p(a-SiC:H)/i(a-Si:H)异质界面分析

本文讨论Glass/ITO/p(a-SiC:H)/i(a-Si:H)/n(a-Si:H)/Al结构太阳电池中i层C污染对开路电压Voc、填充因子FF、收集长度L_c及收集效率η的影响,并从机理上做了比较详细地分析.我们的实验结果表明:解决好p/i界面问题和减少i层中C的污染是制备出高效率a-SiC:H窗口非晶硅pin结构太阳电池的关键之一.     

转换效率为7.9%的非晶硅PIN电池的获得

目前,国际上通用两种方式制备α-siPIN太阳电池,即单反应室和分离反应室。前者由于设备简单,仍受到人们的相当重视。过去,我们在单反应室里制作的PIN太阳电池,其转换效率一直徘徊在4.2%。后来,我们对反应室的进气排气系统,基片安放及加热方式等做了改进,并采取措施减少系统的污染。在经过数百次单项试验和根据器件物理的要求对制备参量进行优选的基础上,使单反应室制作的非晶硅PIN电池的转换效率提高到7.9%。