｅｎｒｙ定律。磷掺杂固相效率和磷结合系数可以同时表示成磷气相浓度的明显的解析函数，其计算结果与实验曲线及其外推均相一致。