对地域通信网呼损的研究与仿真

本文通过对具有迂回路由的地域通信网呼损的研究与计算机仿真,得出迂回路由的存在使呼损大为降低的结论,从而增加了地域通信网的抗毁性能。     

最佳稀疏直线阵列的分区穷举综合法

综合稀疏直线阵列(单元从规则栅格中稀疏)时,为了增强穷举法的有效性,该文提出了结合分区预处理的穷举综合法,并与其他的优化布阵方法进行了分析和比较,仿真结果表明:分区穷举法具有相当的实效性和优越性。     

Influence of spacer layer thickness on the current-voltage characteristics of pseudomorphic AlAs/In0.53Ga0.47As/InAs resonant tunnelling diodes

This paper investigates the dependence of current voltage characteristics of AlAs/In0.53Ga0.47As/InAs resonant tunnelling diodes （RTDs） on spacer layer thickness. It finds that the peak and the valley current density J in the negative differential resistance （NDR） region depends strongly on the thickness of the spacer layer. The measured peak to valley current ratio of RTDs studied here is shown to improve while the current density through RTDs decreases with increasing spacer layer thickness below a critical value.     

基于虚拟机的可信计算

当前,虚拟机技术和可信计算技术是两大热门技术,可信计算技术是实现信息系统安全的重要手段。是否可以在虚拟机的环境下,通过结合虚拟机和可信计算的技术优势,来实现终端系统与网络的可信,提高整个信息系统的安全？研究了如何设计一个基于虚拟机的可信计算平台安全架构,并进一步研究了虚拟化TPM的问题。同时,分析并总结了TCG定义的可信链技术。在此基础上,提出了虚拟机环境下可信链的实现方法,加强终端系统与网络的安全性。     

ON STUDY OF SPACEBORNE SAR SYSTEMS BY SIMULATIONS

The mathematical model of spaceborne SAR systems and its computer simulationsare described. Results of computer simulations about range migration, range migration correction,azimuth weighting and signal generation/processing are given. This software can be used tosimulate the dynamic processes in spaceborne SAR systems, to develop new signal processingtechniques and to evaluate the performance of the designed system.     

时钟不同步对波束形成影响的仿真分析

分析了数字T／R组件中,由于各路ADC的输入时钟不同步对波束形成的影响,给出了对波束指向影响最大的时钟不同步的情况,并推导出此时的方向图表达式。该表达式说明,ADC时钟不同步对方向图的影响大小取决于时钟不同步参数与信号频率乘积。通过该表达式,获得时钟不同步参数与波束指向偏移、旁瓣电平间的对应关系。仿真表明,通过该对应关系对时钟同步参数进行选取,获得了满足系统要求的方向图性能,验证了本文方法的有效性。     

4H-SiC MESFET的反应离子刻蚀和牺牲氧化工艺研究

对于栅挖槽的4H-SiCMESFET,栅肖特基接触的界面经过反应离子刻蚀,界面特性对于肖特基特性和器件性能至关重要。反应离子刻蚀的SiC表面平滑度不是很好,刻蚀损伤严重。选择合适的RIE刻蚀条件减小刻蚀对半导体表面的损伤;利用牺牲氧化改善刻蚀后的表面形貌,进一步减小表面的刻蚀损伤。工艺优化后栅的肖特基特性有了明显改善,理想因子接近于1。制成的4H-SiCMESFET直流夹断特性良好,饱和电流密度达到350mAmm。     

SiC MESFET微波功率器件的研制

利用本实验室生长的4H-SiC外延材料开展了SiC微波功率器件的研究.通过对欧姆接触和干法刻槽工艺的优化,研制出高性能的SiC MESFET.利用1mm栅宽SiC MESFET制成的微波功率放大器在2GHz 64V工作时,连续波输出功率达4.09W,功率增益为9.3dB,PAE为31.3%.文中还给出了SiC功率放大器在微波大信号工作时的稳定性的初步测试结果.     

FP腔半导体激光器的腔内损耗和准费米能级差的测量

利用一种拟合方法测量FP腔半导体激光器的腔内损耗和准费米能级差.从放大的自发发射谱,利用Cassidy方法得到用于拟合过程的增益谱和单程放大的自发发射谱.利用上述方法,测出的15 5 0nmInGaAsP量子阱脊型波导结构激光器的腔内损耗大约为2 4cm-1.