ADS-B延迟转发电文检测及干扰台定位方法

广播式自动相关监视(ADS-B)技术因明码广播特点,面临较严重的电子欺骗风险.针对延迟转发电文的检测与相应干扰台定位问题,根据ADS-B地面站接收电文的位置间隔的分布特点,该文提出利用顺序电文间瞬时速度与关注期内平均速度间的差异性检测延迟转发电文的方法.根据延迟转发电文的原始电文位置与干扰台间的空间关系,利用ADS-B地面站获取的延迟转发电文位置及时间戳,采用多点定位技术实现对干扰台定位.仿真结果表明,利用瞬时速度与平均速度间的差异性可以有效地实现对延迟转发电文存在与否的检测,干扰台的定位精度与ADS-B地面站的定时精度、采用定位的电文数目、干扰台与航线间距离和干扰台方位等因素有关,且采用正视区域的位置电文可以获得对干扰台较好的定位性能.该文方法可以使ADS-B地面站独立地检测延迟转发干扰和定位相应干扰台.     

面向飞控计算机的新型总线体系架构研究

针对飞控计算机总线应用,本文提出一种新型的总线体系架构,其采用专用内核进行外设信号的数据实时解析、管理与存储,并为其设计独立的程序运行空间和数据池空间;然后采用其他内核作为高速数据处理单元,并通过核间IPC技术访问数据池;其次通过设计系统构架,使专用内核和数据处理内核完全处于并行执行状态。最后,通过在国产FPGA中设计双核处理器,模拟该总线体系架构,结果表明,该架构能够有效协调的低速外设与高速数据处理之间的矛盾,提高机载系统的数据采集与处理能力。     

模糊控制理论在发动机温度控制中的应用

以模糊控制理论为基础，针对发动机温度控制中存在的非线性等问题，分析了当前发动机温度控制系统，并提出了发动机温度模糊控制方案。试验表明，采用模糊控制器后，显著改善了发动机温度自动控制的效果．     

大唐移动TD-LTE高速公路覆盖方案

高速公路作为一种典型的应用场景,在高速运动引入的多普勒频移、频繁切换、穿透损耗等方面都比城区环境面临更大挑战。大唐移动作为TD-LTE标准提出者和主流设备厂商,承担了TD-LTE南京实验网的测试验证,建设了唯一的高速公路(南京机场高速)覆盖网络,完成了高速公路场景的组网方案和相关测试验证,并于今年的5.17世界电信日同江苏移动一起为普通民众提供了高速公路上的TD-LTE高速上网业务体验。     

核酸适配体传感器在黄曲霉毒素B1检测中应用研究进展北大核心CSCD

核酸适配体作为一种新型识别分子,具有亲和力高、稳定性强、制备成本低、特异性强等优点,但其自身不具有信号转换功能,它与靶标分子特异性结合过程,不可产生被检测的物理化学信号。因此,需将核酸适配体与靶标分子特异性识别结合过程转为易于被检测的物理化学信号变化的过程。根据信号转换方式的不同,可将适配体生物传感器分为荧光适配体传感器、比色适配体传感器、电化学适配体传感器和表面拉曼散射适配体传感器。本文对基于以上4种检测信号的核酸适配体生物传感器在黄曲霉毒素(AFB1)检测方面的应用进行综述,并概述该类传感器应用前景和当前面临的挑战。     

基于模糊粗糙集的新闻视频镜头边界检测方法

镜头边界检测是实现基于内容的视频检索的一个重要步骤.为了将视频分割成镜头,现有的方法大都是首先提取大量的特征然后构造相异性测度函数.然而,太多的特征就会降低算法的效率.因此,有必要对镜头边界检测的规则进行特征约简.本文将粗糙集中的属性重要性和模糊粗糙集中的分类精度相结合定义了模糊粗糙算子,并构造了相异度检测函数.最后给出了镜头边界检测的一般性规则.由于本文检测方案的自适应性,因此适合于各种类型的新闻视频.用来自中央电视台的3个多小时的新闻视频所做的镜头边界检测实验获得了95.4%的查全率和96.1%的准确率.     

微波反射光电导衰减法测量InGaAs 吸收层的均匀性

外延材料的均匀性对制备大型线列和二维面阵焦平面阵列(FPA)探测器非常重要.用微波反射光电导衰减法(μ-PCD)分别在300 K和85 K温度下测量了用分子束外延技术生长的p-InP/n-InGaAs/n-InP双异质结中掺杂InGaAs吸收层的载流子寿命分布图,并详细论述了这种测试技术的理论基础.在300 K和85 K时,平均寿命分别为168.2 ns和149.4 ns,结果与ZnS/n-InGaAs/n-InP的基本一致.寿命变温曲线表明,中等掺杂InGaAs载流子寿命在低温下变化较小.μ-PCD法可以非接触无损伤快速测量p-InP/n-InGaAs/n-InP双异质结中InGaAs的寿命图,对于表征InGaAs吸收层的均匀性有潜在的应用,这对研制均匀性良好的InGaAs焦平面探测器非常重要.     

微波反射光电导衰退技术在InGaAs台面结器件工艺中的应用

微波反射光电导衰退法是一种非接触式的半导体材料少子寿命表征手段，本文用微波反射光电导衰减法测试了台面InGaAs光电器件制备中各单项工艺（刻蚀、腐蚀、硫化）中InCaAs样品的少子寿命分布，结果表明，离子刻蚀使得样品少子寿命降低，非均匀性增大，而湿法腐蚀能够在一定程度上修复离子刻蚀带来的损伤，损伤区域中心的少子寿命增大，寿命分布也更加均匀，硫化钝化能够进一步提高损伤区域少子的寿命，却使寿命分布均匀性变差。可见，微波反射光电导衰减法可以简单无损地得到样品少子寿命分布，对工艺改进具有重要的指导意义。     

平面型铟镓砷线列探测器的制备及伏安特性研究

通过闭管锌扩散制备了256元平面型铟镓砷(In0.53Ga0.47As)线列探测器,室温下焦平面平均峰值探测率为5.79×1011cmHz1/2W-1,不均匀性为31%,平均峰值响应率为0.33 A/W.并且通过拟合其伏安曲线得到了器件的理想因子和串联电阻,基于这两个相互独立的参数可以对器件不同区域的性质加以考查,结果表明器件材料具有较好的均匀性,而器件的欧姆接触电阻偏大,且不均匀性达到39%,为工艺的改进提供了重要依据.     

微波反射光电导衰退技术在InGaAs台面结器件工艺中的应用

微波反射光电导衰退法是一种非接触式的半导体材料少子寿命表征手段,本文用微波反射光电导衰减法测试了台面InGaAs光电器件制备中各单项工艺(刻蚀、腐蚀、硫化)中InCaAs样品的少子寿命分布,结果表明,离子刻蚀使得样品少子寿命降低,非均匀性增大,而湿法腐蚀能够在一定程度上修复离子刻蚀带来的损伤,损伤区域中心的少子寿命增大,寿命分布也更加均匀,硫化钝化能够进一步提高损伤区域少子的寿命,却使寿命分布均匀性变差.可见,微波反射光电导衰减法可以简单无损地得到样品少子寿命分布,对工艺改进具有重要的指导意义.